本技術(shù)通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)上述目的：一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu)，所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī)，所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)置有所述電機(jī)減速箱，所述電機(jī)減速箱上方安裝有印刷品傳送帶，所述印刷品傳送帶一側(cè)安裝有所述印刷品放置箱，所述印刷品放置箱一側(cè)安裝有所述表面印刷結(jié)構(gòu)，所述表面印刷結(jié)構(gòu)上方設(shè)置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安裝有油墨加壓器，所述油墨加壓器下方安裝有高壓噴頭，所述高壓噴頭一側(cè)安裝有防濺射擋板。哪家的剝離液價(jià)格比較低？合肥市面上哪家剝離液配方技術(shù)...

能夠增強(qiáng)親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤(rùn)濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。以下實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行進(jìn)一步說明，不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配方二所采用的基礎(chǔ)組分基本相同，不同的是配方二中加入有潤(rùn)濕劑，上述所描述的潤(rùn)濕劑是用于增強(qiáng)親水性的，滴液與產(chǎn)品表面間的夾角為接觸角，接觸角可用來衡量潤(rùn)濕程度，水滴角測(cè)試儀可測(cè)量接觸角，從潤(rùn)濕角度考慮，接觸角＜90°，且接觸角越小潤(rùn)濕效果越好加入潤(rùn)濕劑后的配方二所制得的剝離液，在滴落在高世代面板后，通過水滴角測(cè)試儀測(cè)接觸角，檢測(cè)圖如圖1所示，三次測(cè)試...

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法，請(qǐng)參閱圖5，圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法的流程示意圖，該方法包括：步驟110、將多級(jí)腔室順序排列，按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液；步驟120、將來自于當(dāng)前級(jí)腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲(chǔ)于當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的存儲(chǔ)箱中，所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑；步驟130、使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級(jí)腔室；步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān)；步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器，...

所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過皮帶連接，所述收卷驅(qū)動(dòng)電機(jī)與所述膠面收卷輥通過導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述電加熱箱與所述干燥度感應(yīng)器通過導(dǎo)線連接，所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述主支撐架由合金鋼壓制而成，厚度為5mm。進(jìn)一步的，所述干燥度感應(yīng)器與所述電氣控制箱通過導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述防濺射擋板共有兩塊，傾斜角度為45°。進(jìn)一步的，所述電氣控制箱與所述表面印刷結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)線連接，所述電氣控制箱與所述膠面剝離結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)線連接。本技術(shù)的有益效果在于：采用黏合方式對(duì)印刷品膠面印刷進(jìn)行剝離，同時(shí)能夠?qū)τ∷⑵纺z面進(jìn)行回收，節(jié)約了大量材料，降低了生產(chǎn)成本。上海和輝光電用的哪家的剝離液...

利用提升泵將一級(jí)過濾罐中濾液抽取到攪拌釜內(nèi)；再向攪拌釜中輸入沉淀劑，如酸性溶液，與前述濾液充分?jǐn)嚢杌旌显俅挝龀龀恋砦?，即二?jí)線性酚醛樹脂，打開二級(jí)過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥，帶有沉淀物的混合液進(jìn)入二級(jí)過濾罐中，由其中的過濾筒過濾得到二級(jí)線性酚醛樹脂，廢液二級(jí)過濾罐底部的廢液出口流出，送往剝離成分處理系統(tǒng)。上述過濾得到的一級(jí)線性酚醛樹脂可用于光刻膠產(chǎn)品的原料，而二級(jí)線性酚醛樹脂可用于其他場(chǎng)合。綜上，實(shí)現(xiàn)了對(duì)光刻膠樹脂的充分的回收利用，回收率得到提高。附圖說明圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是過濾筒的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式如圖1、圖2所示，該光刻膠廢剝離液回收裝置，包括攪拌釜10和與攪拌釜10連...

所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種。技術(shù)方案中，所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種。技術(shù)方案中，所述的緩蝕劑為三唑類物質(zhì)。的技術(shù)方案中，所述的緩蝕劑為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。技術(shù)方案中，所述的潤(rùn)濕劑含有羥基。技術(shù)方案中，所述的潤(rùn)濕劑為聚乙二醇、甘油中的任意一種。經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明中加入環(huán)胺與鏈胺，能夠滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力，能夠快速、有效地溶解光刻膠，而配方中加入潤(rùn)濕劑，能夠有效地減少接觸角，增強(qiáng)親水性，使得剝離液親水性...

