LC 振蕩電路的頻率穩(wěn)定性由 LC 諧振回路的 Q 值決定,Q 值越高,頻率穩(wěn)定性越好。小功率 NPN 管的極間電容(尤其是 Cbc)會(huì)影響 LC 回路的等效電容,導(dǎo)致頻率漂移,解決方法是選擇 Cbc 小的高頻三極管(如 2SC3355),并在三極管與 LC 回路間加入隔離電路(如共基電路),減少極間電容對(duì)回路的影響。此外,采用溫度系數(shù)小的電容(如云母電容)和電感(如密封電感),可進(jìn)一步降低溫度變化對(duì)頻率的影響。例如在 27MHz 的無線話筒振蕩電路中,用 Cbc=1.5pF 的 2SC3355 管,配合云母電容(溫度系數(shù) ±50ppm/℃),頻率漂移可控制在 ±1kHz 以內(nèi)。RC 振蕩電路起振需 AF≥1,A 為放大倍數(shù),F(xiàn) 為反饋系數(shù)。北京高速開關(guān)NPN型晶體三極管詢價(jià)

NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)對(duì)溫度變化非常敏感,溫度的變化會(huì)影響其性能。首先,溫度升高時(shí),基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 會(huì)減小,通常溫度每升高 1℃,VBE 約減小 2-2.5mV,這會(huì)導(dǎo)致基極電流 IB 增大,進(jìn)而使集電極電流 IC 增大,可能導(dǎo)致電路靜態(tài)工作點(diǎn)漂移;其次,溫度升高會(huì)使電流放大系數(shù) β 增大,一般溫度每升高 10℃,β 值約增大 10%-20%,β 值的增大同樣會(huì)使 IC 增大,加劇工作點(diǎn)的不穩(wěn)定;另外,溫度升高還會(huì)使集電極反向飽和電流 ICBO 增大,ICBO 是指發(fā)射極開路時(shí),集電極與基極之間的反向電流,由于 ICBO 具有正溫度系數(shù),溫度每升高 10℃,ICBO 約增大一倍,而 ICEO(基極開路時(shí)集電極與發(fā)射極之間的反向電流)約為 ICBO 的(1+β)倍,因此 ICEO 隨溫度的變化更為明顯,這會(huì)導(dǎo)致三極管的穩(wěn)定性下降,甚至在無信號(hào)輸入時(shí)出現(xiàn)較大的輸出電流。全國貼片式NPN型晶體三極管物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備應(yīng)用價(jià)格汽車電子中,三極管驅(qū)動(dòng)電路 PCB 輸入輸出回路垂直布局,降 EMI。

常見故障有:一是三極管燒毀,多因 IC 超過 ICM、PC 超過 PCM 或 VCE 超過 V (BR) CEO,排查時(shí)用萬用表測 CE 間電阻,若為 0Ω(短路)或無窮大(開路),說明燒毀,需更換參數(shù)匹配的三極管;二是放大能力下降,表現(xiàn)為輸出信號(hào)幅度減小,測 β 值若明顯低于標(biāo)稱值,需更換三極管;三是開關(guān)失控,導(dǎo)通時(shí) CE 壓降過大(未飽和),需增大 IB(減小 RB),截止時(shí) IC 過大(漏電),需更換質(zhì)量合格的三極管;四是溫度漂移,IC 隨溫度升高而增大,需增加溫度補(bǔ)償電路(如在 RB 旁并聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻)。
在正常工作狀態(tài)下,NPN 型小功率晶體三極管的三個(gè)電極電流之間存在嚴(yán)格的分配關(guān)系,遵循基爾霍夫電流定律。具體來說,發(fā)射極電流(IE)等于基極電流(IB)與集電極電流(IC)之和,即 IE = IB + IC。在電流放大區(qū)域,集電極電流與基極電流的比值基本保持恒定,這個(gè)比值被稱為電流放大系數(shù)(β),表達(dá)式為 β = IC / IB,β 值是衡量三極管電流放大能力的重要參數(shù),小功率 NPN 型三極管的 β 值通常在 20-200 之間,部分高 β 值型號(hào)可達(dá)到 300 以上。由于 β 值遠(yuǎn)大于 1,所以集電極電流遠(yuǎn)大于基極電流,而發(fā)射極電流則略大于集電極電流。這種電流分配關(guān)系是三極管實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的基礎(chǔ),例如在音頻放大電路中,微弱的音頻信號(hào)電流作為基極電流輸入,經(jīng)過三極管放大后,就能在集電極得到幅度較大的輸出電流,進(jìn)而推動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)聲。繼電器驅(qū)動(dòng)電路中,需并續(xù)流二極管防線圈反向電動(dòng)勢擊穿三極管。

RC 橋式振蕩電路起振需滿足 AF≥1(A 為放大倍數(shù),F(xiàn) 為反饋系數(shù)),F(xiàn)=1/3(RC 串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)),因此 A≥3。調(diào)試時(shí),若電路無振蕩輸出,首先檢查放大電路是否工作在放大區(qū),用萬用表測 VCE,若 VCE≈VCC(截止)或 VCE≈0.3V(飽和),需調(diào)整偏置電阻使 VCE≈VCC/2;其次增大放大倍數(shù),如更換 β 更大的三極管或增加放大級(jí)數(shù);檢查 RC 網(wǎng)絡(luò)連接是否正確,確保正反饋相位無誤。例如用 9014 管組成 RC 振蕩電路,若 VCE=11V(VCC=12V),說明三極管截止,需減小 RB1(從 10kΩ 調(diào)至 8kΩ),使 VCE 降至 6V,滿足起振條件。三極管補(bǔ)償法用同型號(hào)管發(fā)射結(jié)并聯(lián),抵消參數(shù)溫度漂移。山東低功耗NPN型晶體三極管航空航天電子系統(tǒng)采購渠道
它有三個(gè)極間電容:Cbe、Cbc、Cce,影響高頻性能。北京高速開關(guān)NPN型晶體三極管詢價(jià)
溫度對(duì) NPN 型小功率三極管參數(shù)影響比較明顯:一是 VBE 隨溫度升高而減小,每升高 1℃,VBE 下降 2-2.5mV,可能導(dǎo)致 IB 增大、IC 漂移;二是 β 隨溫度升高而增大,每升高 10℃,β 增大 10%-20%,加劇 IC 不穩(wěn)定;三是集電極反向飽和電流 ICBO(發(fā)射極開路時(shí) CB 反向電流)隨溫度升高呈指數(shù)增長,每升高 10℃,ICBO 翻倍,而 ICEO(基極開路時(shí) CE 反向電流)≈(1+β) ICBO,變化更劇烈。例如在高溫環(huán)境(如汽車電子)中,需通過溫度補(bǔ)償電路(如并聯(lián)二極管)抵消溫度對(duì)參數(shù)的影響。北京高速開關(guān)NPN型晶體三極管詢價(jià)
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