EUV光刻系統(tǒng)的發(fā)展歷經應用基礎研究至量產四個階段，其突破得益于多元主體協(xié)同創(chuàng)新和全產業(yè)鏈資源整合 [3]。截至2024年12月，EUV技術已應用于2nm芯片量產，但仍需優(yōu)化光源和光刻膠性能。下一代技術如納米壓印和定向自組裝正在研發(fā)中 [6]。**光刻系統(tǒng)主要...

電子束光刻基本上分兩大類，一類是大生產光掩模版制造的電子束曝光系統(tǒng)，另一類是直接在基片上直寫納米級圖形的電子束光刻系統(tǒng)。電子束光刻技術起源于掃描電鏡，**早由德意志聯(lián)邦共和國杜平根大學的G．Mollenstedt等人在20世紀60年代提出。電子束曝光的波長取決...

EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高的光刻分辨率。換個角度講，使用193i與EUV光刻機曝同一個...

38、卸料螺釘卸料螺釘是固定在彈壓卸料板上的螺釘，用于限制彈壓卸料板的靜止位置。39、單工序模單工序模是在壓力機一次行程中只完成一道工序的沖模。40、廢料切刀廢料切刀有兩種。1．裝于拉深件凸緣切邊模上用于割斷整圈切邊廢料以利***的切刀。2．裝于壓力機或模具上...

CS型鏡頭With a 5 mm adapter ring, a C lens can be used on a CS-mount camera.U型鏡頭一種可變焦距的鏡頭，其法蘭焦距為47.526mm或1.7913in，安裝羅紋為M42×1。主要設計作35m...

集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發(fā)展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數(shù)量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學技術發(fā)展到應用電子束、...

22、壓料檻壓料檻是斷面呈矩形的壓料筋特稱。參閱“壓料筋”。23、承料板承料板是用于接長凹模上平面，承托沖壓材料的板狀零件。24、連續(xù)模連續(xù)模是具有兩個或更多工位的沖模，材料隨壓力機行程逐次送進一工位，從而使沖件逐步成形。25、側刃側刃是在條（帶、卷）料側面切...

自動精密沖床是一種用于金屬沖壓成型的工業(yè)設備，主要應用于汽車、電子、五金制造等領域，可適配自動化送料系統(tǒng)實現(xiàn)高效生產。其機身采用鋼板焊接結構并經過熱處理，具有高剛性和穩(wěn)定性。設備**部件包含曲軸、齒輪軸等硬化研磨組件，結合重心平衡設計保障沖壓精度。配置雙聯(lián)電磁...

廣角鏡頭又分為普通廣角鏡頭和超廣角鏡頭兩種。135照相機普通廣角鏡頭的焦距一般為38－24毫米，視角為60－84度；超廣角鏡頭的焦距為20－13毫米，視角為94-118度。由于廣角鏡頭的焦距短，視角大，在較短的拍攝距離范圍內，能拍攝到較大面積的景物。所以，**...

42、始用擋料銷（板）始用擋料銷（板）是供材料起始端部送進時定位用的零件。始用擋料銷（板）都是移動式的。43、拼塊塊是組成一個完整凹模、凸模、卸料板或固定板等的各個拼合零件。44、擋塊（板）擋塊（板）是供經側刃切出缺口的材料送進時定位用的淬硬零件，兼用以平衡側...

對準對準方法：a、預對準，通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準；b、通過對準標志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經存在的圖形之間的對準。曝光曝光中**...

25.模墊拆卸分解及清潔檢查各磨耗面與重新涂抹潤滑脂后組裝試車.1、沖床工必須經過學習，掌握沖床的結構、性能，熟悉操作規(guī)程并取得操作許可方可**操作。2、正確使用沖床上安全保護和控制裝置，不得任意拆動。3、檢查沖床各傳動、連接、潤滑等部位及防護保險裝置是否正常...

e、光刻膠厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻膠厚度測量；f、光刻缺陷控片（PDM，Photo Defect Monitor）：光刻膠缺陷監(jiān)控。舉例：0.18μm的CMOS掃描步進光刻工藝。光源：KrF氟化氪DUV光源（248nm...

德瑞克·約翰·德索拉·普萊斯提出該裝置可能是公開展示，地點或許是羅德島上的博物館或公共會堂。羅德島在當時是以機械工程聞名，尤其是羅德島人擅長的自動機械。古希臘九大抒情詩人中的品達在他的第七首奧林匹克頌中提及：The animated figures stand...

CS型鏡頭With a 5 mm adapter ring, a C lens can be used on a CS-mount camera.U型鏡頭一種可變焦距的鏡頭，其法蘭焦距為47.526mm或1.7913in，安裝羅紋為M42×1。主要設計作35m...

28、頂板頂板是在凹?；蚰K內活動的板狀零件，以向上動作直接或間接頂出工（序）件或廢料。29、齒圈齒圈是精沖凹?；驇X壓料板上的成圈齒形突起，是凹模或帶齒壓料板的局部結構而不是單獨的零件。30、限位套限位套是用于限制沖模**小閉合高度的管狀零件，一般套于導柱外...

