利用提升泵將一級過濾罐中濾液抽取到攪拌釜內(nèi)；再向攪拌釜中輸入沉淀劑，如酸性溶液，與前述濾液充分攪拌混合再次析出沉淀物，即二級線性酚醛樹脂，打開二級過濾罐進料管路上的電磁閥，帶有沉淀物的混合液進入二級過濾罐中，由其中的過濾筒過濾得到二級線性酚醛樹脂，廢液二級過濾罐底部的廢液出口流出，送往剝離成分處理系統(tǒng)。上述過濾得到的一級線性酚醛樹脂可用于光刻膠產(chǎn)品的原料，而二級線性酚醛樹脂可用于其他場合。綜上，實現(xiàn)了對光刻膠樹脂的充分的回收利用，回收率得到提高。附圖說明圖1是本實用新型的結構示意圖；圖2是過濾筒的結構示意圖。具體實施方式如圖1、圖2所示，該光刻膠廢剝離液回收裝置，包括攪拌釜10和與攪拌釜10連...

采用此方法可以制備出負性光刻膠所能制備的任意結構，同時相比于傳統(tǒng)的加工，本方案加工效率可以提高上千倍，且圖形的結構越大相對的加工效率越高。本發(fā)明為微納制造領域，光學領域，電學領域，聲學領域，生物領域，mems制造，nems制造，集成電路等領域提供了一種新的有效的解決方案。附圖說明圖1為本發(fā)明制備用電子束在pmma上曝光出圓形陣列的輪廓；圖2為本發(fā)明用黏貼層撕走pmma輪廓以外的結構后得到的圓形柱狀陣列；圖3為實施例1步驟三的結構圖；圖4為實施例1步驟四的結構圖；圖5為實施例1步驟五的結構圖；圖6為實施例1步驟六的結構圖。具體實施方式為了使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本...

光刻作為IC制造的關鍵一環(huán)常常被人重視，但是光刻膠都是作為層被去掉的，如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個經(jīng)常被疏忽的問題，但是很重要，直接影響了產(chǎn)品質(zhì)量。如何快速有效的去除光刻膠。筆者**近就碰到一些去膠的問題，比如正膠和負膠去除需要的工藝有差別。去膠工藝還和光刻膠受過什么樣的工藝處理有關，比如ICPRIE之后的光刻膠、還有濕法腐蝕后的光刻膠。市面上針對光刻膠去除的特殊配方的去膠液有很多種，但需要根據(jù)自身產(chǎn)品特性加以選擇。在做砷化鎵去除光阻的案例，砷化鎵是一種化合物半導體材料，分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結構，即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構而成的復式晶格，其晶格常數(shù)是。...

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2020-2024年中國剝離液行業(yè)市場供需現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢預測報告》顯示，剝離液屬于濕電子化學品的重要品類，近幾年受新能源、汽車電子等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，我國濕電子化學品市場規(guī)模持續(xù)擴增，2019年我國濕電子化學品市場規(guī)模達到100億元左右，需求量約為138萬噸。隨著剝離液在半導體產(chǎn)業(yè)中的應用增長，剝離液產(chǎn)量以及市場規(guī)模隨之擴大，2019年我國半導體用剝離液需求量約為，只占據(jù)濕電子化學品總需求量的。從競爭方面來看，當前全球剝離液的生產(chǎn)由濕電子化學品企業(yè)主導，主要集中在歐美、日韓以及中國，代表性企業(yè)有德國巴斯夫、德國漢高、美國霍尼韋爾、美國ATMI公司、美國空氣化工產(chǎn)品公...

能夠除去抗蝕劑。用本發(fā)明剝離液處理施加有抗蝕劑的基材的條件沒有特別限定，例如，可以舉出在設為10～80℃的本發(fā)明剝離液中浸漬基材1～60分鐘左右的條件、將設為10～80℃的本發(fā)明剝離液向基材噴霧1～60分鐘左右的條件。需要說明的是，浸漬時，可以搖動基材，或對本發(fā)明剝離液施加超聲波?？刮g劑的種類沒有特別限定，可以是例如干膜抗蝕劑、液體抗蝕劑等中的任一種。干膜抗蝕劑的種類也沒有特別限定，例如推薦堿可溶型的干膜抗蝕劑。作為這樣的堿可溶型的干膜抗蝕劑，例如，可以舉出rd-1225(sap用25μm厚)(日立化成株式會社制)等。施加抗蝕劑的基材沒有特別限定，例如，可以舉出印刷布線板、半導體基板、平板顯示...

