張家港省電光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

主要流程光復(fù)印工藝的主要流程如圖2：曝光方式常用的曝光方式分類如下：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時掩模與晶片間相對關(guān)系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大、復(fù)印精度好、曝光設(shè)備簡單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高，能滿足高集成度器件和電路生產(chǎn)的要求。但投影曝光設(shè)備復(fù)雜，技術(shù)難度高，因而不適于低檔產(chǎn)品的生產(chǎn)?，F(xiàn)代應(yīng)用**廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統(tǒng)和x:1倍的在硅片上直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng)。 [2]光刻膠厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻膠厚度測量；張家港省電光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

涂底方法：a、氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘；優(yōu)點：涂底均勻、避免顆粒污染；b、旋轉(zhuǎn)涂底。缺點：顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增強基底表面與光刻膠的黏附性旋轉(zhuǎn)涂膠方法：a、靜態(tài)涂膠（Static）。硅片靜止時，滴膠、加速旋轉(zhuǎn)、甩膠、揮發(fā)溶劑（原光刻膠的溶劑約占65～85%,旋涂后約占10～20%）；b、動態(tài)（Dynamic）。低速旋轉(zhuǎn)（500rpm_rotation per minute）、滴膠、加速旋轉(zhuǎn)（3000rpm）、甩膠、揮發(fā)溶劑。姑蘇區(qū)直銷光刻系統(tǒng)按需定制接觸式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。

e、光刻膠厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻膠厚度測量；f、光刻缺陷控片（PDM，Photo Defect Monitor）：光刻膠缺陷監(jiān)控。舉例：0.18μm的CMOS掃描步進光刻工藝。光源：KrF氟化氪DUV光源（248nm）；數(shù)值孔徑NA：0.6～0.7；焦深DOF：0.7μm；分辨率Resolution：0.18～0.25μm（一般采用了偏軸照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技術(shù)PSM_Phase Shift Mask增強）；套刻精度Overlay：65nm；產(chǎn)能Throughput：30～60wafers/hour（200mm）；視場尺寸Field Size：25×32mm；

2024年9月工信部發(fā)布的技術(shù)指標顯示，國產(chǎn)浸沒式光刻機已實現(xiàn)：1.套刻精度≤8nm [1]2.滿足28nm制程需求 [1]3.具備多重曝光技術(shù)適配能力研發(fā)過程中需突破：超純水循環(huán)系統(tǒng)的納米級污染控制高速掃描下的液體湍流抑制光路折射率穩(wěn)定性維持林本堅團隊在浸液系統(tǒng)上的突破 [1]。目前國產(chǎn)ArF浸沒式光刻機：可實現(xiàn)套刻精度≤8nm在28nm節(jié)點具備商業(yè)化應(yīng)用價值與ASML的TWINSCAN NXT系列相比，平均套刻精度相差約3nm [1]2024年ASML對中國出口浸沒式DUV光刻機的限制政策加速了國產(chǎn)設(shè)備信息公開進程 [1]。國產(chǎn)設(shè)備的參數(shù)披露被認為是對國際技術(shù)封鎖的實質(zhì)性回應(yīng)。目的：a、除去表面的污染物（顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子）；

半導(dǎo)體器件和集成電路對光刻曝光技術(shù)提出了越來越高的要求，在單位面積上要求完善傳遞圖像的信息量已接近常規(guī)光學(xué)的極限。光刻曝光的常用波長是3650～4358 埃，預(yù)計實用分辨率約為1微米。幾何光學(xué)的原理，允許將波長向下延伸至約2000埃的遠紫外波長，此時可達到的實用分辨率約為0.5～0.7微米。微米級圖形的光復(fù)印技術(shù)除要求先進的曝光系統(tǒng)外,對抗蝕劑的特性、成膜技術(shù)、顯影技術(shù)、超凈環(huán)境控制技術(shù)、刻蝕技術(shù)、硅片平整度、變形控制技術(shù)等也有極高的要求。因此，工藝過程的自動化和數(shù)學(xué)模型化是兩個重要的研究方向。光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。張家港本地光刻系統(tǒng)規(guī)格尺寸

如果能量和焦距調(diào)整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。張家港省電光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

光刻系統(tǒng)SUSS是一種應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的工藝試驗儀器，其比較大基片尺寸為6英寸，可實現(xiàn)0.5μm的分辨率和1μm的**小線寬 [1]。該系統(tǒng)通過精密光學(xué)曝光技術(shù)完成微電子器件的圖形轉(zhuǎn)移，為集成電路研發(fā)和生產(chǎn)提供關(guān)鍵工藝支持。比較大基片處理能力：支持直徑6英寸的基片加工（截至2021年1月） [1]圖形分辨率：系統(tǒng)的光學(xué)成像系統(tǒng)可實現(xiàn)0.5μm的分辨率 [1]線寬控制：在標準工藝條件下能夠穩(wěn)定實現(xiàn)1μm的**小線寬加工 [1]該系統(tǒng)采用接觸式/接近式曝光原理，通過紫外光源實現(xiàn)掩模圖形向基片光刻膠的精確轉(zhuǎn)移。其精密對準機構(gòu)可保證多次曝光時的套刻精度，適用于半導(dǎo)體器件研發(fā)階段的工藝驗證和小批量試制。張家港省電光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

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