38、卸料螺釘卸料螺釘是固定在彈壓卸料板上的螺釘，用于限制彈壓卸料板的靜止位置。39、單工序模單工序模是在壓力機一次行程中只完成一道工序的沖模。40、廢料切刀廢料切刀有兩種。1．裝于拉深件凸緣切邊模上用于割斷整圈切邊廢料以利***的切刀。2．裝于壓力機或模具上...

25.模墊拆卸分解及清潔檢查各磨耗面與重新涂抹潤滑脂后組裝試車.1、沖床工必須經過學習，掌握沖床的結構、性能，熟悉操作規(guī)程并取得操作許可方可**操作。2、正確使用沖床上安全保護和控制裝置，不得任意拆動。3、檢查沖床各傳動、連接、潤滑等部位及防護保險裝置是否正常...

2、廣角鏡頭使用遮光罩或濾色鏡時，很容易遮擋鏡頭視角的周圍，使像場發(fā)暗，而這一情況，在取景時不容易察覺，但在照片上卻很明顯。因此，運用附件時， 一定要從說明書上了解清楚它們的使用范圍。如果說明書中沒有說明，拍攝時就要加倍小心。3、電子閃光燈閃光涵蓋角一般與13...

前方的轉盤可能至少有三個指針，***個指針指示日期，另外兩個則分別指示太陽和月球位置。月球的指針已被調整過**月球軌道的變化，因此相信太陽的指針也有過類似的調整，但相關機制的齒輪（如有）已經不存。前方轉盤的第二個功能則是有一個月球的球形，做為月相指示。該機械上...

主要技術指標：○精密壓力表測量范圍、精確度等級○型號、彈簧管材料、測量范圍MPa、精確度等級、結構特點○精密壓力表使用環(huán)境條件：5～40℃，相對濕度不大于80%，且環(huán)境震動和壓力源的波動對儀表的精確讀數(shù)無影響?！鹁軌毫Ρ頊囟扔绊懀菏褂铆h(huán)境溫度如偏離20±3℃...

● 儀表盤面為MPa刻度值直接讀取● 精度等級0.25% 0.4%● 雙層鏡面表盤● 設有度盤調零裝置● 鐵噴塑表殼● 銅合金內機部件● 測量范圍-0.1至60MPa 外型尺寸示意圖精密壓力表的測量范圍分類：1.微壓表（指儀表測量上限值小于0.1MPa的儀表）...

2005年，X射線檢測提供了關鍵的線索——殘片內部隱藏了數(shù)千個一直都未曾被閱讀的字符。雷姆在1905年到1906年間的研究筆記表示，前板載有可知太陽和行星位置的同心環(huán)形天象演示系統(tǒng)。裝置配有前、后兩蓋以保護顯示系統(tǒng)，并刻有大量銘文。2005年的掃描結果顯示，后...

光刻技術是現(xiàn)代集成電路設計上一個比較大的瓶頸?，F(xiàn)cpu使用的45nm、32nm工藝都是由193nm液浸式光刻系統(tǒng)來實現(xiàn)的，但是因受到波長的影響還在這個技術上有所突破是十分困難的，但是如采用EUV光刻技術就會很好的解決此問題，很可能會使該領域帶來一次飛躍。但是涉...

01:50光刻機為什么難造？看看他的黑科技！提高光刻技術分辨率的傳統(tǒng)方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。早在80年代，極紫外光刻技術就已經開始理論的研究和初步的實 驗，該技術 的光源是波 長 為11～14...

由于193nm沉浸式工藝的延伸性非常強，同時EUV技術耗資巨大進展緩慢。EUV（極紫外線光刻技術）是下一代光刻技術（<32nm節(jié)點的光刻技術）。它是采用波長為13.4nm的軟x射線進行光刻的技術。EUV光刻的基本設備方面仍需開展大量開發(fā)工作以達到適于量產的成熟...

德瑞克·約翰·德索拉·普萊斯經過前人數(shù)十年為了了解該裝置的研究后，1951年英國科學歷史學家德瑞克·約翰·德索拉·普萊斯對該機械進行了系統(tǒng)性研究。普萊斯以標題“時鐘以前的發(fā)條裝置”（Clockwork before the Clock）和“發(fā)條裝置的由來”（O...

EUV光刻技術的發(fā)展能否趕得上集成電路制造技術的要求？這仍然是一個問題。當然，EUV光刻技術的進步也是巨大的。截止2016年，用于研發(fā)和小批量試產的EUV光刻機，已經被安裝在晶圓廠，并投入使用 [1]。EUV光刻所能提供的高分辨率已經被實驗所證實。光刻機供應商...

顯影中的常見問題：a、顯影不完全（Incomplete Development）。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成；b、顯影不夠（Under Development）。顯影的側壁不垂直，由顯影時間不足造成；c、過度顯影（Over Development）?？?..

浸沒式光刻技術所面臨的挑戰(zhàn)主要有：如何解決曝光中產生的氣泡和污染等缺陷的問題；研發(fā)和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻膠的問題；研發(fā)折射率較大的光學鏡頭材料和浸沒液體材料；以 及 有 效 數(shù) 值 孔 徑NA值 的 拓 展 等 問題。針 對 這 些 難 ...