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  • 800B4R3BT500X
    800B4R3BT500X

    在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異,即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時(shí)極大節(jié)省了PCB空間,為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點(diǎn)及高密度系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車規(guī)標(biāo)準(zhǔn),可承受1000小時(shí)以上高溫高濕偏壓測(cè)試及1000次溫度循環(huán)試驗(yàn),完全滿足汽車電子對(duì)元器件的嚴(yán)苛可靠性要求,廣泛應(yīng)用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統(tǒng)。在脈沖應(yīng)用場景中,ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯(lián)電阻,可...

    2025-11-12
  • 118CEC2R7M100TT
    118CEC2R7M100TT

    ATC芯片電容采用的鈦酸鍶鋇(BST)陶瓷配方,通過納米級(jí)晶界工程實(shí)現(xiàn)了介電常數(shù)的溫度補(bǔ)償特性。在40GHz毫米波頻段下仍能保持±2%容值偏差,這一指標(biāo)達(dá)到國際電信聯(lián)盟(ITU)對(duì)6G候選頻段的元件要求。例如在衛(wèi)控陣?yán)走_(dá)中,其群延遲波動(dòng)小于0.1ps(相當(dāng)于信號(hào)傳輸路徑差0.03mm),相較普通MLCC的5%容差優(yōu)勢(shì)明顯。NASA的LEO環(huán)境測(cè)試數(shù)據(jù)顯示,在-65℃至+125℃的極端溫度循環(huán)中,其介電損耗角正切值(tanδ)始終維持在0.0001以下,這一特性使其成為深空探測(cè)器電源管理模塊的優(yōu)先元件。日本Murata的對(duì)比實(shí)驗(yàn)表明,在28GHz5G基站場景下,ATC電容的諧波失真比傳統(tǒng)元件降低...

    2025-11-12
  • 116XHC150J100TT
    116XHC150J100TT

    在汽車電子領(lǐng)域,ATC芯片符合AEC-Q200Rev-D標(biāo)準(zhǔn),能夠承受汽車環(huán)境的嚴(yán)苛要求,如高溫、高濕和振動(dòng)。其應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)ECU電源濾波、車載信息娛樂系統(tǒng)和ADAS等領(lǐng)域,提供了高可靠性和長壽命。ATC芯片電容的抗老化特性優(yōu)異,其容值隨時(shí)間變化極?。ㄈ缑渴r(shí)老化率低于3%),確保了長期使用中的性能穩(wěn)定性。這一特性在需要長壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中尤為重要。其低電介質(zhì)吸收特性(典型值2%)使得ATC芯片電容在采樣保持電路和精密測(cè)量設(shè)備中表現(xiàn)很好,避免了因電介質(zhì)吸收導(dǎo)致的測(cè)量誤差或信號(hào)失真。超小尺寸封裝(如0402/0201)滿足高密度集成需求,同時(shí)保持高頻性能。116XHC15...

    2025-11-12
  • 100B911MT50XT
    100B911MT50XT

    醫(yī)療電子,特別是植入式醫(yī)療設(shè)備(如起搏器、神經(jīng)刺激器),對(duì)元件的可靠性和生物兼容性要求極高。ATC芯片電容的陶瓷氣密封裝本身具有極高的惰性,不會(huì)與體液發(fā)生反應(yīng)。其很好的長期穩(wěn)定性和可靠性,確保了這些“生命攸關(guān)”的設(shè)備在人體內(nèi)能夠持續(xù)、穩(wěn)定地工作數(shù)十年,無需因元件失效而進(jìn)行高風(fēng)險(xiǎn)的手術(shù)更換。寬廣的容值范圍(從0.1pF的微小值到數(shù)微法拉的較大值)使ATC電容能夠覆蓋從射頻、微波到電源管理的幾乎所有電路應(yīng)用。設(shè)計(jì)師可以在同一個(gè)平臺(tái)上,為系統(tǒng)中的高頻信號(hào)處理和低頻電源濾波選擇同品牌、同品質(zhì)的電容,這簡化了供應(yīng)鏈管理,并保證了系統(tǒng)整體性能的協(xié)調(diào)一致。損耗角正切值低至0.1%,特別適合高Q值諧振電路和濾...

    2025-11-12
  • 100E471KW2500X
    100E471KW2500X

    在抗老化性能方面,ATC電容的容值隨時(shí)間變化率極低,十年老化率可控制在1%以內(nèi)。這一長壽命特性使其非常適用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、醫(yī)療成像設(shè)備等要求高可靠性和長期穩(wěn)定性的領(lǐng)域。其極低的噪聲特性源于介質(zhì)材料的均勻結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的電極界面設(shè)計(jì),在低噪聲放大器、高精度ADC/DAC參考電路及傳感器信號(hào)調(diào)理電路中表現(xiàn)出色,有助于提高系統(tǒng)的信噪比和測(cè)量精度。具備優(yōu)異的抗硫化性能,采用特殊端電極材料和保護(hù)涂層,可有效抵御含硫環(huán)境對(duì)電容的侵蝕。這一特性使ATC電容特別適用于化工控制設(shè)備、油氣勘探儀器及某些特殊工業(yè)環(huán)境中的電子系統(tǒng)。在阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中提供精確的容值控制,優(yōu)化功率傳輸。100E471KW2500X其材料系統(tǒng)和...

    2025-11-12
  • 116XF221J100TT
    116XF221J100TT

    在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,ATC芯片電容的小尺寸和低功耗特性促進(jìn)了設(shè)備微型化和能效優(yōu)化,支持了物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展。其高頻率穩(wěn)定性(可達(dá)GHz級(jí)別)使得ATC芯片電容在5G/6G通信和毫米波電路中成為關(guān)鍵元件,確保了高頻信號(hào)的完整性。ATC芯片電容的低成本效益(通過高可靠性和長壽命降低總擁有成本)使其在工業(yè)大批量應(yīng)用中具有經(jīng)濟(jì)性,受到了寬泛歡迎。在高性能計(jì)算(HPC)中,ATC芯片電容的電源去耦特性確保了CPU/GPU的穩(wěn)定供電,提高了計(jì)算效率和可靠性。為AI芯片提供高效去耦,保障計(jì)算重點(diǎn)穩(wěn)定運(yùn)行。116XF221J100TT部分高溫系列產(chǎn)品采用特殊陶瓷配方,可在200°C以上環(huán)境中長期工作,適用于地?zé)峥碧?..

    2025-11-12
  • 800C510JT3600X
    800C510JT3600X

    完全無壓電效應(yīng)(Microphonics)是ATC電容區(qū)別于許多II類陶瓷電容(如X7R)的明顯優(yōu)點(diǎn)。其采用的C0G等I類介質(zhì)是順電性的,不會(huì)在交流電壓作用下發(fā)生形變,從而徹底避免了因振動(dòng)或電壓變化而產(chǎn)生的可聽噪聲(嘯叫)和微觀機(jī)械噪聲。在高保真音頻設(shè)備、敏感傳感器前置放大器和振動(dòng)環(huán)境中工作的電子設(shè)備里,ATC電容確保了信號(hào)的純凈度,消除了由電容自身引入的干擾。在光通信模塊(如400G/800G光收發(fā)器)中,ATC芯片電容是保障高速信號(hào)完整性的幕后英雄。其很低的ESL和ESR能夠在數(shù)十Gbps的高速SerDes和DSP電源引腳處,提供極其高效的寬帶去耦,抑制電源噪聲對(duì)高速信號(hào)的干擾。同時(shí),其在...

    2025-11-12
  • 600S1R6DT250XT
    600S1R6DT250XT

    完全無壓電效應(yīng)(Microphonics)是ATC電容區(qū)別于許多II類陶瓷電容(如X7R)的明顯優(yōu)點(diǎn)。其采用的C0G等I類介質(zhì)是順電性的,不會(huì)在交流電壓作用下發(fā)生形變,從而徹底避免了因振動(dòng)或電壓變化而產(chǎn)生的可聽噪聲(嘯叫)和微觀機(jī)械噪聲。在高保真音頻設(shè)備、敏感傳感器前置放大器和振動(dòng)環(huán)境中工作的電子設(shè)備里,ATC電容確保了信號(hào)的純凈度,消除了由電容自身引入的干擾。在光通信模塊(如400G/800G光收發(fā)器)中,ATC芯片電容是保障高速信號(hào)完整性的幕后英雄。其很低的ESL和ESR能夠在數(shù)十Gbps的高速SerDes和DSP電源引腳處,提供極其高效的寬帶去耦,抑制電源噪聲對(duì)高速信號(hào)的干擾。同時(shí),其在...

    2025-11-12
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