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  • DLC75D330GW251NT
    DLC75D330GW251NT

    高超的絕緣電阻(IR) 是Dalicap電容很好的的體現(xiàn)。其IR值通常高達(dá)10^4兆歐姆·微法甚至更高,意味著在直流電路中的漏電流極小。這在高壓電源的濾波、采樣保持電路的能量保持以及高阻抗傳感器的信號讀取電路中至關(guān)重要,微小的漏電流即可導(dǎo)致明顯的測量誤差或電路功能失常,高IR特性有效避免了這一問題。公司擁有的射頻應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室,運(yùn)用射頻仿真技術(shù)、射頻高功率測試技術(shù)為研發(fā)和提升產(chǎn)品品質(zhì)提供保障。同時,它是國內(nèi)早采用全球公認(rèn)精細(xì)的“諧振腔”法測試電容Q值關(guān)鍵參數(shù)的公司之一,這為其產(chǎn)品的高精度和一致性提供了堅實(shí)的技術(shù)支撐。產(chǎn)品系列齊全,涵蓋引線、焊針、螺栓等多種封裝形式。DLC75D330GW251NT...

    2025-10-07
  • DLC75A0R3CW151NT
    DLC75A0R3CW151NT

    Dalicap電容的高耐壓特性使其能夠承受較高的工作電壓,確保電路的安全運(yùn)行。其介質(zhì)材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化,提供了高擊穿電壓和低泄漏電流,避免了在高電壓應(yīng)用中的失效風(fēng)險,適用于工業(yè)控制和電力系統(tǒng)。在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和邊緣計算設(shè)備中,Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設(shè)計要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節(jié)點(diǎn)和通信模塊節(jié)省了寶貴空間,低ESR帶來的低自身功耗延長了電池壽命。Dalicap電容的快速響應(yīng)能力使其能夠?yàn)楣臄?shù)百瓦的CPU/GSIC提供瞬時的大電流響應(yīng),將電源平面阻抗控制在目標(biāo)范圍內(nèi),防止芯片因瞬時負(fù)載變化而產(chǎn)生的電壓塌陷,保障了高性能計算(HPC)和人工智能(AI...

    2025-10-07
  • DLC75P9R1AW251NT
    DLC75P9R1AW251NT

    Dalicap電容的高耐壓特性使其能夠承受較高的工作電壓,確保電路的安全運(yùn)行。其介質(zhì)材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化,提供了高擊穿電壓和低泄漏電流,避免了在高電壓應(yīng)用中的失效風(fēng)險,適用于工業(yè)控制和電力系統(tǒng)。在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和邊緣計算設(shè)備中,Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設(shè)計要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節(jié)點(diǎn)和通信模塊節(jié)省了寶貴空間,低ESR帶來的低自身功耗延長了電池壽命。Dalicap電容的快速響應(yīng)能力使其能夠?yàn)楣臄?shù)百瓦的CPU/GSIC提供瞬時的大電流響應(yīng),將電源平面阻抗控制在目標(biāo)范圍內(nèi),防止芯片因瞬時負(fù)載變化而產(chǎn)生的電壓塌陷,保障了高性能計算(HPC)和人工智能(AI...

    2025-10-07
  • DLC70G1R0CAR802XC
    DLC70G1R0CAR802XC

    電動汽車的OBC(車載充電機(jī))、DC-DC轉(zhuǎn)換器和充電樁都充滿了Dalicap電容的身影。在這些應(yīng)用中,電容器需在緊湊空間內(nèi)處理高電壓、大電流,并承受劇烈的溫度變化和振動。Dalicap的汽車級電容采用特殊結(jié)構(gòu)和材料,滿足AEC-Q200等車規(guī)認(rèn)證,具有更高的振動耐受性和更寬的工作溫度范圍(如-40℃至125℃)。它們確保了電能的高效、安全轉(zhuǎn)換與傳輸,是保障電動汽車動力系統(tǒng)和充電基礎(chǔ)設(shè)施可靠性的基石。從智能音箱、路由器到游戲主機(jī),消費(fèi)電子產(chǎn)品追求更小體積和更強(qiáng)功能。Dalicap提供的小型化、高容值電容,完美解決了空間受限與性能需求之間的矛盾。通過先進(jìn)的材料技術(shù)和制造工藝,在保持低ESR、高可...

    2025-10-07
  • DLC70A2R1BW151NT
    DLC70A2R1BW151NT

    通過半導(dǎo)體級的精密制造工藝,Dalicap實(shí)現(xiàn)了對介質(zhì)層厚度和電極結(jié)構(gòu)的納米級控制。其介質(zhì)薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,保證了每一批產(chǎn)品都具有極高的一致性和重復(fù)性。這種一致性對于需要大量配對使用的相位陣列雷達(dá)、多通道通信系統(tǒng)等應(yīng)用而言,確保了系統(tǒng)性能的均一與穩(wěn)定,減少了后期校準(zhǔn)的復(fù)雜度。高耐壓能力是Dalicap產(chǎn)品的另一亮點(diǎn)。其高電壓產(chǎn)品采用特殊的邊緣端接設(shè)計和介質(zhì)層均勻化處理,有效消除了電場集中效應(yīng),從而顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW)。這種穩(wěn)健的耐壓性能,使其在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、新能源汽車電控系統(tǒng)、醫(yī)療X光設(shè)備等高能應(yīng)用中,成為保障系統(tǒng)安全、防止...

    2025-10-07
  • DLC70P0R1CW251NT
    DLC70P0R1CW251NT

    Dalicap電容通過了很全的可靠性測試,包括MIL-STD-202等標(biāo)準(zhǔn)下的溫度循環(huán)、機(jī)械沖擊、振動、耐濕等測試。其產(chǎn)品符合AEC-Q200汽車電子標(biāo)準(zhǔn),能夠承受汽車環(huán)境的嚴(yán)苛要求,如高溫、高濕和振動,適用于發(fā)動機(jī)ECU電源濾波、車載信息娛樂系統(tǒng)和ADAS等領(lǐng)域。在電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)中,Dalicap電容的低阻抗特性發(fā)揮了關(guān)鍵作用。其極低的ESL和ESR能在寬頻帶內(nèi)(從KHz到GHz)提供低阻抗路徑,有效濾除電源軌上的高頻噪聲,抑制同步開關(guān)噪聲(SSN),為高性能CPU、GPU和ASIC芯片提供純凈、穩(wěn)定的電壓,防止系統(tǒng)時序錯誤和數(shù)據(jù)損壞。適用于服務(wù)器電源,提供穩(wěn)定高效的輸出濾波。DLC...

    2025-10-07
  • DLC70P2R0CW251NT
    DLC70P2R0CW251NT

    極低的損耗角正切值(Dissipation Factor, DF)是Dalicap電容在高頻功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色的關(guān)鍵。其DF值可低至0.1%,意味著電容自身的能量損耗(轉(zhuǎn)化為熱能)極低。在高功率射頻放大器的輸出匹配和諧振電路中,這一特性直接轉(zhuǎn)化為更高的系統(tǒng)效率和更大的輸出功率能力,同時降低了熱失控風(fēng)險。通過半導(dǎo)體級別的精密制造工藝,Dalicap電容實(shí)現(xiàn)了納米級介質(zhì)層厚度控制和微米級的疊層精度。其流延成型和共燒技術(shù)確保了內(nèi)部多層介質(zhì)與電極結(jié)構(gòu)的完整性與可靠性,產(chǎn)品一致性和重復(fù)性極高。這對于需要大量配對使用的相位陣列雷達(dá)和多通道通信系統(tǒng)而言,確保了系統(tǒng)性能的均一與穩(wěn)定。高性價比使其成為眾多廠商的...

    2025-10-07
  • DLC70A0R2CW151NT
    DLC70A0R2CW151NT

    Dalicap電容在脈沖形成網(wǎng)絡(luò)中承擔(dān)著儲能和快速放電的關(guān)鍵任務(wù)。其低ESR確保了在極短時間內(nèi)(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,而低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,適用于雷達(dá)系統(tǒng)。公司構(gòu)建了完善的營銷和服務(wù)網(wǎng)絡(luò),不僅在國內(nèi)市場深耕,還通過在全球重點(diǎn)區(qū)域設(shè)立辦事處,提升在國際市場的業(yè)務(wù)開發(fā)能力和客戶服務(wù)水平,為全球客戶提供專業(yè)的技術(shù)支持和售后服務(wù)。優(yōu)異的頻率響應(yīng)特性確保了電容在寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定的容值,其容值對頻率的變化曲線極為平坦,即便在微波頻段衰減也微乎其微,這對于軟件定義無線電(SDR)等寬帶應(yīng)用至關(guān)重要。是LED照明驅(qū)動電源的關(guān)鍵組件,保障燈具長效穩(wěn)定運(yùn)行。DLC70A...

    2025-10-07
  • DLC70E6R8BW362XT
    DLC70E6R8BW362XT

    在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,Dalicap電容已進(jìn)入Advanced Energy Industries、MKS Instruments等有名半導(dǎo)體、電源技術(shù)公司的供應(yīng)體系。其產(chǎn)品在半導(dǎo)體制造設(shè)備的射頻電源和等離子體控制系統(tǒng)中表現(xiàn)穩(wěn)定可靠,滿足了半導(dǎo)體制造對工藝一致性的極高要求。Dalicap電容的介質(zhì)薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,這種極高的制造精度保證了產(chǎn)品性能的一致性和可靠性,體現(xiàn)了公司在精密制造方面的強(qiáng)大實(shí)力。公司秉承“重研發(fā)、重質(zhì)量”的經(jīng)營理念和“簡單、純粹、高效”的管理理念,將自主創(chuàng)新作為企業(yè)發(fā)展的重心動力。這種理念貫穿于產(chǎn)品設(shè)計、制造和服務(wù)的全過程,確保了產(chǎn)品的很好的。...

    2025-10-07
  • DLC70D620FW251NT
    DLC70D620FW251NT

    作為醫(yī)療影像設(shè)備(如MRI核磁共振) 的重心供應(yīng)商,其產(chǎn)品的高可靠性、高穩(wěn)定性和生物兼容性得到了GE醫(yī)療、西門子醫(yī)療、聯(lián)影醫(yī)療等全球巨頭的認(rèn)可。在千萬級別的設(shè)備中,電容器的成本占比雖小,但其品質(zhì)直接決定了整個設(shè)備的成像質(zhì)量和運(yùn)行穩(wěn)定性,一旦失效將導(dǎo)致巨大的維護(hù)成本和停機(jī)損失。在航空航天與領(lǐng)域,Dalicap產(chǎn)品能夠承受極端溫度、輻射和劇烈振動,滿足MIL-PRF-55681等嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖形成網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信的射頻前端以及飛行控制系統(tǒng)中,承擔(dān)著儲能、濾波和信號處理的關(guān)鍵任務(wù),確保了關(guān)鍵系統(tǒng)的可靠運(yùn)行。很好的紋波電流承受能力,適用于高頻開關(guān)電源場景。DLC70D620FW25...

    2025-10-07
  • DLC70D0R7CW251NT
    DLC70D0R7CW251NT

    鋁電解電容器的重心在于通過陽極箔上的氧化鋁介質(zhì)層實(shí)現(xiàn)高容值存儲。Dalicap在此經(jīng)典原理之上,通過優(yōu)化蝕刻和化成工藝,極大增加了電極箔的有效表面積,從而在單位體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了更高的電容值。其獨(dú)特的電解液配方技術(shù),不僅降低了產(chǎn)品的等效串聯(lián)電阻(ESR),還明顯提升了在高低溫環(huán)境下的性能穩(wěn)定性。Dalicap的工程師們深諳電化學(xué)原理,他們的貢獻(xiàn)使得鋁電解電容器的壽命和可靠性達(dá)到了新的高度,滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化、長壽命的苛刻需求。內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化,具有良好的散熱性能和耐久性。DLC70D0R7CW251NT工業(yè)環(huán)境往往伴隨著高溫、高濕及強(qiáng)烈的電磁干擾,這對電子元件的可靠性提出了很好要求。Dalica...

