深圳揚(yáng)興有源晶振應(yīng)用

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-10-23

有源晶振內(nèi)置的晶體管是保障輸出信號(hào)高質(zhì)量與穩(wěn)定性的主要組件,其選型與電路設(shè)計(jì)直接決定時(shí)鐘信號(hào)的純凈度和持續(xù)可靠性。這類(lèi)晶體管多為低噪聲高頻型號(hào)(如 NPN 型高頻硅管),部分型號(hào)采用差分對(duì)管架構(gòu),能從源頭抑制雜波干擾 —— 相較于外部分立晶體管,內(nèi)置晶體管與晶體諧振器、反饋電路的距離更近,寄生參數(shù)(如寄生電容、引線(xiàn)電感)可減少 50% 以上,有效避免外部接線(xiàn)引入的噪聲,使輸出信號(hào)的相位噪聲優(yōu)化至 1kHz 偏移時(shí)低于 - 130dBc/Hz,遠(yuǎn)優(yōu)于無(wú)源晶振搭配外部晶體管的噪聲表現(xiàn)。有源晶振助力設(shè)備小型化,減少內(nèi)部電路占用空間。深圳揚(yáng)興有源晶振應(yīng)用

深圳揚(yáng)興有源晶振應(yīng)用,有源晶振

通信設(shè)備對(duì)頻率的需求集中在 “寬覆蓋、高穩(wěn)定、低噪聲、可微調(diào)” 四大維度,有源晶振的重要參數(shù)特性恰好精確匹配,成為通信系統(tǒng)的關(guān)鍵時(shí)鐘源。從頻率覆蓋范圍看,通信設(shè)備需適配多模塊時(shí)鐘需求:5G 基站的射頻單元需 2.6GHz 高頻時(shí)鐘,光模塊(100Gbps)依賴(lài) 156.25MHz 基準(zhǔn)時(shí)鐘,路由器的主控單元?jiǎng)t需 25MHz 低頻時(shí)鐘。有源晶振可覆蓋 1kHz-10GHz 頻率范圍,通過(guò)不同封裝(如 SMD、DIP)直接適配各模塊,無(wú)需額外設(shè)計(jì)分頻 / 倍頻電路,避免頻率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的信號(hào)損耗。深圳NDK有源晶振批發(fā)有源晶振的頻率精度,滿(mǎn)足大多數(shù)高精度電子設(shè)備需求。

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有源晶振實(shí)現(xiàn)低噪聲輸出的在于底層技術(shù)優(yōu)化:一是選用高純度石英晶體與低噪聲高頻晶體管,晶體的低振動(dòng)噪聲特性(振動(dòng)噪聲 < 0.1nm/√Hz)與晶體管的低噪聲系數(shù)(NF<1.5dB)從源頭減少噪聲產(chǎn)生;二是內(nèi)置多級(jí) RC 低通濾波與共模抑制電路,可濾除電源鏈路的紋波噪聲(將 100mV 紋波抑制至 1mV 以下)與振蕩環(huán)節(jié)的高頻雜波(濾除 100MHz 以上諧波);三是部分型號(hào)采用差分輸出架構(gòu)(如 LVDS 接口),能抵消傳輸過(guò)程中的共模噪聲,使輸出信號(hào)的幅度噪聲波動(dòng)控制在 ±2% 以?xún)?nèi),相位噪聲在 1kHz 偏移時(shí)低至 - 135dBc/Hz,遠(yuǎn)優(yōu)于無(wú)源晶振(相位噪聲約 - 110dBc/Hz)。