砷化鎵也有容易被腐蝕的特點(diǎn)，比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠，也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后，需要去除光刻膠之后進(jìn)行下一步。有時(shí)直接采用+異丙醇的方式就可以去除。但是對(duì)于等離子體處理過的光刻膠，一般就比較難去除干凈。有的人把加熱到60℃，雖然去膠效果快了一些，但是沸點(diǎn)是60℃，揮發(fā)的特別快，而且**蒸汽也有易燃的風(fēng)險(xiǎn)，因此找一款去膠效果好的光刻膠剝離液十分有必要。介紹常見的一款剝離液，該剝離液去膠效果好，但是對(duì)砷化鎵有輕微腐蝕，不易長(zhǎng)時(shí)間浸泡。工藝參數(shù)因產(chǎn)品和光刻膠的種類而不同，但基本上都要加熱。哪家公司的剝離液的有售后？蘇州江化微的蝕刻液剝離液銷售公司本發(fā)明涉及剝...

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法，請(qǐng)參閱圖5，圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法的流程示意圖，該方法包括：步驟110、將多級(jí)腔室順序排列，按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液；步驟120、將來自于當(dāng)前級(jí)腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲(chǔ)于當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的存儲(chǔ)箱中，所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑；步驟130、使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級(jí)腔室；步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān)；步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器，...

參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn)，傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產(chǎn)品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿透襯底表面上的氧化層到達(dá)襯底硅區(qū)，直接與硅反應(yīng)產(chǎn)生二氧化硅，增加了硅損失，會(huì)影響器件閾值電壓及漏電流，也會(huì)影響產(chǎn)品良率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念,該簡(jiǎn)化形式的概念均為本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)簡(jiǎn)化，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更...

光刻膠殘留大，殘留分布不均勻，并且產(chǎn)生邊緣聚集殘留。為了能夠進(jìn)一步地表示配方一和配方二之間的光刻膠殘留量對(duì)比，圖2中將多張單張檢測(cè)圖進(jìn)行疊加，可以更加清楚地看出兩者之間的區(qū)別，能夠明顯地看出使用配方一的剝離液，高世代面板邊緣光刻膠殘留量大。下面列舉更多剝離液組分實(shí)施例。表三：不同組分的剝離液表四：測(cè)試剝離性能時(shí)間30s50s70s90s1okokokok2okokokok3okokokok4okokokok5okokokok6okokokok7okokokok8okokokok9okokokok表三為9組不同組分的所制成的剝離液，9組不同組分的剝離液都進(jìn)行剝離性能測(cè)試，在50℃下分別放入切好的...

本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法主要實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入：s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離；s5，對(duì)襯底表面進(jìn)行清洗。本發(fā)明刻膠剝離...

以往的光刻膠剝離液對(duì)金屬的腐蝕較大，可能進(jìn)入疊層內(nèi)部造成線路減薄，藥液殘留，影響產(chǎn)品的質(zhì)量。因此有必要開發(fā)一種不會(huì)對(duì)疊層晶圓產(chǎn)生過腐蝕的光刻膠剝離液。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，既具有較高的光刻膠剝離效率，又不會(huì)對(duì)晶圓內(nèi)層有很大的腐蝕。本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)上述目的：一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，配方包括10～20wt％二甲基亞砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氫氧化銨，～1wt％硫脲類緩蝕劑和～2wt％聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。具體的。鋁剝離液的配方是什么？安徽銀蝕刻液剝離液...

需要說明的是，本發(fā)明剝離液中，推薦*由上述成分構(gòu)成，但只要不阻礙本發(fā)明的效果，可以含有例如聚氧化烯烷基醚系、硅系的消泡劑等其它成分。以上說明的本發(fā)明剝離液可以通過將上述成分溶于水中來制備。需要說明的是，本發(fā)明剝離液的ph若為堿性則沒有特別限定，但通常**將上述成分溶于水就成為堿性，因此沒有特別必要調(diào)整ph。另外，本發(fā)明剝離液可以通過將上述成分分別分開預(yù)先溶于水，成為抗蝕劑的剝離液套件，將它們混合來制備。具體來說，可以舉出以包含含有鉀鹽的第1液和含有溶纖劑的第2液為特征的抗蝕劑的剝離液套件、其中還包含含有硅酸鹽的第3液的抗蝕劑的剝離液套件、進(jìn)而在其中使上述其它成分適當(dāng)含有于各液中的抗蝕劑的剝離液...

