2025年3月10日-12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì)

碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其***的物理性能，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通信、光伏、智能電網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域。當(dāng)前，碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)正快速發(fā)展，并逐漸成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的**技術(shù)之一。目前，碳化硅襯底廠商正在經(jīng)歷從6英寸到8英寸襯底的技術(shù)過(guò)渡。6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)相對(duì)成熟，但其生產(chǎn)成本較高，價(jià)格已大幅下降至2500-2800元（較2023年初下降超過(guò)40%）。與此相比，8英寸襯底技術(shù)的研發(fā)仍處于小批量生產(chǎn)階段，且受限于良率和均勻性等問(wèn)題，價(jià)格仍維持在8000-10000元之間。隨著競(jìng)爭(zhēng)的加劇，許多中小型襯底廠商采取低價(jià)策略來(lái)爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額，這導(dǎo)致了嚴(yán)重的“內(nèi)卷”，有可能出現(xiàn)低質(zhì)量的襯底產(chǎn)品，進(jìn)而影響下游應(yīng)用廠商的產(chǎn)品質(zhì)量與體驗(yàn)。長(zhǎng)期低于成本的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)可能使一些襯底廠商面臨資金鏈斷裂的風(fēng)險(xiǎn)，甚至導(dǎo)致破產(chǎn)清算。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展！2025年9月10-12日，深圳會(huì)展中心（福田） 2號(hào)館，誠(chéng)邀您蒞臨華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展，解鎖無(wú)限商機(jī)！2025年3月10日-12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì)

據(jù)在不同溫度下固結(jié)的氧化鋁陶瓷的密度，在900℃時(shí)(60.3%)，1100℃(81.9%)和1300℃(97.4%)，對(duì)應(yīng)于陶瓷燒結(jié)的初始、中間和**終階段。也就是說(shuō)，無(wú)論在燒結(jié)的初始階段、中間階段或**終階段，施加振蕩壓力，它都有助于加速致密化。此外，施加振蕩壓力的溫度越高，越有利于致密化。在燒結(jié)的中間和***階段使用振蕩壓力也可以促進(jìn)陶瓷的凝固。在所有三個(gè)階段中，暴露于振蕩壓力下的樣品的密度遠(yuǎn)高于通過(guò)一步躍點(diǎn)或高壓燒結(jié)的樣品的密度。通過(guò)HP獲得的樣品顯示出比HOP燒結(jié)樣品更多孔的結(jié)構(gòu)和更大的晶粒尺寸(1.75±0.27μm)。反過(guò)來(lái)，在HOP-ALL組的樣品中發(fā)現(xiàn)**小的晶粒尺寸(1.41±0.32μm)。因此，HOP-900、HOP-1100和HOP-1300試樣的粒度介于HP-ALL和HOP-ALL之間。振蕩壓力對(duì)晶粒生長(zhǎng)的影響可能來(lái)自晶界能量的降低或曲率半徑的增加，或兩者兼而有之。OPS燒結(jié)樣品的硬度高于HP燒結(jié)樣品的硬度；HOP1300的硬度高于HOP-1100和HOP-900。HOP-ALL組ce分支的硬度值比較高(20.98±0.25GPa)?；魻?佩奇效應(yīng)描述了陶瓷材料的硬度取決于晶粒尺寸和孔隙率。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展！3月10日至12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷及粉末冶金展覽會(huì)2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展，2025年9月10日深圳會(huì)展中心2號(hào)館（福田），誠(chéng)邀您蒞臨參展參觀！

半導(dǎo)體行業(yè)遵循“一代技術(shù)、一代工藝、一代設(shè)備”的產(chǎn)業(yè)規(guī)律，而半導(dǎo)體設(shè)備的升級(jí)迭代很大程度上依賴于精密零部件的技術(shù)突破。其中，精密陶瓷部件是相當(dāng)有有**的半導(dǎo)體精密部件材料，其在化學(xué)氣相沉積、物***相沉積、離子注入、刻蝕等一系列半導(dǎo)體主要制造環(huán)節(jié)均有重要應(yīng)用。如軸承、導(dǎo)軌、內(nèi)襯、靜電吸盤(pán)、機(jī)械搬運(yùn)臂等。尤其是在設(shè)備腔體內(nèi)部 ，發(fā)揮支撐、保護(hù)、導(dǎo)流等功能。2023年以來(lái)，荷蘭、日本也先后發(fā)布對(duì)管制新規(guī)或外貿(mào)法令，對(duì)光刻機(jī)在內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備增加出口許可令規(guī)定，半導(dǎo)體逆全球化趨勢(shì)逐漸顯露，供應(yīng)鏈自主可控重要性日益突出。面對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備零部件國(guó)產(chǎn)化的需求，國(guó)內(nèi)企業(yè)正積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。中瓷電子實(shí)現(xiàn)了加熱盤(pán)和靜電卡盤(pán)等技術(shù)難度高的精密零部件國(guó)產(chǎn)化，解決國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)“卡脖子”問(wèn)題；國(guó)內(nèi)頭部SiC涂層石墨基座、SiC蝕刻環(huán)供應(yīng)商德智新材在順利完成億元融資等。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展，就在9月10-12日，深圳會(huì)展中心（福田）2號(hào)館！

