Tag標(biāo)簽
  • 111ZBB7R5K100TT
    111ZBB7R5K100TT

    在射頻和微波系統(tǒng)中,超寬帶電容的應(yīng)用至關(guān)重要且多樣。它們用于RF模塊的電源退耦,防止功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)、混頻器和頻率合成器的噪聲通過電源線相互串?dāng)_,確保信號純凈度和系統(tǒng)靈敏度。它們也作為隔直電容(DC Block),在傳輸線中阻斷直流分量同時(shí)允許射頻信號無損通過,要求極低的插入損耗和優(yōu)異的回波損耗(即良好的阻抗匹配)。此外,在阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)、濾波器、巴倫(Balun)等無源電路中,高Q值、高穩(wěn)定性的COG電容是確保電路性能(如帶寬、中心頻率、插損)精確無誤的關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于5G基站、微波中繼、衛(wèi)星通信等設(shè)備中。工作溫度范圍寬廣,能滿足工業(yè)及汽車電子的需求。111ZBB...

    2025-10-06
  • 116UDA6R8M100TT
    116UDA6R8M100TT

    未來,超寬帶電容技術(shù)將繼續(xù)向更高頻率、更低損耗、更高集成度和更優(yōu)可靠性發(fā)展。新材料如低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)允許將多個(gè)電容、電感、電阻甚至傳輸線共同集成在一個(gè)三維陶瓷模塊中,形成復(fù)雜的無源網(wǎng)絡(luò)或功能模塊(如濾波器、巴倫)。LTCC可以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線路、更優(yōu)的高頻性能和更好的熱穩(wěn)定性,非常適合系統(tǒng)級封裝(SiP)和毫米波應(yīng)用。此外,對新型介電材料的探索(如具有更高介電常數(shù)且更穩(wěn)定的材料)也在持續(xù)進(jìn)行,以期在未來實(shí)現(xiàn)更高容值密度和更寬工作頻段。其主要價(jià)值在于有效抑制從低頻到高頻的電源噪聲。116UDA6R8M100TT即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不合理的PCB布局和安裝也會引入巨大的安裝...

    2025-10-06
  • 118JDB110K100TT
    118JDB110K100TT

    設(shè)計(jì)完成后,必須對實(shí)際的PCB進(jìn)行測量驗(yàn)證。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)是測量電容器及其網(wǎng)絡(luò)阻抗特性的關(guān)鍵工具。通過單端口測量,可以獲取電容器的S11參數(shù),并將其轉(zhuǎn)換為阻抗隨頻率變化的曲線(Zvs.f),從而直觀地看到其自諧振頻率、小阻抗點(diǎn)以及在高頻下的表現(xiàn)。對于在板PDN阻抗的測量,則通常使用雙端口方法。這些實(shí)測數(shù)據(jù)用于與仿真結(jié)果進(jìn)行對比,驗(yàn)證設(shè)計(jì)的正確性,并診斷任何由制造或安裝引入的異常。而已普及到高級消費(fèi)電子產(chǎn)品中。高級智能手機(jī)的5G/4G射頻前端模塊(FEM)、應(yīng)用處理器(AP)和內(nèi)存的電源管理,都極度依賴大量的超小型超寬帶MLCC。手機(jī)的有限空間和極高的工作頻率,要求電容必須兼具微小尺寸...

    2025-10-06
  • 111UF680M100TT
    111UF680M100TT

    超寬帶電容的性能會受到環(huán)境溫度和外加直流電壓的影響。Class II類介質(zhì)(如X7R)的電容值會隨溫度升高而下降,且施加直流偏壓時(shí),其有效容值也會明顯減?。ń殡姵?shù)變化導(dǎo)致)。這對于需要精確容值的電路(如定時(shí)、振蕩)和在高直流偏壓下工作的退耦電容(如CPU內(nèi)核電源退耦)是嚴(yán)重問題。設(shè)計(jì)師必須參考制造商提供的直流偏壓和溫度特性曲線來選擇合適的電容,否則實(shí)際電路可能因容值不足而性能不達(dá)標(biāo)。對于要求極高的應(yīng)用,必須選擇溫度性和直流偏壓特性極其穩(wěn)定的Class I類(COG/NPO)電容。超寬帶電容指在極寬頻率范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定的電容器。111UF680M100TT即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不...