縮短了某些領(lǐng)域與發(fā)達(dá)國(guó)家技術(shù)上的差距.騰田化學(xué)技術(shù)團(tuán)隊(duì)具有豐富分析及研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，徹底解決了化工領(lǐng)域如金屬表面處理劑、清洗劑、金屬加工液、橡膠、塑料、膠黏劑、涂料、水處理藥劑、紡織印染助劑等企業(yè)配方改進(jìn)、新產(chǎn)品研發(fā)的切實(shí)問題；正是騰田化學(xué)質(zhì)量的口碑，贏得多個(gè)領(lǐng)域**企業(yè)關(guān)注，成功地建立精細(xì)化學(xué)品研發(fā)平臺(tái)；在騰田化學(xué)共同努力下，民營(yíng)企業(yè)不斷技術(shù)創(chuàng)新，有利于化工行業(yè)的良好發(fā)展.騰田化學(xué)溫馨提示：當(dāng)你有產(chǎn)品分析數(shù)據(jù)，但是無法后期生產(chǎn)的時(shí)候，可以聯(lián)系騰田化學(xué)科技（上海）有限公司。騰田化學(xué)的業(yè)務(wù)范圍：1.各類膠粘劑產(chǎn)品配方分析以及產(chǎn)品研發(fā)，為客戶提供產(chǎn)品配方及生產(chǎn)；2.涂料及油墨產(chǎn)品配方分析，為客戶提供產(chǎn)品...

本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來越。在半導(dǎo)體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任何基材，才能再進(jìn)行下道工序。因此，光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻，但對(duì)于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板)，傳統(tǒng)剝離液親水性不夠，水置換能力較差，容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：...

本技術(shù)通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)上述目的：一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu)，所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī)，所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)置有所述電機(jī)減速箱，所述電機(jī)減速箱上方安裝有印刷品傳送帶，所述印刷品傳送帶一側(cè)安裝有所述印刷品放置箱，所述印刷品放置箱一側(cè)安裝有所述表面印刷結(jié)構(gòu)，所述表面印刷結(jié)構(gòu)上方設(shè)置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安裝有油墨加壓器，所述油墨加壓器下方安裝有高壓噴頭，所述高壓噴頭一側(cè)安裝有防濺射擋板。什么制程中需要使用剝離液。揚(yáng)州銀蝕刻液剝離液私人定做...

需要說明的是，本發(fā)明剝離液中，推薦*由上述成分構(gòu)成，但只要不阻礙本發(fā)明的效果，可以含有例如聚氧化烯烷基醚系、硅系的消泡劑等其它成分。以上說明的本發(fā)明剝離液可以通過將上述成分溶于水中來制備。需要說明的是，本發(fā)明剝離液的ph若為堿性則沒有特別限定，但通常**將上述成分溶于水就成為堿性，因此沒有特別必要調(diào)整ph。另外，本發(fā)明剝離液可以通過將上述成分分別分開預(yù)先溶于水，成為抗蝕劑的剝離液套件，將它們混合來制備。具體來說，可以舉出以包含含有鉀鹽的第1液和含有溶纖劑的第2液為特征的抗蝕劑的剝離液套件、其中還包含含有硅酸鹽的第3液的抗蝕劑的剝離液套件、進(jìn)而在其中使上述其它成分適當(dāng)含有于各液中的抗蝕劑的剝離液...

本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來越。在半導(dǎo)體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任何基材，才能再進(jìn)行下道工序。因此，光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻，但對(duì)于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板)，傳統(tǒng)剝離液親水性不夠，水置換能力較差，容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：...

例如即使為50/50μm以下的線/間距、推薦10/10～40/40μm的線/間距也能除去抗蝕劑。實(shí)施例以下，舉出實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但本發(fā)明不受這些實(shí)施例任何限定。實(shí)施例1抗蝕劑的剝離液的制備：將以下的表1中記載的成分在水中混合、溶解而制備抗蝕劑的剝離液?！颈?】(mol/l)氫氧化鉀氫氧化鈉異丙基溶纖劑硅酸鉀本發(fā)明組成：(1)基板制作方法為了提**膜抗蝕劑一基材間的密合，將覆銅層疊板(古河電工(株式會(huì)社)制：ccl：電解銅箔gts35μm箔)通過粗化處理(jcu制：ebakemuneobrownnbsii、蝕刻量μm)使表面粗度成為ra約μm。其后，使用干膜抗蝕劑(日立化成制：rd-...

添加劑中含有醇醚化合物、胺化合物、緩蝕劑以及潤(rùn)濕劑；s3：將步驟s1的剝離液廢液與添加劑混合，重新制備剝離液新液，制備過程中加入酰胺化合物或醇醚化合物。光刻膠剝離液為純有機(jī)溶劑體系，廢液可通過蒸餾回收80-95％有效物，得出純化液體，而在上述制備方式中，純化液體所含的組分與添加劑所含的組分之間是具有相重復(fù)的，可以認(rèn)為，添加劑是根據(jù)已知的剝離液新液的組分進(jìn)行配制的，添加劑可以是對(duì)純化液體與剝離液新液之間的組分的差別而進(jìn)行的添加、補(bǔ)充，使得純化液體和添加劑混合后，能夠具有與剝離液新液相同的組分。那么，可以知道，在預(yù)先知道剝離液新液的組分的基礎(chǔ)上，可以通過預(yù)先配制含有剝離液新液中的某些組分的添加劑，...

其包含含有鉀鹽的第1液、和含有溶纖劑的第2液。再者，本發(fā)明涉及印刷布線板、半導(dǎo)體基板、平板顯示器或引線框的制造方法，其特征在于，在包括從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑的工序的印刷布線板、半導(dǎo)體基板、平板顯示器或引線框的制造方法中，使用上述抗蝕劑的剝離液進(jìn)行抗蝕劑的除去。發(fā)明效果本發(fā)明的抗蝕劑的剝離液即使是微細(xì)的布線間的抗蝕劑也能細(xì)小地粉碎。因此，本發(fā)明的抗蝕劑的剝離液適合于包括從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑的工序的印刷布線板、半導(dǎo)體基板、平板顯示器或引線框的制造方法。具體實(shí)施方式本發(fā)明的抗蝕劑的剝離液(以下，稱為“本發(fā)明剝離液”)含有氫氧化鉀和溶纖劑。本發(fā)明剝離液中的鉀鹽沒有特別限定，例如，可以...

本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來越。在半導(dǎo)體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任何基材，才能再進(jìn)行下道工序。因此，光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻，但對(duì)于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板)，傳統(tǒng)剝離液親水性不夠，水置換能力較差，容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：...

濕電子化學(xué)品位于電子信息產(chǎn)業(yè)偏中上游的材料領(lǐng)域。濕電子化學(xué)品上游是基礎(chǔ)化工產(chǎn)品，下游是電子信息產(chǎn)業(yè)（信息通訊、消費(fèi)電子、家用電器、汽車電子、LED、平板顯示、太陽能電池、**等領(lǐng)域）。濕電子化學(xué)品的生產(chǎn)工藝主要采用物理的提純技術(shù)及混配技術(shù)，將工業(yè)級(jí)的化工原料提純?yōu)槌瑑舾呒兓瘜W(xué)試劑，并按照特定的配方混配為具有特定功能性的化學(xué)試劑。濕電子化學(xué)品行業(yè)是精細(xì)化工和電子信息行業(yè)交叉的領(lǐng)域，其行業(yè)特色充分融入了兩大行業(yè)的自身特點(diǎn)，具有品種多、質(zhì)量要求高、對(duì)環(huán)境潔凈度要求苛刻、產(chǎn)品更新?lián)Q代快、產(chǎn)品附加值高、資金投入量大等特點(diǎn)，是化工領(lǐng)域相當(dāng)有發(fā)展前景的領(lǐng)域之一。剝離液，高效去除光刻膠，不留痕跡。深圳天馬用的...

所述功能切換口外部并聯(lián)有高純水輸入管線和沉淀劑輸入管線，所述二級(jí)過濾罐的底部設(shè)有廢液出口，所述一級(jí)過濾罐和二級(jí)過濾罐內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過濾筒。上述的光刻膠廢剝離液回收裝置，所述一級(jí)過濾罐和二級(jí)過濾罐的結(jié)構(gòu)相同，均由外殼、懸設(shè)于外殼內(nèi)的過濾筒、扣裝于過濾筒頂部的壓蓋組成，所述壓蓋中心設(shè)有對(duì)應(yīng)進(jìn)料管路的通孔，所述過濾筒由均勻布設(shè)多孔的支撐筒體、設(shè)于支撐筒體內(nèi)表面的金屬濾網(wǎng)、設(shè)于金屬濾網(wǎng)表面的纖維濾布組成，所述支撐筒體的上沿伸出外殼頂部并利用水平翻邊支撐于外殼上表面，所述金屬濾網(wǎng)的上沿設(shè)有與支撐筒體的水平翻邊扣合的定位翻邊，所述支撐筒體的底面為向筒體內(nèi)側(cè)凹陷的錐面。上述的光刻膠廢剝離液回收裝...

實(shí)施例1～6：按照表1配方將二甲基亞砜、一乙醇胺、四甲基氫氧化銨、硫脲類緩蝕劑、聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑、n-甲基吡咯烷酮和去離子水混合，得到用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。表1：注：含量中不滿100wt％的部分由去離子水補(bǔ)足余量。以cna披露的光刻膠剝離液作為對(duì)照例，與實(shí)施例1～6所得用于疊層晶圓的光刻膠剝離液進(jìn)行比較試驗(yàn)，對(duì)面積均為300cm2的疊層晶圓上的光刻膠進(jìn)行剝離并分別測(cè)定剝離周期、金屬鍍層的腐蝕率和過片量(剝離的面壁數(shù)量)。對(duì)比情況見表2：表2：剝離周期/s金屬腐蝕率/ppm過片量/片實(shí)施例1130～15015376實(shí)施例2130～15016583實(shí)施例3130～1501727...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進(jìn)一步用剝離液將涂覆在微電路保護(hù)區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工藝主要包含光阻涂布、顯影、去光阻、相關(guān)清洗作業(yè)四大階段，其中在去光阻階段會(huì)產(chǎn)生部分剝離液。印制電路板生產(chǎn)工藝相當(dāng)復(fù)雜。不僅設(shè)備和制造工藝的科技含量高，工藝流程長(zhǎng)，用水量大，而且所用的化學(xué)藥品（包括各種添加劑）種類多、用量大。因此，在用減成法生產(chǎn)印刷線路板的過程中，產(chǎn)污環(huán)節(jié)多，種類繁雜，物料損耗大?？煞譃楦煞庸?設(shè)計(jì)和布線、模版制作、鉆孔、貼膜、曝光...

如遇水，圖案則隨著背膠的脫落而脫落。這種印刷方法是通過滾筒式膠質(zhì)印模把沾在膠面上的油墨轉(zhuǎn)印到紙面上。由于膠面是平的，沒有凹下的花紋，所以印出的紙面上的圖案和花紋也是平的，沒有立體感，防偽性較差。膠版印刷所需的油墨較少，模具的制造成本也比凹版低。目前我國(guó)汽車尾氣直接排入空氣中，并未進(jìn)行回收處理，對(duì)空氣造成了巨大污染，同時(shí)會(huì)對(duì)人體造成傷害。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路本**技術(shù)的目的就在于為了解決上述問題而提供一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置。剝離液適用于半導(dǎo)體和顯示行業(yè)光刻膠的剝離；紹興格林達(dá)剝離液銷售廠家形成帶有沉淀物的固液混合物，打開一級(jí)過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥18，固液混合物進(jìn)入一級(jí)過濾罐16的過濾筒中，先...

用顯微鏡觀察也難以看出的程度)3：有少量殘?jiān)?：基本能剝離，但一部分殘?jiān)?：一半以上能剝離，但一部分殘?jiān)?：基本不能剝離，但一部分剝離7：不能剝離【表2】由該結(jié)果可知，在含有溶纖劑的抗蝕劑的剝離液中使用氫氧化鉀代替氫氧化鈉的本發(fā)明組成，與使用氫氧化鈉的比較組成相比，即使l/s狹窄，也能除去抗蝕劑。(3)剝離性能的評(píng)價(jià)方法將液溫設(shè)為50℃的各剝離液使用噴涂裝置向上述試驗(yàn)片實(shí)施剝離處理，將試驗(yàn)片的粘性部分的dfr以目視全部面積的90％以上被剝離的時(shí)刻作為剝離時(shí)間。另外，剝離片尺寸(長(zhǎng)邊)是采集噴涂停止后附著于設(shè)置于試驗(yàn)基板固定用的臺(tái)上的排渣用網(wǎng)眼的剝離片以目視實(shí)施的。此時(shí)的噴涂裝置的條件設(shè)為全...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲(chǔ)：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護(hù)極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風(fēng)：良好的通風(fēng)措施，保持良好通風(fēng)人員保護(hù)設(shè)備：橡膠手套、防護(hù)目鏡，避免接觸皮膚、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽壓；9.物理和化學(xué)性能物理測(cè)試：液體顏色：微黃氣味:類氨熔點(diǎn):-24~-23℃沸點(diǎn)：165~204℃閃點(diǎn):110℃蒸汽壓mmHg@20℃蒸...

參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn)，傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產(chǎn)品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿透襯底表面上的氧化層到達(dá)襯底硅區(qū)，直接與硅反應(yīng)產(chǎn)生二氧化硅，增加了硅損失，會(huì)影響器件閾值電壓及漏電流，也會(huì)影響產(chǎn)品良率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念,該簡(jiǎn)化形式的概念均為本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)簡(jiǎn)化，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更...