本發(fā)明涉及剝離液技術領域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應用也越來越。在半導體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任何基材，才能再進行下道工序。因此，光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻，但對于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板)，傳統(tǒng)剝離液親水性不夠，水置換能力較差，容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案：...

本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術：光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料，是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、光阻等，其作用是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠廣泛應用于集成電路(ic)、封裝(packaging)、微機電系統(tǒng)(mems)、光電子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板顯示其(led、lcd、oled)和太陽能光伏(solarpv)等領域。在半導體制造領域，離子注入層光刻膠(參考圖2)在經(jīng)過高劑量或大分子量的...

添加劑中含有醇醚化合物、胺化合物、緩蝕劑以及潤濕劑；s3：將步驟s1的剝離液廢液與添加劑混合，重新制備剝離液新液，制備過程中加入酰胺化合物或醇醚化合物。光刻膠剝離液為純有機溶劑體系，廢液可通過蒸餾回收80-95％有效物，得出純化液體，而在上述制備方式中，純化液體所含的組分與添加劑所含的組分之間是具有相重復的，可以認為，添加劑是根據(jù)已知的剝離液新液的組分進行配制的，添加劑可以是對純化液體與剝離液新液之間的組分的差別而進行的添加、補充，使得純化液體和添加劑混合后，能夠具有與剝離液新液相同的組分。那么，可以知道，在預先知道剝離液新液的組分的基礎上，可以通過預先配制含有剝離液新液中的某些組分的添加劑，...

具體實施方式現(xiàn)有技術中剝離液廢液中含有光刻膠樹脂、水和某些金屬雜質(zhì)，而剝離液廢液的處理主要是通過焚燒或者低水平回收，其大量的使用但不能夠有效地回收，或者回收后需要通過大量的時間分析其含量以及花大量時間進行再生處理，影響了剝離液廢液的利用率。本發(fā)明對于已知的剝離液的含量以及比例有預先的了解，通過預先制定添加劑的方法，將添加劑以及某些原材料加入后重新制備剝離液新液。本發(fā)明中對于回收的剝離液廢液的進一步處理加工，是采用現(xiàn)有技術中加壓、蒸餾等方式，可以是采用階段性變壓精餾塔進行加壓、蒸餾處理。表1：已知的剝離液新液的組分：表二：添加劑的組分組分比例：純化液體的組分表四：制備剝離液新液在對純化液體進行加...

縮短了某些領域與發(fā)達國家技術上的差距.騰田化學技術團隊具有豐富分析及研發(fā)經(jīng)驗，徹底解決了化工領域如金屬表面處理劑、清洗劑、金屬加工液、橡膠、塑料、膠黏劑、涂料、水處理藥劑、紡織印染助劑等企業(yè)配方改進、新產(chǎn)品研發(fā)的切實問題；正是騰田化學質(zhì)量的口碑，贏得多個領域**企業(yè)關注，成功地建立精細化學品研發(fā)平臺；在騰田化學共同努力下，民營企業(yè)不斷技術創(chuàng)新，有利于化工行業(yè)的良好發(fā)展.騰田化學溫馨提示：當你有產(chǎn)品分析數(shù)據(jù)，但是無法后期生產(chǎn)的時候，可以聯(lián)系騰田化學科技（上海）有限公司。騰田化學的業(yè)務范圍：1.各類膠粘劑產(chǎn)品配方分析以及產(chǎn)品研發(fā)，為客戶提供產(chǎn)品配方及生產(chǎn)；2.涂料及油墨產(chǎn)品配方分析，為客戶提供產(chǎn)品...

本發(fā)明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術：：印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中，伴隨微細布線化而使用胺系的剝離液。然而，以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規(guī)制度的問題，而避免其使用。近年來，為了避免胺系的抗蝕劑的剝離液的問題點，還報道了一種含有氫氧化鈉和溶纖劑的剝離液(專利文獻1)，由于剝離時的抗蝕劑沒有微細地粉碎，因此存在近年的微細的布線間的抗蝕劑難以除去的問題點。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2002-323776號公報技術實現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的問題因此，本發(fā)明的課題在于，提供容易除去微細的布線間的抗...