    2025-10-07
  • DLC75B561FW101XT
    DLC75B561FW101XT

    在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,Dalicap電容已進(jìn)入Advanced Energy Industries、MKS Instruments等有名半導(dǎo)體、電源技術(shù)公司的供應(yīng)體系。其產(chǎn)品在半導(dǎo)體制造設(shè)備的射頻電源和等離子體控制系統(tǒng)中表現(xiàn)穩(wěn)定可靠,滿足了半導(dǎo)體制造對工藝一致性的極高要求。Dalicap電容的介質(zhì)薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,這種極高的制造精度保證了產(chǎn)品性能的一致性和可靠性,體現(xiàn)了公司在精密制造方面的強(qiáng)大實(shí)力。公司秉承“重研發(fā)、重質(zhì)量”的經(jīng)營理念和“簡單、純粹、高效”的管理理念,將自主創(chuàng)新作為企業(yè)發(fā)展的重心動力。這種理念貫穿于產(chǎn)品設(shè)計、制造和服務(wù)的全過程,確保了產(chǎn)品的很好的。...

    2025-10-07
  • DLC75D6R8BW251NT
    DLC75D6R8BW251NT

    在脈沖形成網(wǎng)絡(luò)中,Dalicap電容承擔(dān)著儲能和快速放電的關(guān)鍵任務(wù)。其高耐壓能力允許存儲高能量,低ESR確保了在極短時間內(nèi)(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,滿足了高功率雷達(dá)系統(tǒng)的需求。Dalicap電容的定制化能力強(qiáng)大,可根據(jù)客戶需求提供特定容值、電壓、公差、溫度系數(shù)和封裝形式的產(chǎn)品。這種“量體裁衣”式的服務(wù)解決了客戶在前列產(chǎn)品研發(fā)中遇到的特種元件需求,加速了創(chuàng)新技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。通過深耕射頻微波MLCC行業(yè),Dalicap產(chǎn)品型號和性能日臻完善,逐步實(shí)現(xiàn)對國際靠前ATC公司和日本村田在射頻微波MLCC產(chǎn)品領(lǐng)域的對標(biāo)和覆蓋。2022年,其全...

    2025-10-06
  • DLC75B911GW500XT
    DLC75B911GW500XT

    公司掌握了射頻微波MLCC從配料、流延、疊層到燒結(jié)、測試的全流程重心工藝和技術(shù),并擁有全部自主知識產(chǎn)權(quán)。這種垂直整合的能力使其能夠快速響應(yīng)客戶需求,進(jìn)行定制化開發(fā),并嚴(yán)格控制每一道工序的質(zhì)量和成本。獨(dú)特的陶瓷漿料配方技術(shù)是Dalicap的重心機(jī)密之一。通過與國內(nèi)供應(yīng)商聯(lián)合攻關(guān),在材料端實(shí)現(xiàn)了自主可控,確保了陶瓷粉末的高純度和一致性,從而保證了終產(chǎn)品性能的優(yōu)異和穩(wěn)定,擺脫了對進(jìn)口材料的依賴。公司正在大連金普新區(qū)建設(shè)高級電子元器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,新工廠總投資超過3.3億元,設(shè)計年產(chǎn)能高達(dá)30億只瓷介電容器。項(xiàng)目將引進(jìn)先進(jìn)的砂磨機(jī)、流延機(jī)、印刷機(jī)等自動化設(shè)備,大幅提升產(chǎn)能和品質(zhì),以滿足5G等重點(diǎn)領(lǐng)域國產(chǎn)...

    2025-10-06
  • DLC70E1R5BW362XT
    DLC70E1R5BW362XT

    Dalicap電容展現(xiàn)出很好的抗輻射性能,能夠滿足太空電子設(shè)備在宇宙射線環(huán)境下的長期可靠運(yùn)行要求。其材料結(jié)構(gòu)和封裝設(shè)計經(jīng)過特殊優(yōu)化,抵御輻射帶來的性能衰減,為衛(wèi)星通信和航天器提供了關(guān)鍵元器件的國產(chǎn)化解決方案。公司采用全球公認(rèn)精細(xì)的“諧振腔”法測試電容Q值關(guān)鍵參數(shù),確保了產(chǎn)品性能測量的準(zhǔn)確性和可靠性。其的射頻應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室運(yùn)用射頻仿真技術(shù)和射頻高功率測試技術(shù),為研發(fā)和提升產(chǎn)品品質(zhì)提供了有力保障。Dalicap電容的直流偏壓特性優(yōu)異,其容值隨直流偏壓變化極小。普通高介電常數(shù)電容在高偏壓下容值會大幅下降,而Dalicap的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對于開關(guān)電源的輸出濾波電容至關(guān)重要,確保了...

