共集放大電路又稱射極輸出器,在該電路中,集電極作為公共電極,輸入信號加在基極和集電極之間,輸出信號從發(fā)射極和集電極之間取出。NPN 型小功率三極管在共集放大電路中同樣工作在放大區(qū),其 重要特點是電壓放大倍數(shù)小于 1 且近似等于 1,輸出電壓與輸入電壓同相位,即輸出電壓跟隨輸入電壓變化,因此也被稱為電壓跟隨器。雖然共集放大電路的電壓放大能力較弱,但它具有輸入電阻高、輸出電阻低的優(yōu)點,輸入電阻高可以減小信號源的負(fù)載效應(yīng),輸出電阻低則可以提高電路的帶負(fù)載能力,能夠驅(qū)動阻抗較低的負(fù)載?;谶@些特點,共集放大電路常用于多級放大電路的輸入級、輸出級或中間隔離級,例如在測量儀器的輸入電路中,采用共集放大電路可以減少對被測信號的影響;在功率放大電路的輸出級前,使用共集放大電路可以起到緩沖作用,提高整個電路的帶負(fù)載能力。檢測其好壞可先用萬用表測PN結(jié)導(dǎo)通性,再估測β,正向壓降異?;颚逻^低均說明器件可能失效。線下市場高精度NPN型晶體三極管參數(shù)測試

要使 NPN 型小功率晶體三極管正常工作,必須滿足特定的偏置條件,即發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置是指在基極和發(fā)射極之間施加正向電壓,對于硅材料的三極管,這個正向電壓通常在 0.6-0.7V 左右,此時發(fā)射區(qū)的自由電子在正向電場的作用下,會大量越過發(fā)射結(jié)進入基區(qū);集電結(jié)反向偏置則是在基極和集電極之間施加反向電壓,該電壓值通常比發(fā)射結(jié)正向電壓大得多,反向電場會阻止基區(qū)的空穴向集電區(qū)移動,同時能將基區(qū)中未與空穴復(fù)合的自由電子 “拉” 向集電區(qū)。當(dāng)滿足這兩個偏置條件時,三極管內(nèi)部會形成較大的集電極電流,且集電極電流會隨著基極電流的微小變化而發(fā)生明顯變化,從而實現(xiàn)電流放大功能。汽車電子批量采購NPN型晶體三極管信噪比80dB低頻管如 9014,fT 約 150MHz;高頻管如 S9018,fT 可達(dá) 1GHz 以上。

ICEO 是基極開路時集電極 - 發(fā)射極反向電流,ICEO≈(1+β) ICBO,因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大,ICEO 的溫度敏感性極強,會導(dǎo)致電路靜態(tài)電流增大,功耗上升。抑制 ICEO 的方法:一是選擇 ICBO 小的硅管,硅管 ICBO 遠(yuǎn)小于鍺管;二是在基極與地之間接泄放電阻 RB,使 IB=ICEO/(1+β),減小 ICEO 對 IC 的影響;三是采用分壓式偏置電路,通過 RE 的負(fù)反饋穩(wěn)定 IC。例如在高精度電流源電路中,基極接 100kΩ 泄放電阻,當(dāng) ICEO=10μA(β=100)時,IB=0.1μA,對 IC 的影響可忽略不計,確保電流源輸出穩(wěn)定。
NPN 型小功率晶體三極管的輸出特性曲線是以基極電流(IB)為參變量,描述集電極電流(IC)與集電極 - 發(fā)射極電壓(VCE)之間關(guān)系的一族曲線。輸出特性曲線通常分為三個區(qū)域:截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是指 IB=0 時的區(qū)域,此時 IC 很小,近似為零,三極管相當(dāng)于開路,一般當(dāng) VBE 小于死區(qū)電壓時,三極管工作在截止區(qū);放大區(qū)的特點是 IC 基本不隨 VCE 的變化而變化,與 IB 成正比,即 IC=βIB,此時三極管具有穩(wěn)定的電流放大能力,是放大電路中三極管的主要工作區(qū)域,在該區(qū)域內(nèi),發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置;飽和區(qū)是指當(dāng) VCE 較小時,IC 不再隨 IB 的增大而線性增大,此時 IC 達(dá)到飽和值(ICS),三極管相當(dāng)于短路,飽和時的 VCE 稱為飽和壓降(VCE (sat)),小功率 NPN 型三極管的 VCE (sat) 通常在 0.1-0.3V 之間,飽和區(qū)常用于開關(guān)電路中,實現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。三極管燒毀多因 IC 超 ICM、PC 超 PCM,或 VCE 超擊穿電壓。

共射放大電路的失真,有截止失真和飽和失真:截止失真是因靜態(tài)工作點過低,輸入信號負(fù)半周使三極管進入截止區(qū),輸出信號正半周被削波,解決方法是減小 RB(增大 IBQ)或提高 VCC;飽和失真是因靜態(tài)工作點過高,輸入信號正半周使三極管進入飽和區(qū),輸出信號負(fù)半周被削波,解決方法是增大 RB(減小 IBQ)、減小 RC 或降低 VCC。例如當(dāng)輸入正弦信號時,若示波器顯示輸出波形頂部被削,為截止失真,可將 RB 從 100kΩ 調(diào)至 80kΩ,增大 IBQ;若底部被削,為飽和失真,可將 RC 從 2kΩ 調(diào)至 3kΩ,降低 ICQ。Cbc 易形成密勒效應(yīng),大幅降低電路上限截止頻率,高頻應(yīng)用需選小 Cbc 型號。線上渠道抗輻射NPN型晶體三極管價格優(yōu)惠
分壓式偏置穩(wěn)定性好,靠 RB1、RB2 分壓和 RE 抑制 IC 漂移,應(yīng)用廣。線下市場高精度NPN型晶體三極管參數(shù)測試
共基放大電路以基極接地,輸入信號加在 EB 間,輸出信號從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū),優(yōu)勢是頻率響應(yīng)好(上限截止頻率高),因基極接地減少了極間電容的影響,適合高頻信號放大;缺點是電流放大倍數(shù) < 1(Ai≈α<1,α=IC/IE),輸入電阻小。常用于高頻通信、射頻電路,如收音機的中頻放大電路、手機的射頻信號預(yù)處理電路。例如在FM 收音機,共基電路將調(diào)諧后的高頻信號(10.7MHz)放大,同時避免高頻信號因極間電容衰減,保證接收靈敏度。線下市場高精度NPN型晶體三極管參數(shù)測試
成都三福電子科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才,集企業(yè)奇思,創(chuàng)經(jīng)濟奇跡,一群有夢想有朝氣的團隊不斷在前進的道路上開創(chuàng)新天地,繪畫新藍(lán)圖,在四川省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽,信奉著“爭取每一個客戶不容易,失去每一個用戶很簡單”的理念,市場是企業(yè)的方向,質(zhì)量是企業(yè)的生命,在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下,全體上下,團結(jié)一致,共同進退,齊心協(xié)力把各方面工作做得更好,努力開創(chuàng)工作的新局面,公司的新高度,未來成都三福電子科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來,即使現(xiàn)在有一點小小的成績,也不足以驕傲,過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗,才能繼續(xù)上路,讓我們一起點燃新的希望,放飛新的夢想!