提到如何提高球磨機(jī)的產(chǎn)量，人們首先考慮的就是研磨體級(jí)配。其實(shí)，還有一個(gè)比較容易控制但常被人們忽略的工藝參數(shù)就是料球比，它對(duì)產(chǎn)量的影響可達(dá)5%~10%。料球比是指球磨機(jī)內(nèi)物料與研磨體的質(zhì)量之比。料球比實(shí)際上也就是各倉(cāng)的料層厚度，它與磨內(nèi)的物料流速密切相關(guān)。傳統(tǒng)觀念認(rèn)為一倉(cāng)應(yīng)露“半球”，二倉(cāng)料面與球面相等，三倉(cāng)研磨體上應(yīng)有10~20mm料層。 影響球磨機(jī)內(nèi)料球比的三個(gè)零件：它們分別是隔倉(cāng)板、揚(yáng)料板與卸料錐。物料在球磨機(jī)內(nèi)通過(guò)雙層隔倉(cāng)板的過(guò)程是：物料首先通過(guò)隔倉(cāng)板篦孔進(jìn)入卸料倉(cāng)，被隨磨機(jī)旋轉(zhuǎn)的揚(yáng)料板帶到一定高度后在重力作用下沿?fù)P料板面滑到卸料錐，再沿卸料錐斜面進(jìn)入下一倉(cāng)。上述3個(gè)零件中的任何一個(gè)的變化都會(huì)影響磨內(nèi)的料球比。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展，9月10-12日，深圳福田會(huì)展中心！ 先進(jìn)制造業(yè)前沿會(huì)議！聚焦先進(jìn)陶瓷行業(yè)熱點(diǎn)，就在9月10-12日，深圳福田會(huì)展中心，華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展！

據(jù)ING預(yù)測(cè)，2025 年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng) 9.5%，這得益于對(duì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)（包括人工智能）的強(qiáng)勁需求。然而，其他更成熟的細(xì)分市場(chǎng)的增長(zhǎng)預(yù)計(jì)將停滯不前。公司的預(yù)測(cè)低于 WSTS 和其他機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè)，但略高于 ASML 對(duì)該行業(yè)的長(zhǎng)期增長(zhǎng)預(yù)期。ING還預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商將推動(dòng)開(kāi)發(fā)自己的微芯片，因此預(yù)計(jì)**集成電路 (ASIC) 將崛起。大型超大規(guī)模運(yùn)營(yíng)商尋求相當(dāng)有成本效益的計(jì)算能力，因?yàn)樗麄冃枰畠r(jià)的 AI 模型推理和一些訓(xùn)練應(yīng)用程序。這可以通過(guò)定制的 ASIC 來(lái)實(shí)現(xiàn)。Broadcom 和 Marvel 等公司將幫助設(shè)計(jì)半導(dǎo)體，而臺(tái)積電將生產(chǎn)它們。隨著時(shí)間的推移，這些產(chǎn)品預(yù)計(jì)將從 AMD 和英特爾手中奪取市場(chǎng)份額。2025 年，ING將繼續(xù)看到前列內(nèi)存芯片的技術(shù)進(jìn)步和對(duì)高帶寬內(nèi)存的強(qiáng)勁需求。正如 Deepseek 所顯示的那樣，這種預(yù)期存在一些下行風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)閿?shù)據(jù)中心可能會(huì)在高帶寬內(nèi)存芯片上投資較少，而在高級(jí)計(jì)算芯片上投資較多。然而，隨著數(shù)據(jù)中心投資的增長(zhǎng)，未來(lái)對(duì)高級(jí)節(jié)點(diǎn)邏輯半導(dǎo)體的需求看起來(lái)很有希望。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展！ 共晶陶瓷：先進(jìn)陶瓷中的“一股清流”，了解共晶陶瓷的制備和應(yīng)用，就來(lái)9月華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展！3月10-12日上海市國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)

不入局就出局？2025華南先進(jìn)陶瓷展9月10-12日打開(kāi)華南市場(chǎng)新藍(lán)海，締造商貿(mào)引力場(chǎng)！2025年3月10日-12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì)

半導(dǎo)體晶圓芯片的制程主要涵蓋三段：（前段）晶片制造，（中段）芯片制造，（后段）封裝測(cè)試。（前段）晶片制造這一過(guò)程主要包括：拉單晶、磨外圓、切片、倒角、研磨拋光、清洗、檢測(cè)；（中段）晶圓芯片制造主要包括：氧化、擴(kuò)散等熱處理、薄膜沉積（CVD,PVD）、光刻、刻蝕、離子注入、金屬化、研磨拋光、測(cè)試；（后段）封裝測(cè)試主要涉及晶圓芯片切割、引線鍵合、塑封、測(cè)試等。整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括IC設(shè)計(jì)、IC制造、IC封裝測(cè)試幾大部分。涉及的關(guān)鍵工藝制程和設(shè)備包括：光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械拋光、高溫?zé)崽幚怼⒎庋b、測(cè)試等。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展將于9月10-12日在深圳會(huì)展中心（福田）2號(hào)館盛大開(kāi)幕！2025年3月10日-12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì)