貼片式NPN型晶體三極管價(jià)格

共射放大電路是 NPN 型小功率管的經(jīng)典應(yīng)用，發(fā)射極接地，輸入信號加在 BE 間，輸出信號從 CE 間取出。電路中，RB（基極偏置電阻）控制 IB，確定靜態(tài)工作點(diǎn)；RC（集電極負(fù)載電阻）將 IC 變化轉(zhuǎn)化為 VCE 變化，實(shí)現(xiàn)電壓放大。該電路的優(yōu)勢是電壓放大倍數(shù)高（Av=-βRC/ri，ri 為輸入電阻）、電流放大倍數(shù)大，缺點(diǎn)是輸入電阻小、輸出電阻大，輸出信號與輸入信號反相。例如在音頻前置放大電路中，用 9014 管組成共射電路，將麥克風(fēng)輸出的 mV 級信號放大至 V 級，為后級功率放大提供信號源。PC≤0.7PCM，VCE≤0.7V (BR) CEO，避免參數(shù)超標(biāo)損壞器件。貼片式NPN型晶體三極管價(jià)格

要使 NPN 型小功率晶體三極管正常工作，必須滿足特定的偏置條件，即發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置是指在基極和發(fā)射極之間施加正向電壓，對于硅材料的三極管，這個(gè)正向電壓通常在 0.6-0.7V 左右，此時(shí)發(fā)射區(qū)的自由電子在正向電場的作用下，會大量越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置則是在基極和集電極之間施加反向電壓，該電壓值通常比發(fā)射結(jié)正向電壓大得多，反向電場會阻止基區(qū)的空穴向集電區(qū)移動，同時(shí)能將基區(qū)中未與空穴復(fù)合的自由電子 “拉” 向集電區(qū)。當(dāng)滿足這兩個(gè)偏置條件時(shí)，三極管內(nèi)部會形成較大的集電極電流，且集電極電流會隨著基極電流的微小變化而發(fā)生明顯變化，從而實(shí)現(xiàn)電流放大功能。云南防靜電NPN型晶體三極管生物醫(yī)學(xué)檢測設(shè)備報(bào)價(jià)單簡易通斷測試儀中，它放大電流使蜂鳴器發(fā)聲，檢測電路通斷。

NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)對溫度變化非常敏感，溫度的變化會影響其性能。首先，溫度升高時(shí)，基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 會減小，通常溫度每升高 1℃，VBE 約減小 2-2.5mV，這會導(dǎo)致基極電流 IB 增大，進(jìn)而使集電極電流 IC 增大，可能導(dǎo)致電路靜態(tài)工作點(diǎn)漂移；其次，溫度升高會使電流放大系數(shù) β 增大，一般溫度每升高 10℃，β 值約增大 10%-20%，β 值的增大同樣會使 IC 增大，加劇工作點(diǎn)的不穩(wěn)定；另外，溫度升高還會使集電極反向飽和電流 ICBO 增大，ICBO 是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間的反向電流，由于 ICBO 具有正溫度系數(shù)，溫度每升高 10℃，ICBO 約增大一倍，而 ICEO（基極開路時(shí)集電極與發(fā)射極之間的反向電流）約為 ICBO 的（1+β）倍，因此 ICEO 隨溫度的變化更為明顯，這會導(dǎo)致三極管的穩(wěn)定性下降，甚至在無信號輸入時(shí)出現(xiàn)較大的輸出電流。

共射放大電路是 NPN 型小功率晶體三極管常用的應(yīng)用電路之一，其特點(diǎn)是發(fā)射極作為公共電極，輸入信號加在基極和發(fā)射極之間，輸出信號從集電極和發(fā)射極之間取出。在共射放大電路中，三極管工作在放大區(qū)，通過設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，確保輸入交流信號在整個(gè)周期內(nèi)都能被有效放大，避免出現(xiàn)截止失真或飽和失真。電路中的偏置電阻（如 RB1、RB2）用于提供基極偏置電流，確定靜態(tài)工作點(diǎn)；集電極電阻 RC 則用于將集電極電流的變化轉(zhuǎn)化為電壓的變化，實(shí)現(xiàn)電壓放大。共射放大電路具有較高的電壓放大倍數(shù)和電流放大倍數(shù)，同時(shí)輸出信號與輸入信號相位相反，因此也被稱為反相放大電路。這種電路廣泛應(yīng)用于音頻放大、信號預(yù)處理等領(lǐng)域，例如在收音機(jī)的中頻放大電路中，就大量采用 NPN 型小功率三極管組成共射放大電路，將接收到的微弱中頻信號放大，為后續(xù)的解調(diào)電路提供足夠幅度的信號?；鶚O并加速電容，可縮短載流子存儲時(shí)間，加快開關(guān)速度。

在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，選擇合適的 NPN 型小功率晶體三極管需要綜合考慮多方面因素，確保所選三極管能夠滿足電路的性能要求。首先，根據(jù)電路的工作電流確定集電極最大允許電流 ICM，必須保證電路中集電極的最大工作電流小于 ICM；其次，根據(jù)電路的工作電壓確定反向擊穿電壓，特別是集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓 V (BR) CEO，要確保電路中的電源電壓和動態(tài)電壓峰值不超過 V (BR) CEO；然后，根據(jù)電路的功耗要求確定集電極最大允許功耗 PCM，通過計(jì)算三極管的實(shí)際功耗（PC=IC×VCE），確保 PC 小于 PCM，必要時(shí)可考慮加裝散熱片；另外，根據(jù)電路的放大需求選擇合適的電流放大系數(shù) β，對于放大電路，需要選擇 β 值分壓式偏置穩(wěn)定性好，靠 RB1、RB2 分壓和 RE 抑制 IC 漂移，應(yīng)用廣。貼片式NPN型晶體三極管價(jià)格

汽車電子中，三極管驅(qū)動電路 PCB 輸入輸出回路垂直布局，降 EMI。貼片式NPN型晶體三極管價(jià)格

要讓 NPN 型小功率三極管實(shí)現(xiàn)放大或開關(guān)功能，需滿足特定偏置：發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置指基極電壓（VB）高于發(fā)射極電壓（VE），硅管正向壓降約 0.6-0.7V，此時(shí)發(fā)射區(qū)自由電子在電場作用下越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置指集電極電壓（VC）高于基極電壓（VB），反向電場阻止基區(qū)空穴向集電區(qū)移動，同時(shí) “牽引” 基區(qū)未復(fù)合的自由電子進(jìn)入集電區(qū)。若偏置條件不滿足，如發(fā)射結(jié)反偏，三極管會進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)；若集電結(jié)正偏，則可能進(jìn)入飽和狀態(tài)，無法實(shí)現(xiàn)正常放大。貼片式NPN型晶體三極管價(jià)格

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