需要說明的是，本發(fā)明剝離液中，推薦*由上述成分構成，但只要不阻礙本發(fā)明的效果，可以含有例如聚氧化烯烷基醚系、硅系的消泡劑等其它成分。以上說明的本發(fā)明剝離液可以通過將上述成分溶于水中來制備。需要說明的是，本發(fā)明剝離液的ph若為堿性則沒有特別限定，但通常**將上述成分溶于水就成為堿性，因此沒有特別必要調(diào)整ph。另外，本發(fā)明剝離液可以通過將上述成分分別分開預先溶于水，成為抗蝕劑的剝離液套件，將它們混合來制備。具體來說，可以舉出以包含含有鉀鹽的第1液和含有溶纖劑的第2液為特征的抗蝕劑的剝離液套件、其中還包含含有硅酸鹽的第3液的抗蝕劑的剝離液套件、進而在其中使上述其它成分適當含有于各液中的抗蝕劑的剝離液...

IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式：混合溶液產(chǎn)品名稱：ANS-908產(chǎn)品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-DIMETHYLACETAMIDE127-19-510~58Other12~45SurfactantThickener3.危險識別可燃性液體和蒸汽警示標識外觀：透明或微黃氣味：類氨對人類和環(huán)境的危害：對眼睛和皮膚有刺激性吸入：會引起呼吸道受刺激，肝臟、腎受傷害，對系統(tǒng)有影響攝?。簳鸷粑篮拖来碳らL期接觸：會引起皮膚傷害4.緊急處理吸入：移...

IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式：混合溶液產(chǎn)品名稱：ANS-908產(chǎn)品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-DIMETHYLACETAMIDE127-19-510~58Other12~45SurfactantThickener3.危險識別可燃性液體和蒸汽警示標識外觀：透明或微黃氣味：類氨對人類和環(huán)境的危害：對眼睛和皮膚有刺激性吸入：會引起呼吸道受刺激，肝臟、腎受傷害，對系統(tǒng)有影響攝?。簳鸷粑篮拖来碳らL期接觸：會引起皮膚傷害4.緊急處理吸入：移...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風：良好的通風措施，保持良好通風人員保護設備：橡膠手套、防護目鏡，避免接觸皮膚、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽壓；9.物理和化學性能物理測試：液體顏色：微黃氣味:類氨熔點:-24~-23℃沸點：165~204℃閃點:110℃蒸汽壓mmHg@20℃蒸...

從而可以在閥門開關60關閉后取下被阻塞的過濾器30進行清理并不會導致之后的下一級腔室102的剝離進程無法繼續(xù)。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級向玻璃基板分別提供剝離液；與多個腔室10分別對應連接的多個存儲箱20，各級腔室10分別通過管道與相應的存儲箱20連接，存儲箱20用于收集和存儲來自當前級腔室101的經(jīng)歷剝離制程的剝離液；過濾器30用于過濾來自當前級腔室101的存儲箱20的剝離液，并且過濾器30還可以通過管道與下一級腔室102連接，從而過濾器30可以將過濾后的剝離液輸送給下一級腔室102。各腔室10設計為適合進行剝離制程，用于向制程中的玻璃基板供給剝離液，具體結構...

本發(fā)明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術：：印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中，伴隨微細布線化而使用胺系的剝離液。然而，以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規(guī)制度的問題，而避免其使用。近年來，為了避免胺系的抗蝕劑的剝離液的問題點，還報道了一種含有氫氧化鈉和溶纖劑的剝離液(專利文獻1)，由于剝離時的抗蝕劑沒有微細地粉碎，因此存在近年的微細的布線間的抗蝕劑難以除去的問題點。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2002-323776號公報技術實現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的問題因此，本發(fā)明的課題在于，提供容易除去微細的布線間的抗...

本發(fā)明下述示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的具體實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性具體實施例的技術方案充分傳達給本領域技術人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法主要實施例，用于半導體制造工藝中，可應用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導體襯底上淀積介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入：s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離；s5，對襯底表面進行清洗。本發(fā)明刻膠剝離...