    2025-10-06
  • 116RHC1R7D100TT
    116RHC1R7D100TT

    航空航天與電子系統(tǒng)對超寬帶電容提出了極端可靠性和苛刻環(huán)境適應(yīng)性的要求。這些系統(tǒng)工作環(huán)境惡劣,包括巨大的溫度變化(-55℃至+125℃甚至更寬)、度振動、沖擊以及宇宙射線輻射。電容器必須采用高可靠性設(shè)計(jì)、特種介質(zhì)材料和堅(jiān)固封裝,確保性能在壽命期內(nèi)絕不漂移或失效。同時(shí),許多應(yīng)用(如電子戰(zhàn)(EW)、雷達(dá)、衛(wèi)星通信)需要處理極寬頻帶的信號,要求電容具備從基帶到毫米波的超寬帶性能。此類電容通常需遵循MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等標(biāo)準(zhǔn), undergo rigorous screening and qualification tests.自諧振頻率(SRF)越高,電容器有效工作頻率上...

    2025-10-06
  • 118JK821M100TT
    118JK821M100TT

    封裝小型化是提升高頻性能的必然趨勢。更小的物理尺寸(如01005, 0201, 0402封裝)意味著更短的內(nèi)部電流路徑和更小的電流回路面積,從而天然具有更低的ESL。這使得小封裝電容的自諧振頻率(SRF)可以輕松達(dá)到GHz以上,非常適合用于芯片周邊的超高頻退耦。然而,小型化也帶來了挑戰(zhàn):更小的尺寸對制造精度、材料均勻性和貼裝工藝提出了更高要求;同時(shí),容值通常較小。因此,在PCB設(shè)計(jì)中,通常采用“大小搭配”的策略,將超小封裝的電容盡可能靠近芯片的電源引腳放置,以應(yīng)對比較高頻的噪聲,而稍大封裝的電容則負(fù)責(zé)稍低的頻段。構(gòu)建退耦網(wǎng)絡(luò)時(shí),需并聯(lián)不同容值電容以覆蓋全頻段。118JK821M100TT多層陶...

    2025-10-05
  • 116UDB5R6M100TT
    116UDB5R6M100TT

    超寬帶電容并非指單一類型的電容器,而是一種設(shè)計(jì)理念和技術(shù)追求,旨在讓單個(gè)電容器或電容網(wǎng)絡(luò)在極其寬廣的頻率范圍內(nèi)(通常從幾Hz或幾十Hz的低頻一直覆蓋到數(shù)GHz甚至數(shù)十GHz的高頻)保持穩(wěn)定、一致且優(yōu)異的性能。其重心價(jià)值在于解決現(xiàn)代復(fù)雜電子系統(tǒng),尤其是高頻和高速系統(tǒng)中,傳統(tǒng)電容器因寄生參數(shù)(如ESL-等效串聯(lián)電感和ESR-等效串聯(lián)電阻)影響而導(dǎo)致的頻域性能急劇退化問題。它通過創(chuàng)新的材料學(xué)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和封裝技術(shù),比較大限度地壓制寄生效應(yīng),確保從直流到微波頻段的低阻抗特性,為高速集成電路、射頻模塊和微波設(shè)備提供跨越多個(gè)數(shù)量級頻段的純凈能量供應(yīng)和高效噪聲抑制。超寬帶電容指在極寬頻率范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定的電...

    2025-10-05
  • 111TEC200K100TT
    111TEC200K100TT

    高性能的測試與測量設(shè)備(如高級示波器、頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀)本身就是對信號保真度要求比較高的電子系統(tǒng)。它們的模擬前端、采樣電路、時(shí)鐘系統(tǒng)和數(shù)據(jù)處理單元必須具有極低的噪聲和失真。超寬帶電容在這些設(shè)備中無處不在,用于穩(wěn)定電源、過濾噪聲、耦合信號以及構(gòu)建內(nèi)部高頻電路。它們的性能直接影響到設(shè)備的基線噪聲、動態(tài)范圍、測量精度和帶寬指標(biāo)??梢哉f,沒有高性能的超寬帶電容,就無法制造出能夠精確測量GHz信號的前列測試設(shè)備。失效模式包括機(jī)械裂紋、電極遷移和性能退化等。111TEC200K100TT現(xiàn)代汽車電子,特別是自動駕駛系統(tǒng)和ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng)),高度依賴各種傳感器(攝像頭、激光雷達(dá)、毫米波雷達(dá))...

