共集放大電路(射極輸出器)以集電極接地,輸入信號加在 BC 間,輸出信號從 BE 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū), 重要特點(diǎn)是電壓放大倍數(shù)≈1(Av<1),輸出與輸入同相(無反相),輸入電阻高(ri≈βRL,RL 為負(fù)載電阻)、輸出電阻低(ro≈ri/β)。雖無電壓放大能力,但帶負(fù)載能力強(qiáng),常用于多級放大電路的輸入級、輸出級或隔離級。例如在傳感器信號采集電路時(shí),共集電路作為輸入級,高輸入電阻可減少對傳感器輸出信號的衰減;在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中,作為輸出級,低輸出電阻可穩(wěn)定 LED 工作電流。共射電路飽和失真源于工作點(diǎn)高,需增大 RB、減小 RC 或降 VCC 解決。江蘇小功率NPN型晶體三極管軌道交通信號系統(tǒng)定制服務(wù)

反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù),主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓(V (BR) CBO)、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓(V (BR) CEO)和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓(V (BR) EBO)。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開路時(shí),集電極與基極之間所能承受的 反向電壓,若超過此電壓,集電結(jié)會發(fā)生反向擊穿,導(dǎo)致反向電流急劇增大;V (BR) CEO 是指基極開路時(shí),集電極與發(fā)射極之間的反向電壓,其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO,因?yàn)榛鶚O開路時(shí),集電結(jié)的反向擊穿會通過基區(qū)影響發(fā)射結(jié),使得 V (BR) CEO 降低;V (BR) EBO 是指集電極開路時(shí),發(fā)射極與基極之間的反向電壓,由于發(fā)射結(jié)通常工作在正向偏置狀態(tài),對反向電壓的耐受能力較弱,所以 V (BR) EBO 的數(shù)值較小,一般在幾伏到十幾伏之間。在電路設(shè)計(jì)中,必須確保三極管實(shí)際工作時(shí)的電壓不超過對應(yīng)的反向擊穿電壓,否則會導(dǎo)致三極管損壞。湖南低功耗NPN型晶體三極管5G通信設(shè)備應(yīng)用價(jià)格咨詢工業(yè)控制中,直插三極管驅(qū)動(dòng)繼電器,便于后期維修更換。

針對三極管參數(shù)隨溫度漂移的問題,可采用 NPN 管自身組成溫度補(bǔ)償電路,常見的有 diode 補(bǔ)償和三極管補(bǔ)償。diode 補(bǔ)償是將二極管與基極串聯(lián),二極管正向壓降隨溫度變化與 VBE 一致(每升高 1℃,均下降 2-2.5mV),抵消 VBE 的漂移;三極管補(bǔ)償是用另一支同型號三極管的發(fā)射結(jié)與原三極管發(fā)射結(jié)并聯(lián),利用兩只管子參數(shù)的一致性,使溫度漂移相互抵消。例如在共射放大電路中,基極串聯(lián) 1N4148 二極管,當(dāng)溫度升高 10℃,VBE 下降 25mV,二極管正向壓降也下降 25mV,確保 IB 基本不變,IC 穩(wěn)定。
利用 NPN 型小功率三極管可制作簡易測試電路,如電池電量檢測器:三極管基極通過電阻接電池正極,發(fā)射極接 LED,集電極接地,當(dāng)電池電壓高于閾值(VB=VBE+VLED≈0.7+2=2.7V)時(shí),IB>0,三極管導(dǎo)通,LED 點(diǎn)亮;當(dāng)電壓低于 2.7V 時(shí),IB=0,LED 熄滅。例如檢測 1.5V 干電池,基極電阻 RB=(1.5-0.7)/10μA=80kΩ,當(dāng)電池電壓≥0.7V 時(shí),LED 點(diǎn)亮,直觀判斷電池是否有電。此外,還可制作 continuity 測試儀,通過三極管放大電流,使蜂鳴器發(fā)聲,檢測電路通斷。5V 繼電器驅(qū)動(dòng),基極電阻選 4.3kΩ,確保 IB=1mA,滿足驅(qū)動(dòng)需求。

集電極最大允許電流 ICM 是指 NPN 型小功率晶體三極管在正常工作時(shí),集電極所能通過的最大電流值。當(dāng)集電極電流 IC 超過 ICM 時(shí),三極管的電流放大系數(shù) β 會明顯下降,雖然此時(shí)三極管可能不會立即損壞,但會導(dǎo)致電路的放大性能變差,無法滿足設(shè)計(jì)要求。ICM 的數(shù)值與三極管的封裝形式、散熱條件密切相關(guān),相同型號的三極管,采用散熱性能更好的封裝時(shí),ICM 會有所增大;同時(shí),若電路中為三極管配備了散熱片,也能在一定程度上提高 ICM 的實(shí)際可用值。小功率 NPN 型三極管的 ICM 通常在幾十毫安到幾百毫安之間,例如常用的 9013 三極管,其 ICM 約為 500mA,而 9014 三極管的 ICM 約為 100mA。在選擇三極管時(shí),需要根據(jù)電路中集電極的最大工作電流來確定 ICM,確保 ICM 大于實(shí)際工作電流,以保證三極管的正常工作和電路性能的穩(wěn)定。溫度升高 1℃,VBE 下降 2-2.5mV,二極管正向壓降也同幅下降。湖南高頻NPN型晶體三極管傳感器信號調(diào)理應(yīng)用定制
三極管開關(guān)速度由 ton 和 toff 決定,小功率管多在幾十到幾百 ns。江蘇小功率NPN型晶體三極管軌道交通信號系統(tǒng)定制服務(wù)
NPN 型小功率晶體三極管是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件,其 重要結(jié)構(gòu)由三層半導(dǎo)體材料構(gòu)成,分別為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)采用高摻雜的 N 型半導(dǎo)體,目的是提高載流子(自由電子)的濃度,便于后續(xù)載流子的發(fā)射;基區(qū)為 P 型半導(dǎo)體,其摻雜濃度低,而且物理厚度極薄,通常有幾微米到幾十微米,這種設(shè)計(jì)能讓發(fā)射區(qū)注入的載流子快速穿過基區(qū),減少在基區(qū)的復(fù)合損耗;集電區(qū)同樣是 N 型半導(dǎo)體,面積比發(fā)射區(qū)大得多,主要作用是高效收集從基區(qū)過來的載流子。三個(gè)區(qū)域分別引出三個(gè)電極,對應(yīng)發(fā)射極(E)、基極(B)和集電極(C),電極的引出方式和位置會根據(jù)三極管的封裝形式有所差異,常見的封裝有 TO-92、SOT-23 等,這些封裝既能保護(hù)內(nèi)部半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),又能方便在電路中焊接安裝。江蘇小功率NPN型晶體三極管軌道交通信號系統(tǒng)定制服務(wù)
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