藍(lán)牙模塊(如 BLE 低功耗模塊、經(jīng)典藍(lán)牙模塊)的時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)常面臨 “元件多、布局密、調(diào)試繁” 的痛點(diǎn),而有源晶振通過(guò)集成化設(shè)計(jì),能從環(huán)節(jié)簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu),適配模塊小型化與低功耗需求。從傳統(tǒng)方案的復(fù)雜性來(lái)看,藍(lán)牙模塊多依賴(lài) 26MHz 無(wú)源晶振提供時(shí)鐘(匹配藍(lán)牙協(xié)議的射頻頻率),但無(wú)源晶振需搭配 4-5 個(gè)元件才能工作:包括 2 顆負(fù)載電容(通常為 12pF-22pF,用于校準(zhǔn)振蕩頻率)、1 顆反饋電阻(1MΩ-10MΩ,維持振蕩穩(wěn)定),部分高功率模塊還需外接反相器芯片(如 74HCU04)增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力。這些元件需在狹小的藍(lán)牙模塊 PCB(常只 10mm×8mm)上密集布局,不僅占用 30% 以上的布線(xiàn)空間,還需反復(fù)調(diào)試負(fù)載電容值 —— 若電容偏差 5%,可能導(dǎo)致藍(lán)牙頻率偏移超 20ppm,觸發(fā)通信斷連,調(diào)試周期常達(dá) 1-2 天。消費(fèi)電子設(shè)備追求簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),有源晶振是理想選擇之一。

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有源晶振的內(nèi)置振蕩器已集成完整功能模塊:首先,高純度石英晶體作為諧振單元,確保頻率基準(zhǔn)精度;其次,內(nèi)置低噪聲高頻晶體管構(gòu)成放大電路,可將晶體產(chǎn)生的毫伏級(jí)微弱振蕩信號(hào),線(xiàn)性放大至符合系統(tǒng)需求的標(biāo)準(zhǔn)電平(如 3.3V CMOS、5V TTL),無(wú)需外部放大管;同時(shí),反饋控制電路實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)振蕩幅度,自動(dòng)調(diào)整放大倍數(shù),避免信號(hào)過(guò)沖或衰減,替代了外部反饋電阻的作用。此外,振蕩器還集成起振加速模塊,通電后 0.1-1ms 內(nèi)即可穩(wěn)定振蕩,無(wú)需等待外部驅(qū)動(dòng)電路預(yù)熱,響應(yīng)速度遠(yuǎn)快于傳統(tǒng)方案。有源晶振幫助工程師減少電路設(shè)計(jì)步驟,縮短開(kāi)發(fā)周期。重慶有源晶振采購(gòu)

有源晶振的便捷使用特性,受到電子工程師認(rèn)可。深圳揚(yáng)興有源晶振應(yīng)用

傳統(tǒng)方案中,無(wú)源晶振輸出的信號(hào)存在多類(lèi)缺陷,需依賴(lài)復(fù)雜調(diào)理電路彌補(bǔ):一是信號(hào)幅度微弱(只毫伏級(jí)),需外接低噪聲放大器(如 OPA847)將信號(hào)放大至標(biāo)準(zhǔn)電平(3.3V/5V),否則無(wú)法驅(qū)動(dòng)后續(xù)芯片;二是噪聲干擾嚴(yán)重,需配置 π 型濾波網(wǎng)絡(luò)(含電感、2-3 顆電容)濾除電源紋波,加 EMI 屏蔽濾波器抑制輻射雜波,避免噪聲導(dǎo)致信號(hào)失真;三是電平不兼容,若后續(xù)芯片需 LVDS 電平(如 FPGA),而無(wú)源晶振輸出 CMOS 電平,需額外加電平轉(zhuǎn)換芯片(如 SN75LBC184);四是阻抗不匹配,不同負(fù)載(如射頻模塊、MCU)需不同阻抗(50Ω/75Ω),需外接匹配電阻(如 0402 封裝的 50Ω 電阻),否則信號(hào)反射導(dǎo)致傳輸損耗。這些調(diào)理電路需占用 10-15mm2 PCB 空間,且需反復(fù)調(diào)試參數(shù)(如放大器增益、濾波電容容值),增加設(shè)計(jì)復(fù)雜度。深圳揚(yáng)興有源晶振應(yīng)用