    2025-10-05
  • 116SHC3R0M100TT
    116SHC3R0M100TT

    與傳統(tǒng)電解電容(鋁電解、鉭電解)相比,超寬帶MLCC電容具有壓倒性的高頻優(yōu)勢。電解電容的ESL和ESR通常很高,其有效工作頻率很少能超過幾百kHz到1MHz,主要用于低頻濾波和大容量儲能。而超寬帶MLCC的ESL和ESR極低,工作頻率可達(dá)GHz級別。此外,MLCC沒有極性,更安全(無鉭電容的燃爆風(fēng)險(xiǎn)),壽命更長(無電解液干涸問題),溫度范圍更寬。當(dāng)然,電解電容在單位體積容量和成本上仍有優(yōu)勢,因此在實(shí)際系統(tǒng)中,它們常與超寬帶MLCC搭配使用,分別負(fù)責(zé)低頻和高頻部分。先進(jìn)的薄膜工藝可制造出性能很好的超寬帶電容。116SHC3R0M100TT寄生參數(shù)是理解電容器頻率響應(yīng)的關(guān)鍵。一個(gè)非理想電容器的簡化...

    2025-10-05
  • 111YK911M100TT
    111YK911M100TT

    超寬帶電容,盡管多是固態(tài)的MLCC,仍需經(jīng)過嚴(yán)格的可靠性測試以確保其長期穩(wěn)定性。關(guān)鍵測試包括:高溫高濕負(fù)荷測試(HAST)、溫度循環(huán)測試(TCT)、高溫壽命測試(HTOL)、機(jī)械沖擊和振動測試等。失效模式包括陶瓷介質(zhì)開裂(機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致)、電極遷移(高溫高濕下)、性能退化等。通過加速壽命測試數(shù)據(jù),可以建立模型來預(yù)測電容在正常工作條件下的壽命和失效率(FIT)。高可靠性的超寬帶電容是通信基礎(chǔ)設(shè)施、汽車和航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用的基石,其可靠性是系統(tǒng)級可靠性的前提。采用COG(NPO)介質(zhì)材料,溫度與頻率特性極為穩(wěn)定。111YK911M100TT多層陶瓷芯片(MLCC)是實(shí)現(xiàn)超寬帶電容的主流技術(shù)路徑。為追...

    2025-10-05
  • 111XEC390J100TT
    111XEC390J100TT

    航空航天與電子系統(tǒng)對超寬帶電容提出了極端可靠性和苛刻環(huán)境適應(yīng)性的要求。這些系統(tǒng)工作環(huán)境惡劣,包括巨大的溫度變化(-55℃至+125℃甚至更寬)、度振動、沖擊以及宇宙射線輻射。電容器必須采用高可靠性設(shè)計(jì)、特種介質(zhì)材料和堅(jiān)固封裝,確保性能在壽命期內(nèi)絕不漂移或失效。同時(shí),許多應(yīng)用(如電子戰(zhàn)(EW)、雷達(dá)、衛(wèi)星通信)需要處理極寬頻帶的信號,要求電容具備從基帶到毫米波的超寬帶性能。此類電容通常需遵循MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等標(biāo)準(zhǔn),經(jīng)過嚴(yán)格的篩選和資格認(rèn)證測試,以確保在關(guān)鍵的任務(wù)中萬無一失。它確保了高速SerDes通道的信號完整性和低誤碼率。111XEC390J100TT實(shí)現(xiàn)超寬...

    2025-10-05
  • 116RK360M100TT
    116RK360M100TT

    與傳統(tǒng)電解電容(鋁電解、鉭電解)相比,超寬帶MLCC電容具有壓倒性的高頻優(yōu)勢。電解電容的ESL和ESR通常很高,其有效工作頻率很少能超過幾百kHz到1MHz,主要用于低頻濾波和大容量儲能。而超寬帶MLCC的ESL和ESR極低,工作頻率可達(dá)GHz級別。此外,MLCC沒有極性,更安全(無鉭電容的燃爆風(fēng)險(xiǎn)),壽命更長(無電解液干涸問題),溫度范圍更寬。當(dāng)然,電解電容在單位體積容量和成本上仍有優(yōu)勢,因此在實(shí)際系統(tǒng)中,它們常與超寬帶MLCC搭配使用,分別負(fù)責(zé)低頻和高頻部分。通過嚴(yán)格的溫度循環(huán)、壽命測試等可靠性驗(yàn)證。116RK360M100TT在射頻和微波系統(tǒng)中,超寬帶電容的應(yīng)用至關(guān)重要且多樣。它們用于R...

    2025-10-05
  • 116TEC200M100TT
    116TEC200M100TT

    封裝小型化是提升高頻性能的必然趨勢。更小的物理尺寸(如01005, 0201, 0402封裝)意味著更短的內(nèi)部電流路徑和更小的電流回路面積,從而天然具有更低的ESL。這使得小封裝電容的自諧振頻率(SRF)可以輕松達(dá)到GHz以上,非常適合用于芯片周邊的超高頻退耦。然而,小型化也帶來了挑戰(zhàn):更小的尺寸對制造精度、材料均勻性和貼裝工藝提出了更高要求;同時(shí),容值通常較小。因此,在PCB設(shè)計(jì)中,通常采用“大小搭配”的策略,將超小封裝的電容盡可能靠近芯片的電源引腳放置,以應(yīng)對比較高頻的噪聲,而稍大封裝的電容則負(fù)責(zé)稍低的頻段,共同構(gòu)建一個(gè)從低頻到超高頻的全譜系退耦網(wǎng)絡(luò)。構(gòu)建退耦網(wǎng)絡(luò)時(shí),需并聯(lián)不同容值電容以覆...

    2025-10-05
  • 116TEC130K100TT
    116TEC130K100TT

    測試與測量設(shè)備高級測試測量儀器對元器件的性能要求極高。超寬帶電容用于頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀和高速示波器的前端電路和信號處理部分。在這些儀器中,電容的相位線性度和幅度平坦度直接影響測量精度。特殊設(shè)計(jì)的超寬帶電容采用空氣橋結(jié)構(gòu)和精確的尺寸控制,確保在DC-50GHz范圍內(nèi)的穩(wěn)定性能。校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室級別的電容還提供詳細(xì)的S參數(shù)模型和溫度特性數(shù)據(jù),幫助儀器設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)比較好性能。 制造工藝與技術(shù)超寬帶電容的制造涉及精密的工藝技術(shù)。多層陶瓷電容采用流延成型工藝,將陶瓷漿料形成精確厚度的薄膜,然后通過絲網(wǎng)印刷形成電極圖案。層壓和共燒過程需要精確的溫度控制,確保各層間的完美結(jié)合。對于比較高頻率的應(yīng)用,采...

    2025-10-05
  • 116TJ220K100TT
    116TJ220K100TT

    實(shí)現(xiàn)超寬帶性能面臨著多重嚴(yán)峻的技術(shù)挑戰(zhàn)。首要挑戰(zhàn)是寄生電感(ESL),任何電容器都存在由內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引線帶來的固有電感,其阻抗隨頻率升高而增加(ZL=2πfL),在某個(gè)自諧振頻率(SRF)后,電容器會呈現(xiàn)出電感特性,失去退耦和濾波功能。其次,是寄生電阻(ESR),它會導(dǎo)致能量損耗和發(fā)熱,且其值隨頻率變化。第三,是介質(zhì)材料本身的頻率響應(yīng),不同介質(zhì)材料的介電常數(shù)會隨頻率變化,影響電容值的穩(wěn)定性。,封裝尺寸、安裝方式以及PCB布局都會引入額外的寄生電感和電容,極大地影響終在板性能。因此,超寬帶電容的設(shè)計(jì)是材料科學(xué)、結(jié)構(gòu)工程和應(yīng)用技術(shù)的結(jié)合,需要綜合考慮所有這些因素。是5G基站、雷達(dá)等射頻微波電路中不可...

