江蘇環(huán)保型NPN型晶體三極管開關(guān)電源電路應用維修

共集放大電路（射極輸出器）以集電極接地，輸入信號加在 BC 間，輸出信號從 BE 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)， 重要特點是電壓放大倍數(shù)≈1（Av<1），輸出與輸入同相（無反相），輸入電阻高（ri≈βRL，RL 為負載電阻）、輸出電阻低（ro≈ri/β）。雖無電壓放大能力，但帶負載能力強，常用于多級放大電路的輸入級、輸出級或隔離級。例如在傳感器信號采集電路時，共集電路作為輸入級，高輸入電阻可減少對傳感器輸出信號的衰減；在 LED 驅(qū)動電路中，作為輸出級，低輸出電阻可穩(wěn)定 LED 工作電流。ICEO 是基極開路時 CE 反向電流，溫度敏感性強，會增大電路功耗。江蘇環(huán)保型NPN型晶體三極管開關(guān)電源電路應用維修

溫度對 NPN 型小功率三極管參數(shù)影響比較明顯：一是 VBE 隨溫度升高而減小，每升高 1℃，VBE 下降 2-2.5mV，可能導致 IB 增大、IC 漂移；二是 β 隨溫度升高而增大，每升高 10℃，β 增大 10%-20%，加劇 IC 不穩(wěn)定；三是集電極反向飽和電流 ICBO（發(fā)射極開路時 CB 反向電流）隨溫度升高呈指數(shù)增長，每升高 10℃，ICBO 翻倍，而 ICEO（基極開路時 CE 反向電流）≈(1+β) ICBO，變化更劇烈。例如在高溫環(huán)境（如汽車電子）中，需通過溫度補償電路（如并聯(lián)二極管）抵消溫度對參數(shù)的影響。江蘇高增益NPN型晶體三極管消費電子電路應用采購二極管補償法中，二極管與基極串聯(lián)，抵消 VBE 的溫度漂移。

要讓 NPN 型小功率三極管實現(xiàn)放大或開關(guān)功能，需滿足特定偏置：發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置指基極電壓（VB）高于發(fā)射極電壓（VE），硅管正向壓降約 0.6-0.7V，此時發(fā)射區(qū)自由電子在電場作用下越過發(fā)射結(jié)進入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置指集電極電壓（VC）高于基極電壓（VB），反向電場阻止基區(qū)空穴向集電區(qū)移動，同時 “牽引” 基區(qū)未復合的自由電子進入集電區(qū)。若偏置條件不滿足，如發(fā)射結(jié)反偏，三極管會進入截止狀態(tài)；若集電結(jié)正偏，則可能進入飽和狀態(tài)，無法實現(xiàn)正常放大。

在正常工作狀態(tài)下，NPN 型小功率晶體三極管的三個電極電流之間存在嚴格的分配關(guān)系，遵循基爾霍夫電流定律。具體來說，發(fā)射極電流（IE）等于基極電流（IB）與集電極電流（IC）之和，即 IE = IB + IC。在電流放大區(qū)域，集電極電流與基極電流的比值基本保持恒定，這個比值被稱為電流放大系數(shù)（β），表達式為 β = IC / IB，β 值是衡量三極管電流放大能力的重要參數(shù)，小功率 NPN 型三極管的 β 值通常在 20-200 之間，部分高 β 值型號可達到 300 以上。由于 β 值遠大于 1，所以集電極電流遠大于基極電流，而發(fā)射極電流則略大于集電極電流。這種電流分配關(guān)系是三極管實現(xiàn)信號放大的基礎，例如在音頻放大電路中，微弱的音頻信號電流作為基極電流輸入，經(jīng)過三極管放大后，就能在集電極得到幅度較大的輸出電流，進而推動揚聲器發(fā)聲。LED 驅(qū)動中，射極輸出器串聯(lián) 15Ω 電阻，使 RL 與 ro 匹配，亮度穩(wěn)定。

NPN 型小功率晶體三極管的 重要半導體材料多為硅，少數(shù)特殊場景用鍺。硅材料的優(yōu)勢在于禁帶寬度約 1.1eV，常溫下反向漏電流遠小于鍺管，穩(wěn)定性更強，這也是硅管成為主流的關(guān)鍵原因。例如常用的 901 系列、8050 系列均為硅管，在 25℃環(huán)境下，ICBO（集電極 - 基極反向飽和電流）通常小于 10nA；而鍺管 ICBO 可達數(shù) μA，在對成本極端敏感且工作電流極小的簡易電路（如老式礦石收音機）中應用。此外，硅管的溫度耐受范圍更廣（-55℃~150℃），能適配多數(shù)民用電子設備的工作環(huán)境，鍺管則因溫度穩(wěn)定性差，逐漸被硅管取代。變壓器耦合可阻抗匹配，適合高頻功率放大，卻體積大、成本高。山東可焊接NPN型晶體三極管音頻放大電路應用批發(fā)

NPN型小功率晶體三極管多以硅為材料，有E、B、C三極，滿足偏置條件時可實現(xiàn)電流放大或開關(guān)功能。江蘇環(huán)保型NPN型晶體三極管開關(guān)電源電路應用維修

針對三極管參數(shù)隨溫度漂移的問題，可采用 NPN 管自身組成溫度補償電路，常見的有 diode 補償和三極管補償。diode 補償是將二極管與基極串聯(lián)，二極管正向壓降隨溫度變化與 VBE 一致（每升高 1℃，均下降 2-2.5mV），抵消 VBE 的漂移；三極管補償是用另一支同型號三極管的發(fā)射結(jié)與原三極管發(fā)射結(jié)并聯(lián)，利用兩只管子參數(shù)的一致性，使溫度漂移相互抵消。例如在共射放大電路中，基極串聯(lián) 1N4148 二極管，當溫度升高 10℃，VBE 下降 25mV，二極管正向壓降也下降 25mV，確保 IB 基本不變，IC 穩(wěn)定。江蘇環(huán)保型NPN型晶體三極管開關(guān)電源電路應用維修

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