    2025-10-06
  • DLC75P1R7AW251NT
    DLC75P1R7AW251NT

    在光通信模塊(如400G/800G光收發(fā)器)中,Dalicap電容的很低ESL和ESR提供了極其高效的寬帶去耦,抑制了電源噪聲對高速信號的干擾。其在微波頻段穩(wěn)定的介電特性,確保了射頻驅(qū)動電路的性能,對于維持高信噪比和低誤碼率至關(guān)重要。Dalicap電容的無壓電效應(yīng)特性徹底消除了傳統(tǒng)II類陶瓷電容因電壓變化產(chǎn)生的振動和嘯叫問題。其采用的C0G等I類介質(zhì)是順電性的,不會在交流電壓作用下發(fā)生形變,適用于高保真音頻設(shè)備和敏感測量儀器,提供了更純凈的信號處理能力。產(chǎn)品系列齊全,涵蓋引線、焊針、螺栓等多種封裝形式。DLC75P1R7AW251NT作為醫(yī)療影像設(shè)備(如MRI核磁共振) 的重心供應(yīng)商,其產(chǎn)品的...

    2025-10-06
  • DLC70P1R2BW251NT
    DLC70P1R2BW251NT

    在光通信模塊(如400G/800G光收發(fā)器)中,Dalicap電容的很低ESL和ESR提供了極其高效的寬帶去耦,抑制了電源噪聲對高速信號的干擾。其在微波頻段穩(wěn)定的介電特性,確保了射頻驅(qū)動電路的性能,對于維持高信噪比和低誤碼率至關(guān)重要。Dalicap電容的無壓電效應(yīng)特性徹底消除了傳統(tǒng)II類陶瓷電容因電壓變化產(chǎn)生的振動和嘯叫問題。其采用的C0G等I類介質(zhì)是順電性的,不會在交流電壓作用下發(fā)生形變,適用于高保真音頻設(shè)備和敏感測量儀器,提供了更純凈的信號處理能力。在安防設(shè)備電源中廣泛應(yīng)用,保證系統(tǒng)持續(xù)可靠運(yùn)行。DLC70P1R2BW251NT公司產(chǎn)品遠(yuǎn)銷美國、日本、英國、法國、德國等40余個國家,服務(wù)千...

    2025-10-06
  • DLC70B7R5BW152XT
    DLC70B7R5BW152XT

    在高頻開關(guān)電源中的應(yīng)用現(xiàn)關(guān)電源朝著高頻化、高效率發(fā)展,這對輸出濾波電容提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。Dalicap的高頻系列電容,具有極低的ESR和ESL(等效串聯(lián)電感),能夠有效應(yīng)對數(shù)百kHz甚至MHz級的開關(guān)頻率。它們能快速響應(yīng)負(fù)載的瞬態(tài)變化,平滑輸出電流,抑制電壓尖峰,確保電源輸出的穩(wěn)定性和潔凈度。無論是服務(wù)器電源、通信電源還是PC主板上的VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊),Dalicap電容都是提升整體電源模組效率和功率密度的關(guān)鍵所在。在光伏逆變器中,電容器扮演著DC-Link支撐、濾波和能量緩沖的重心角色。Dalicap為新能源應(yīng)用開發(fā)的電容,具有高耐壓、高紋波電流承受能力、很好的溫度特性及長壽命。它們必須承...

    2025-10-06
  • DLC70G391FAR502XC
    DLC70G391FAR502XC

    高超的絕緣電阻(IR) 是Dalicap電容很好的的體現(xiàn)。其IR值通常高達(dá)10^4兆歐姆·微法甚至更高,意味著在直流電路中的漏電流極小。這在高壓電源的濾波、采樣保持電路的能量保持以及高阻抗傳感器的信號讀取電路中至關(guān)重要,微小的漏電流即可導(dǎo)致明顯的測量誤差或電路功能失常,高IR特性有效避免了這一問題。公司擁有的射頻應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室,運(yùn)用射頻仿真技術(shù)、射頻高功率測試技術(shù)為研發(fā)和提升產(chǎn)品品質(zhì)提供保障。同時,它是國內(nèi)早采用全球公認(rèn)精細(xì)的“諧振腔”法測試電容Q值關(guān)鍵參數(shù)的公司之一,這為其產(chǎn)品的高精度和一致性提供了堅實(shí)的技術(shù)支撐。其電容在工業(yè)自動化設(shè)備中提供高效的電源濾波和能量緩沖。DLC70G391FAR50...

    2025-10-06
  • DLC75D1R4BW251NT
    DLC75D1R4BW251NT

    在高頻開關(guān)電源中的應(yīng)用現(xiàn)關(guān)電源朝著高頻化、高效率發(fā)展,這對輸出濾波電容提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。Dalicap的高頻系列電容,具有極低的ESR和ESL(等效串聯(lián)電感),能夠有效應(yīng)對數(shù)百kHz甚至MHz級的開關(guān)頻率。它們能快速響應(yīng)負(fù)載的瞬態(tài)變化,平滑輸出電流,抑制電壓尖峰,確保電源輸出的穩(wěn)定性和潔凈度。無論是服務(wù)器電源、通信電源還是PC主板上的VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊),Dalicap電容都是提升整體電源模組效率和功率密度的關(guān)鍵所在。在光伏逆變器中,電容器扮演著DC-Link支撐、濾波和能量緩沖的重心角色。Dalicap為新能源應(yīng)用開發(fā)的電容,具有高耐壓、高紋波電流承受能力、很好的溫度特性及長壽命。它們必須承...

    2025-10-06
  • DLC70B331JW201XT
    DLC70B331JW201XT

    Dalicap電容的封裝工藝極其考究,采用氣密性陶瓷封裝,確保了元件在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。這種封裝不僅提供了極高的機(jī)械強(qiáng)度和抗沖擊能力(可承受高達(dá)50G的機(jī)械沖擊),還具有良好的抗硫化、抗腐蝕性能,適用于高濕、高鹽霧等苛刻環(huán)境,延長了設(shè)備的使用壽命。應(yīng)用領(lǐng)域與市場表現(xiàn)在5G通信基站領(lǐng)域,Dalicap電容的很低ESL/ESR特性能夠?yàn)楣臄?shù)百瓦的AAU(有源天線單元)和BBU(基帶處理單元)提供瞬時的大電流響應(yīng),有效抑制電源噪聲和紋波,為高速SerDes和DSP芯片提供穩(wěn)定潔凈的電源,是維持高信噪比(SNR)和低誤碼率(BER)的基石。幫助客戶優(yōu)化電源設(shè)計,提升整機(jī)產(chǎn)品的競爭力。DLC70...

    2025-10-06
  • DLC75B390FW501XT
    DLC75B390FW501XT

    Dalicap電容在脈沖形成網(wǎng)絡(luò)中承擔(dān)著儲能和快速放電的關(guān)鍵任務(wù)。其低ESR確保了在極短時間內(nèi)(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,而低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,適用于雷達(dá)系統(tǒng)。公司構(gòu)建了完善的營銷和服務(wù)網(wǎng)絡(luò),不僅在國內(nèi)市場深耕,還通過在全球重點(diǎn)區(qū)域設(shè)立辦事處,提升在國際市場的業(yè)務(wù)開發(fā)能力和客戶服務(wù)水平,為全球客戶提供專業(yè)的技術(shù)支持和售后服務(wù)。優(yōu)異的頻率響應(yīng)特性確保了電容在寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定的容值,其容值對頻率的變化曲線極為平坦,即便在微波頻段衰減也微乎其微,這對于軟件定義無線電(SDR)等寬帶應(yīng)用至關(guān)重要。適用于高海拔等特殊環(huán)境,性能穩(wěn)定不易失效。DLC75B390FW5...