    2025-10-05
  • 111TF360K100TT
    111TF360K100TT

    超寬帶電容,盡管多是固態(tài)的MLCC,仍需經(jīng)過嚴(yán)格的可靠性測試以確保其長期穩(wěn)定性。關(guān)鍵測試包括:高溫高濕負(fù)荷測試(HAST)、溫度循環(huán)測試(TCT)、高溫壽命測試(HTOL)、機(jī)械沖擊和振動測試等。失效模式包括陶瓷介質(zhì)開裂(機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致)、電極遷移(高溫高濕下)、性能退化等。通過加速壽命測試數(shù)據(jù),可以建立模型來預(yù)測電容在正常工作條件下的壽命和失效率(FIT)。高可靠性的超寬帶電容是通信基礎(chǔ)設(shè)施、汽車和航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用的基石,其可靠性是系統(tǒng)級可靠性的前提。嵌入式電容技術(shù)將電容埋入PCB板層,徹底消除安裝電感。111TF360K100TT 超寬帶電容是一種具有特殊頻率響應(yīng)特性的電子元件,能夠在極...

    2025-10-05
  • 116SECA4R3D100TT
    116SECA4R3D100TT

    超寬帶電容,盡管多是固態(tài)的MLCC,仍需經(jīng)過嚴(yán)格的可靠性測試以確保其長期穩(wěn)定性。關(guān)鍵測試包括:高溫高濕負(fù)荷測試(HAST)、溫度循環(huán)測試(TCT)、高溫壽命測試(HTOL)、機(jī)械沖擊和振動測試等。失效模式包括陶瓷介質(zhì)開裂(機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致)、電極遷移(高溫高濕下)、性能退化等。通過加速壽命測試數(shù)據(jù),可以建立模型來預(yù)測電容在正常工作條件下的壽命和失效率(FIT)。高可靠性的超寬帶電容是通信基礎(chǔ)設(shè)施、汽車和航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用的基石,其可靠性是系統(tǒng)級可靠性的前提。在高速CPU/GPU旁提供瞬時(shí)電流,保障電壓穩(wěn)定。116SECA4R3D100TT在現(xiàn)代高速電路設(shè)計(jì)中,憑借經(jīng)驗(yàn)或簡單計(jì)算已無法設(shè)計(jì)出有效的超...

    2025-10-05
  • 116RHC2R1M100TT
    116RHC2R1M100TT

    實(shí)現(xiàn)超寬帶性能面臨著多重嚴(yán)峻的技術(shù)挑戰(zhàn)。首要挑戰(zhàn)是寄生電感(ESL),任何電容器都存在由內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引線帶來的固有電感,其阻抗隨頻率升高而增加(ZL=2πfL),在某個(gè)自諧振頻率(SRF)后,電容器會呈現(xiàn)出電感特性,失去退耦和濾波功能。其次,是寄生電阻(ESR),它會導(dǎo)致能量損耗和發(fā)熱,且其值隨頻率變化。第三,是介質(zhì)材料本身的頻率響應(yīng),不同介質(zhì)材料的介電常數(shù)會隨頻率變化,影響電容值的穩(wěn)定性。,封裝尺寸、安裝方式以及PCB布局都會引入額外的寄生電感和電容,極大地影響終在板性能。因此,超寬帶電容的設(shè)計(jì)是材料科學(xué)、結(jié)構(gòu)工程和應(yīng)用技術(shù)的結(jié)合。自諧振頻率(SRF)越高,電容器有效工作頻率上限就越高。116...

    2025-10-05
  • 116TEC130M100TT
    116TEC130M100TT

    在現(xiàn)代高速電路設(shè)計(jì)中,憑借經(jīng)驗(yàn)或簡單計(jì)算已無法設(shè)計(jì)出有效的超寬帶退耦網(wǎng)絡(luò)。必須借助先進(jìn)的仿真工具。電源完整性(PI)仿真軟件(如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysight ADS)可以導(dǎo)入實(shí)際的PCB和封裝布局模型,并加載電容器的S參數(shù)模型(包含其全頻段特性),精確仿真出目標(biāo)頻段(從DC到40GHz+)的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)阻抗。工程師可以通過仿真來優(yōu)化電容的數(shù)量、容值、封裝類型和布局位置,在制板前就預(yù)測并解決潛在的電源噪聲問題,很大縮短開發(fā)周期,降低風(fēng)險(xiǎn)。選型時(shí)需權(quán)衡容值、電壓、尺寸、頻率及成本因素。116TEC130M100TT超寬帶電容除了用于退耦,...