所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過皮帶連接，所述收卷驅動電機與所述膠面收卷輥通過導線連接。進一步的，所述電加熱箱與所述干燥度感應器通過導線連接，所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過導線連接。進一步的，所述主支撐架由合金鋼壓制而成，厚度為5mm。進一步的，所述干燥度感應器與所述電氣控制箱通過導線連接。進一步的，所述防濺射擋板共有兩塊，傾斜角度為45°。進一步的，所述電氣控制箱與所述表面印刷結構通過導線連接，所述電氣控制箱與所述膠面剝離結構通過導線連接。本技術的有益效果在于：采用黏合方式對印刷品膠面印刷進行剝離，同時能夠對印刷品膠面進行回收，節(jié)約了大量材料，降低了生產(chǎn)成本。平板顯示用剝離液哪里可以買到...

光刻作為IC制造的關鍵一環(huán)常常被人重視，但是光刻膠都是作為層被去掉的，如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個經(jīng)常被疏忽的問題，但是很重要，直接影響了產(chǎn)品質(zhì)量。如何快速有效的去除光刻膠。筆者**近就碰到一些去膠的問題，比如正膠和負膠去除需要的工藝有差別。去膠工藝還和光刻膠受過什么樣的工藝處理有關，比如ICPRIE之后的光刻膠、還有濕法腐蝕后的光刻膠。市面上針對光刻膠去除的特殊配方的去膠液有很多種，但需要根據(jù)自身產(chǎn)品特性加以選擇。在做砷化鎵去除光阻的案例，砷化鎵是一種化合物半導體材料，分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結構，即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構而成的復式晶格，其晶格常數(shù)是。...

以往的光刻膠剝離液對金屬的腐蝕較大，可能進入疊層內(nèi)部造成線路減薄，藥液殘留，影響產(chǎn)品的質(zhì)量。因此有必要開發(fā)一種不會對疊層晶圓產(chǎn)生過腐蝕的光刻膠剝離液。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，既具有較高的光刻膠剝離效率，又不會對晶圓內(nèi)層有很大的腐蝕。本發(fā)明通過如下技術方案實現(xiàn)上述目的：一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，配方包括10～20wt％二甲基亞砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氫氧化銨，～1wt％硫脲類緩蝕劑和～2wt％聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。具體的。維信諾用的哪家的剝離液？揚州ITO蝕刻液...

參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會被增強呈現(xiàn)，傳遞到柵極成型工序時會對柵極圖形產(chǎn)生嚴重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產(chǎn)品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿透襯底表面上的氧化層到達襯底硅區(qū)，直接與硅反應產(chǎn)生二氧化硅，增加了硅損失，會影響器件閾值電壓及漏電流，也會影響產(chǎn)品良率。技術實現(xiàn)要素：在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念,該簡化形式的概念均為本領域現(xiàn)有技術簡化，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更...

光刻膠又稱光致抗蝕劑，主要由感光樹脂、增感劑和溶劑三種成分組成。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)曝光、顯影、刻蝕、擴散、離子注入、金屬沉積等工藝將所需的微細圖形從掩模版轉移至加工的基板上、***通過去膠剝離液將未曝光部分余下的光刻膠清洗掉，從而完成整個圖形轉移過程。在液晶面板和amoled生產(chǎn)中***使用。現(xiàn)有的剝離液主要有兩種，分別是水性剝離液和有機剝離液，由于有機剝離液只能用于具有mo/al/mo結構的制程中，無法用于ito/ag/ito；且乙醇胺的含量高達60％以上，有很強的腐蝕性，因此，常用的剝離液是水性剝...

含有的胺化合物的質(zhì)量分為：1％-2％。進一步技術方案中，所述的添加劑中含有醇醚化合物的質(zhì)量分為：30％-50％；含有胺化合物的質(zhì)量分為：35％-55％；含有緩蝕劑的質(zhì)量分為：6％-12％；含有潤濕劑的質(zhì)量分為：1％-7％。進一步技術方案中，所述的步驟s1中剝離液廢液所含的酰胺化合物以及步驟s2中添加劑所含的酰胺化合物均為n-甲基甲酰胺(nmf)、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的一種或者多種。進一步技術方案中，所述的步驟s1中剝離液廢液所含的醇醚化合物以及步驟s2中添加劑所含的醇醚化合物均為二乙二醇丁醚(bdg)、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的一種或多種。進一步技術方案中，所述...

本發(fā)明涉及剝離液技術領域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應用也越來越。在半導體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任何基材，才能再進行下道工序。因此，光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻，但對于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板)，傳統(tǒng)剝離液親水性不夠，水置換能力較差，容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案：...

隨著國內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，光刻膠剝離液等電子化學品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè)，風靡全球的智能手持設備、移動終端等簡直成為了光電行業(yè)的風向標：與之相關的光電領域得到了飛速的發(fā)展，鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示面板、觸摸屏幕、傳感器件等等。而光電行業(yè)的其他領域，雖然也有增長，但是遠不及與智能手持設備相關的光電領域。工業(yè)上所使用的剝離液主要是有機胺和極性有機溶劑的組合物，通過溶脹和溶解方式剝離除去光刻膠。上述有機胺可包括單乙醇胺(MEA)，二甲基乙酰胺(DMAC)，N-甲基甲酰胺(NMF)，N-甲基ニ乙醇胺(MDEA)等。上述極性有機溶劑可包括二乙二醇甲醚(...

濕電子化學品位于電子信息產(chǎn)業(yè)偏中上游的材料領域。濕電子化學品上游是基礎化工產(chǎn)品，下游是電子信息產(chǎn)業(yè)（信息通訊、消費電子、家用電器、汽車電子、LED、平板顯示、太陽能電池、**等領域）。濕電子化學品的生產(chǎn)工藝主要采用物理的提純技術及混配技術，將工業(yè)級的化工原料提純?yōu)槌瑑舾呒兓瘜W試劑，并按照特定的配方混配為具有特定功能性的化學試劑。濕電子化學品行業(yè)是精細化工和電子信息行業(yè)交叉的領域，其行業(yè)特色充分融入了兩大行業(yè)的自身特點，具有品種多、質(zhì)量要求高、對環(huán)境潔凈度要求苛刻、產(chǎn)品更新?lián)Q代快、產(chǎn)品附加值高、資金投入量大等特點，是化工領域相當有發(fā)展前景的領域之一。哪家公司的剝離液的是口碑推薦？嘉興天馬用的蝕刻...

光刻膠殘留大，殘留分布不均勻，并且產(chǎn)生邊緣聚集殘留。為了能夠進一步地表示配方一和配方二之間的光刻膠殘留量對比，圖2中將多張單張檢測圖進行疊加，可以更加清楚地看出兩者之間的區(qū)別，能夠明顯地看出使用配方一的剝離液，高世代面板邊緣光刻膠殘留量大。下面列舉更多剝離液組分實施例。表三：不同組分的剝離液表四：測試剝離性能時間30s50s70s90s1okokokok2okokokok3okokokok4okokokok5okokokok6okokokok7okokokok8okokokok9okokokok表三為9組不同組分的所制成的剝離液，9組不同組分的剝離液都進行剝離性能測試，在50℃下分別放入切好的...

所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種。技術方案中，所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種。技術方案中，所述的緩蝕劑為三唑類物質(zhì)。的技術方案中，所述的緩蝕劑為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。技術方案中，所述的潤濕劑含有羥基。技術方案中，所述的潤濕劑為聚乙二醇、甘油中的任意一種。經(jīng)由上述的技術方案可知，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明中加入環(huán)胺與鏈胺，能夠滲透、斷開光刻膠分子間弱結合力，能夠快速、有效地溶解光刻膠，而配方中加入潤濕劑，能夠有效地減少接觸角，增強親水性，使得剝離液親水性...

所述硫脲類緩蝕劑包括硫脲、苯基硫脲或月桂?；螂逯械囊环N。具體的，所述聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑為聚氧乙烯聚氧丙烯單丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一種。采用上述技術方案，本發(fā)明技術方案的有益效果是：本用于疊層晶圓的光刻膠剝離液具有較快的剝離速度，對金屬的腐蝕率低，而且使用壽命長。具體實施方式本發(fā)明涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，配方包括10～20wt％二甲基亞砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氫氧化銨，～1wt％硫脲類緩蝕劑和～2wt％聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。...