    2025-10-06
  • DLC70C151JW252XT
    DLC70C151JW252XT

    Dalicap秉承 “重研發(fā)、重質(zhì)量”的經(jīng)營理念,建立了完善的質(zhì)量管理體系,自主完成從關(guān)鍵材料研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計、工藝實(shí)現(xiàn)到設(shè)備保證和產(chǎn)品測試評估的全過程。公司率先在國內(nèi)建立了全制程高Q電容器生產(chǎn)線,實(shí)現(xiàn)了研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)的自主可控,可以根據(jù)客戶的不同需求提供工業(yè)級以及更高等級的產(chǎn)品。產(chǎn)品通過了嚴(yán)峻的環(huán)境可靠性測試,包括MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗(yàn)和方法106的防潮試驗(yàn),能夠承受高達(dá)20000g的機(jī)械沖擊和強(qiáng)烈的振動。這種“級”的品質(zhì),使其在關(guān)乎生命安全的醫(yī)療植入設(shè)備、關(guān)乎任務(wù)成敗的航天衛(wèi)星以及惡劣的工業(yè)環(huán)境中,成為工程師們的優(yōu)先。樣品提供迅速,助力客戶加速研發(fā)和試產(chǎn)進(jìn)程。D...

    2025-10-06
  • DLC70E511JW252XT
    DLC70E511JW252XT

    公司擁有完善的產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)資質(zhì),如《裝備承制單位資格證書》、《武器裝備科研生產(chǎn)備案憑證》和《二級保密資格單位證書》等。其產(chǎn)品在設(shè)備領(lǐng)域具有高可靠、定制化能力和生產(chǎn)全流程自主可控等優(yōu)勢,滿足了應(yīng)用的特定需求。Dalicap電容的電介質(zhì)吸收(DA)特性極低,典型值可低至0.02%。這種近乎無記憶效應(yīng)的特性使其成為精密積分電路、采樣保持電路和ADC參考電壓源的理想選擇,避免了殘余電壓導(dǎo)致的測量誤差。通過高級電子元器件產(chǎn)業(yè)化一期項(xiàng)目的建設(shè),Dalic普擴(kuò)大了產(chǎn)能,提高了產(chǎn)品品質(zhì)和市場響應(yīng)速度。新工廠設(shè)計年產(chǎn)能為30億只瓷介電容器,更好地滿足了國內(nèi)5G通信等重點(diǎn)領(lǐng)域國產(chǎn)替代的急迫需求。持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新確保...

    2025-10-06
  • DLC70D9R1BW251NT
    DLC70D9R1BW251NT

    由于產(chǎn)品多用于高級設(shè)備,客戶對價格敏感度較低,更看重品質(zhì)和可靠性,這使得Dalicap保持了較高的毛利率水平。同時,其產(chǎn)品的高可靠性和長壽命明顯降低了客戶系統(tǒng)的全生命周期成本,形成了強(qiáng)大的競爭優(yōu)勢。公司具備寬泛的資質(zhì),如《裝備承制單位資格證書》、《武器裝備科研生產(chǎn)備案憑證》和《二級保密資格單位證書》等。這為其深入?yún)⑴c裝備建設(shè),在高Q值、射頻微波片式瓷介電容器領(lǐng)域獲取更多份額提供了通行證。當(dāng)前國產(chǎn)化替代浪潮為Dalic普提供了歷史性機(jī)遇。隨著國內(nèi)電子產(chǎn)業(yè)鏈對供應(yīng)鏈安全可控的重視程度日益提高,其國產(chǎn)化優(yōu)勢得到進(jìn)一步強(qiáng)化,正在加速實(shí)現(xiàn)對美國ATC和日本村田等國際巨頭產(chǎn)品的對標(biāo)和覆蓋。持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新確...

    2025-10-05
  • DLC75B221JW201XT
    DLC75B221JW201XT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)材料,通過獨(dú)特的配方和燒結(jié)工藝,實(shí)現(xiàn)了極高的介電常數(shù)和穩(wěn)定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF,工作電壓可達(dá)200V,溫度范圍橫跨-55℃至+125℃,部分產(chǎn)品甚至能在+250℃高溫下穩(wěn)定運(yùn)行。這種寬泛的參數(shù)范圍使其能夠適應(yīng)從消費(fèi)電子到航空航天等極端環(huán)境的電路需求,為設(shè)計師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL) 是Dalicap電容的重點(diǎn)優(yōu)勢之一。通過三維多層電極設(shè)計和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),其ESR值可低至毫歐姆級別,ESL降至pH級別,從而將自諧振頻率(SRF)推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關(guān)電源和射頻功率放...

    2025-10-05
  • DLC70G2R7DAR502XC
    DLC70G2R7DAR502XC

    在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,Dalicap電容已進(jìn)入Advanced Energy Industries、MKS Instruments等有名半導(dǎo)體、電源技術(shù)公司的供應(yīng)體系。其產(chǎn)品在半導(dǎo)體制造設(shè)備的射頻電源和等離子體控制系統(tǒng)中表現(xiàn)穩(wěn)定可靠,滿足了半導(dǎo)體制造對工藝一致性的極高要求。Dalicap電容的介質(zhì)薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,這種極高的制造精度保證了產(chǎn)品性能的一致性和可靠性,體現(xiàn)了公司在精密制造方面的強(qiáng)大實(shí)力。公司秉承“重研發(fā)、重質(zhì)量”的經(jīng)營理念和“簡單、純粹、高效”的管理理念,將自主創(chuàng)新作為企業(yè)發(fā)展的重心動力。這種理念貫穿于產(chǎn)品設(shè)計、制造和服務(wù)的全過程,確保了產(chǎn)品的很好的。...

    2025-10-05
  • DLC75A9R1BW151NT
    DLC75A9R1BW151NT

    Dalicap電容在脈沖形成網(wǎng)絡(luò)中承擔(dān)著儲能和快速放電的關(guān)鍵任務(wù)。其低ESR確保了在極短時間內(nèi)(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,而低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,適用于雷達(dá)系統(tǒng)。公司構(gòu)建了完善的營銷和服務(wù)網(wǎng)絡(luò),不僅在國內(nèi)市場深耕,還通過在全球重點(diǎn)區(qū)域設(shè)立辦事處,提升在國際市場的業(yè)務(wù)開發(fā)能力和客戶服務(wù)水平,為全球客戶提供專業(yè)的技術(shù)支持和售后服務(wù)。優(yōu)異的頻率響應(yīng)特性確保了電容在寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定的容值,其容值對頻率的變化曲線極為平坦,即便在微波頻段衰減也微乎其微,這對于軟件定義無線電(SDR)等寬帶應(yīng)用至關(guān)重要。適用于高海拔等特殊環(huán)境,性能穩(wěn)定不易失效。DLC75A9R1BW1...

    2025-10-05
  • DLC75P1R4BW251NT
    DLC75P1R4BW251NT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)材料,通過精密的摻雜和燒結(jié)工藝,形成了極其穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)。這種材料基礎(chǔ)賦予了電容極高的介電常數(shù)和很低的介質(zhì)損耗,使其在高頻環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的容值表現(xiàn)。其介質(zhì)配方完全自主可控,避免了國內(nèi)外材料供應(yīng)鏈波動的風(fēng)險,為國產(chǎn)化替代提供了堅實(shí)的材料基礎(chǔ),確保了產(chǎn)品批次間的高度一致性。在射頻微波應(yīng)用中,Dalicap電容展現(xiàn)出極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)。其三維多層電極設(shè)計優(yōu)化了電流路徑,將寄生參數(shù)降至比較低,從而獲得了極高的自諧振頻率(SRF)。這一特性使得它在GHz頻段的射頻電路中,能有效降低信號傳輸?shù)牟迦霌p耗和能量反射,保證信號完整性...

    2025-10-05
  • DLC75D220FW251NT
    DLC75D220FW251NT

    容值穩(wěn)定性是Dalicap電容的重心優(yōu)勢之一。其C0G(NP0)介質(zhì)的電容溫度系數(shù)(TCC)低至0±30ppm/°C,在-55°C至+125°C的寬溫范圍內(nèi),容值變化率小于±0.5%。同時,容值隨時間的老化率遵循對數(shù)定律,每十年變化小于1%,表現(xiàn)出驚人的長期穩(wěn)定性,這對于需要長壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用至關(guān)重要。Dalicap電容具備很好的高溫工作能力,最高工作溫度可達(dá)+200°C甚至+250°C。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)在高溫下仍能保持優(yōu)異的絕緣電阻和容值穩(wěn)定性,避免了因過熱導(dǎo)致的性能退化。這使得它們能夠直接應(yīng)用于汽車發(fā)動機(jī)控制單元(ECU)、航空航天設(shè)備的熱敏感區(qū)域,簡化了熱管...

    2025-10-05
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