    2025-10-05
  • 116RDB2R7D100TT
    116RDB2R7D100TT

    超寬帶電容并非指單一類型的電容器,而是一種設(shè)計(jì)理念和技術(shù)追求,旨在讓單個(gè)電容器或電容網(wǎng)絡(luò)在極其寬廣的頻率范圍內(nèi)(通常從幾Hz或幾十Hz的低頻一直覆蓋到數(shù)GHz甚至數(shù)十GHz的高頻)保持穩(wěn)定、一致且優(yōu)異的性能。其重心價(jià)值在于解決現(xiàn)代復(fù)雜電子系統(tǒng),尤其是高頻和高速系統(tǒng)中,傳統(tǒng)電容器因寄生參數(shù)(如ESL-等效串聯(lián)電感和ESR-等效串聯(lián)電阻)影響而導(dǎo)致的頻域性能急劇退化問題。它通過創(chuàng)新的材料學(xué)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和封裝技術(shù),比較大限度地壓制寄生效應(yīng),確保從直流到微波頻段的低阻抗特性,為高速集成電路、射頻模塊和微波設(shè)備提供跨越多個(gè)數(shù)量級頻段的純凈能量供應(yīng)和高效噪聲抑制。與傳統(tǒng)電解電容相比,其在高頻下的阻抗特性優(yōu)勢...

    2025-10-05
  • 111XCC6R2K100TT
    111XCC6R2K100TT

    超寬帶電容,盡管多是固態(tài)的MLCC,仍需經(jīng)過嚴(yán)格的可靠性測試以確保其長期穩(wěn)定性。關(guān)鍵測試包括:高溫高濕負(fù)荷測試(HAST)、溫度循環(huán)測試(TCT)、高溫壽命測試(HTOL)、機(jī)械沖擊和振動測試等。失效模式包括陶瓷介質(zhì)開裂(機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致)、電極遷移(高溫高濕下)、性能退化等。通過加速壽命測試數(shù)據(jù),可以建立模型來預(yù)測電容在正常工作條件下的壽命和失效率(FIT)。高可靠性的超寬帶電容是通信基礎(chǔ)設(shè)施、汽車和航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用的基石,其可靠性是系統(tǒng)級可靠性的前提。自諧振頻率(SRF)越高,電容器有效工作頻率上限就越高。111XCC6R2K100TT在射頻和微波系統(tǒng)中,超寬帶電容的應(yīng)用至關(guān)重要且多樣。它們...

    2025-10-05
  • 111UCA1R9D100TT
    111UCA1R9D100TT

    超寬帶電容是一種具有特殊頻率響應(yīng)特性的電子元件,能夠在極寬的頻率范圍內(nèi)(通常從幾Hz到數(shù)十GHz)保持穩(wěn)定的電容性能。這種電容器的獨(dú)特之處在于其采用特殊材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),有效降低了寄生電感和等效串聯(lián)電阻,使它在高頻環(huán)境下仍能保持優(yōu)異的阻抗特性。與普通電容器相比,超寬帶電容的介質(zhì)材料和電極結(jié)構(gòu)都經(jīng)過優(yōu)化,采用高純度陶瓷或特制聚合物介質(zhì),配合多層電極結(jié)構(gòu),確保在寬頻帶內(nèi)具有平坦的頻率響應(yīng)。這些特性使其成為高頻電路、微波系統(tǒng)和高速數(shù)字應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵元件。 在高級服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心中保障計(jì)算節(jié)點(diǎn)穩(wěn)定運(yùn)行。111UCA1R9D100TT高性能的測試與測量設(shè)備(如高級示波器、頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀)...

    2025-10-05
  • 111UHC9R1K100TT
    111UHC9R1K100TT

    現(xiàn)代汽車電子,特別是自動駕駛系統(tǒng)和ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng)),高度依賴各種傳感器(攝像頭、激光雷達(dá)、毫米波雷達(dá))和高速數(shù)據(jù)處理單元。車載毫米波雷達(dá)工作在24GHz和77GHz頻段,其射頻前端需要超寬帶電容進(jìn)行退耦和隔直,以確保探測精度和距離分辨率。域控制器和高速網(wǎng)關(guān)對數(shù)據(jù)處理能力要求極高,需要超寬帶退耦技術(shù)來保障處理器和存儲器的穩(wěn)定運(yùn)行。此外,汽車電子對元器件的壽命、可靠性、耐溫性和抗振動性要求極高,車規(guī)級AEC-Q200認(rèn)證的超寬帶電容成為不可或缺的重心組件。PCB布局需優(yōu)化,過孔和走線會引入額外安裝電感。111UHC9R1K100TT現(xiàn)代汽車電子,特別是自動駕駛系統(tǒng)和ADAS(高級駕駛輔...

    2025-10-05
  • 111ZCC560M100TT
    111ZCC560M100TT

    超寬帶電容是一種具有特殊頻率響應(yīng)特性的電子元件,能夠在極寬的頻率范圍內(nèi)(通常從幾Hz到數(shù)十GHz)保持穩(wěn)定的電容性能。這種電容器的獨(dú)特之處在于其采用特殊材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),有效降低了寄生電感和等效串聯(lián)電阻,使它在高頻環(huán)境下仍能保持優(yōu)異的阻抗特性。與普通電容器相比,超寬帶電容的介質(zhì)材料和電極結(jié)構(gòu)都經(jīng)過優(yōu)化,采用高純度陶瓷或特制聚合物介質(zhì),配合多層電極結(jié)構(gòu),確保在寬頻帶內(nèi)具有平坦的頻率響應(yīng)。這些特性使其成為高頻電路、微波系統(tǒng)和高速數(shù)字應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵元件。 三端電容等結(jié)構(gòu)創(chuàng)新可有效抵消內(nèi)部寄生電感效應(yīng)。111ZCC560M100TT航空航天與電子系統(tǒng)對超寬帶電容提出了極端可靠性和苛刻環(huán)境適應(yīng)性...

    2025-10-04
  • 111TEA7R5K100TT
    111TEA7R5K100TT

    高性能的測試與測量設(shè)備(如高級示波器、頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀)本身就是對信號保真度要求比較高的電子系統(tǒng)。它們的模擬前端、采樣電路、時(shí)鐘系統(tǒng)和數(shù)據(jù)處理單元必須具有極低的噪聲和失真。超寬帶電容在這些設(shè)備中無處不在,用于穩(wěn)定電源、過濾噪聲、耦合信號以及構(gòu)建內(nèi)部高頻電路。它們的性能直接影響到設(shè)備的基線噪聲、動態(tài)范圍、測量精度和帶寬指標(biāo)??梢哉f,沒有高性能的超寬帶電容,就無法制造出能夠精確測量GHz信號的前列測試設(shè)備。通過創(chuàng)新設(shè)計(jì)極大降低等效串聯(lián)電感(ESL)和電阻(ESR)。111TEA7R5K100TT超寬帶電容的性能會受到環(huán)境溫度和外加直流電壓的影響。Class II類介質(zhì)(如X7R)的電容值會隨...

    2025-10-04
  • 111SCA0R6B100TT
    111SCA0R6B100TT

    全球主要的被動元件供應(yīng)商(如Murata, TDK, Samsung Electro-Mechanics, Taiyo Yuden, AVX)都提供豐富的超寬帶電容產(chǎn)品線。選型時(shí)需綜合考慮:一是頻率范圍和要求阻抗,確定需要的容值和SRF;二是介質(zhì)材料類型(COG vs. X7R),根據(jù)對穩(wěn)定性、容差和溫度系數(shù)的要求選擇;三是直流偏壓特性,確保在工作電壓下容值滿足要求;四是封裝尺寸和高度,符合PCB空間限制;五是可靠性等級,是否滿足車規(guī)、工規(guī)或軍規(guī)要求;六是成本與供貨情況。通常需要仔細(xì)研讀各家的數(shù)據(jù)手冊并進(jìn)行實(shí)際測試驗(yàn)證。低ESL設(shè)計(jì)能減少高頻下電容自身的發(fā)熱和效率損耗。111SCA0R6B10...

    2025-10-04
  • 116REC7R5K100TT
    116REC7R5K100TT

    測試與測量設(shè)備高級測試測量儀器對元器件的性能要求極高。超寬帶電容用于頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀和高速示波器的前端電路和信號處理部分。在這些儀器中,電容的相位線性度和幅度平坦度直接影響測量精度。特殊設(shè)計(jì)的超寬帶電容采用空氣橋結(jié)構(gòu)和精確的尺寸控制,確保在DC-50GHz范圍內(nèi)的穩(wěn)定性能。校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室級別的電容還提供詳細(xì)的S參數(shù)模型和溫度特性數(shù)據(jù),幫助儀器設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)比較好性能。 制造工藝與技術(shù)超寬帶電容的制造涉及精密的工藝技術(shù)。多層陶瓷電容采用流延成型工藝,將陶瓷漿料形成精確厚度的薄膜,然后通過絲網(wǎng)印刷形成電極圖案。層壓和共燒過程需要精確的溫度控制,確保各層間的完美結(jié)合。對于比較高頻率的應(yīng)用,采...

    2025-10-04
  • 113FDB2R1D100TT
    113FDB2R1D100TT

    航空航天與電子系統(tǒng)對超寬帶電容提出了極端可靠性和苛刻環(huán)境適應(yīng)性的要求。這些系統(tǒng)工作環(huán)境惡劣,包括巨大的溫度變化(-55℃至+125℃甚至更寬)、度振動、沖擊以及宇宙射線輻射。電容器必須采用高可靠性設(shè)計(jì)、特種介質(zhì)材料和堅(jiān)固封裝,確保性能在壽命期內(nèi)絕不漂移或失效。同時(shí),許多應(yīng)用(如電子戰(zhàn)(EW)、雷達(dá)、衛(wèi)星通信)需要處理極寬頻帶的信號,要求電容具備從基帶到毫米波的超寬帶性能。此類電容通常需遵循MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等標(biāo)準(zhǔn),經(jīng)過嚴(yán)格的篩選和資格認(rèn)證測試,以確保在關(guān)鍵的任務(wù)中萬無一失。小型化封裝(如0201)固有電感更低,高頻性能更優(yōu)異。113FDB2R1D100TT 測...

    2025-10-04
  • 111XEA300K100TT
    111XEA300K100TT

    在現(xiàn)代高速數(shù)字集成電路(如CPU, GPU, FPGA)中,時(shí)鐘頻率高達(dá)數(shù)GHz,電流切換速率極快(納秒甚至皮秒級),會產(chǎn)生極其豐富的高次諧波噪聲。同時(shí),芯片內(nèi)核電壓不斷降低(<1V),而對噪聲的容限也隨之變小。這意味著電源軌上任何微小的電壓波動(電源噪聲)都可能導(dǎo)致邏輯錯(cuò)誤或時(shí)序混亂。超寬帶退耦電容網(wǎng)絡(luò)在此扮演了“本地水庫”和“噪聲過濾器”的雙重角色:它們就近為晶體管開關(guān)提供瞬態(tài)大電流,減少電流回路面積;同時(shí)將產(chǎn)生的高頻噪聲短路到地,確保供給芯片的電源電壓無比純凈和穩(wěn)定,是保障系統(tǒng)高速、可靠運(yùn)行的生命線,其性能直接決定了處理器的比較大穩(wěn)定頻率和系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。它能夠有效抑制電磁干擾(EMI...

    2025-10-04
  • 118HBB1R7C100TT
    118HBB1R7C100TT

    在現(xiàn)代高速電路設(shè)計(jì)中,憑借經(jīng)驗(yàn)或簡單計(jì)算已無法設(shè)計(jì)出有效的超寬帶退耦網(wǎng)絡(luò)。必須借助先進(jìn)的仿真工具。電源完整性(PI)仿真軟件(如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysight ADS)可以導(dǎo)入實(shí)際的PCB和封裝布局模型,并加載電容器的S參數(shù)模型(包含其全頻段特性),精確仿真出目標(biāo)頻段(從DC到40GHz+)的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)阻抗。工程師可以通過仿真來優(yōu)化電容的數(shù)量、容值、封裝類型和布局位置,在制板前就預(yù)測并解決潛在的電源噪聲問題,很大縮短開發(fā)周期,降低風(fēng)險(xiǎn)。失效模式包括機(jī)械裂紋、電極遷移和性能退化等。118HBB1R7C100TT全球主要的被動元件供應(yīng)商(...

    2025-10-04
1 2 ... 23 24 25 26 27 28 29 30 31