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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-10-04

5G通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵作用5G技術(shù)推動(dòng)了對(duì)超寬帶電容的需求激增。在 Massive MIMO 天線系統(tǒng)中,每個(gè)天線單元都需要的射頻通道,超寬帶電容用于天線調(diào)諧、阻抗匹配和信號(hào)耦合。毫米波頻段的應(yīng)用尤其挑戰(zhàn)性,要求電容在28/39GHz等頻段保持穩(wěn)定性能。新型超寬帶電容采用低溫共燒陶瓷技術(shù),實(shí)現(xiàn)精確的尺寸控制和優(yōu)異的高頻特性。在5G基站設(shè)備中,這些電容還用于功率放大器的輸出匹配網(wǎng)絡(luò),幫助提高能效和線性度。

航空航天與應(yīng)用航空航天和領(lǐng)域?qū)﹄娮釉目煽啃院托阅苡袠O端要求。超寬帶電容在這些應(yīng)用中用于雷達(dá)系統(tǒng)、電子戰(zhàn)設(shè)備和衛(wèi)星通信系統(tǒng)。特殊的設(shè)計(jì)使其能夠承受極端溫度變化、劇烈振動(dòng)和度輻射環(huán)境。采用陶瓷金屬密封封裝和航天級(jí)材料,確保在真空環(huán)境和溫度循環(huán)下的長(zhǎng)期可靠性。在相控陣?yán)走_(dá)中,超寬帶電容用于T/R模塊的波束形成網(wǎng)絡(luò),提供精確的相位控制和信號(hào)分配。 與傳統(tǒng)電解電容相比,其在高頻下的阻抗特性?xún)?yōu)勢(shì)明顯。111UCC4R7D100TT

111UCC4R7D100TT,超寬帶電容

多層陶瓷芯片(MLCC)是實(shí)現(xiàn)超寬帶電容的主流技術(shù)路徑。為追求超寬帶性能,MLCC技術(shù)經(jīng)歷了明顯演進(jìn)。首先,采用超細(xì)粒度、高純度的介電材料(如Class I類(lèi)中的NPO/COG特性材料),這類(lèi)材料的介電常數(shù)隨頻率和溫度的變化極小,保證了電容值的穩(wěn)定性。其次,采用層層疊疊的精細(xì)內(nèi)部電極結(jié)構(gòu),并通過(guò)優(yōu)化電極圖案(如交錯(cuò)式設(shè)計(jì))和采用低電感端電極結(jié)構(gòu)(如三明治結(jié)構(gòu)或帶翼電極),極大縮短了內(nèi)部電流路徑,有效降低了ESL。,封裝尺寸不斷小型化(如0201, 01005甚至更?。粌H節(jié)省空間,更關(guān)鍵的是因?yàn)楦〉奈锢沓叽缫馕吨偷墓逃须姼?,使其自諧振頻率得以推向更高的頻段,從而覆蓋更寬的頻譜。116SEC7R5M100TT多層陶瓷(MLCC)技術(shù)是實(shí)現(xiàn)超寬帶特性的主流方案。

111UCC4R7D100TT,超寬帶電容

現(xiàn)代汽車(chē)電子,特別是自動(dòng)駕駛系統(tǒng)和ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)),高度依賴(lài)各種傳感器(攝像頭、激光雷達(dá)、毫米波雷達(dá))和高速數(shù)據(jù)處理單元。車(chē)載毫米波雷達(dá)工作在24GHz和77GHz頻段,其射頻前端需要超寬帶電容進(jìn)行退耦和隔直,以確保探測(cè)精度和距離分辨率。域控制器和高速網(wǎng)關(guān)對(duì)數(shù)據(jù)處理能力要求極高,需要超寬帶退耦技術(shù)來(lái)保障處理器和存儲(chǔ)器的穩(wěn)定運(yùn)行。此外,汽車(chē)電子對(duì)元器件的壽命、可靠性、耐溫性和抗振動(dòng)性要求極高,車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q200認(rèn)證的超寬帶電容成為不可或缺的重心組件。

超寬帶電容并非指單一類(lèi)型的電容器,而是一種設(shè)計(jì)理念和技術(shù)追求,旨在讓單個(gè)電容器或電容網(wǎng)絡(luò)在極其寬廣的頻率范圍內(nèi)(通常從幾Hz或幾十Hz的低頻一直覆蓋到數(shù)GHz甚至數(shù)十GHz的高頻)保持穩(wěn)定、一致且優(yōu)異的性能。其重心價(jià)值在于解決現(xiàn)代復(fù)雜電子系統(tǒng),尤其是高頻和高速系統(tǒng)中,傳統(tǒng)電容器因寄生參數(shù)(如ESL-等效串聯(lián)電感和ESR-等效串聯(lián)電阻)影響而導(dǎo)致的頻域性能急劇退化問(wèn)題。它通過(guò)創(chuàng)新的材料學(xué)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和封裝技術(shù),比較大限度地壓制寄生效應(yīng),確保從直流到微波頻段的低阻抗特性,為高速集成電路、射頻模塊和微波設(shè)備提供跨越多個(gè)數(shù)量級(jí)頻段的純凈能量供應(yīng)和高效噪聲抑制。低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)無(wú)源集成與微型化。

111UCC4R7D100TT,超寬帶電容

設(shè)計(jì)完成后,必須對(duì)實(shí)際的PCB進(jìn)行測(cè)量驗(yàn)證。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)是測(cè)量電容器及其網(wǎng)絡(luò)阻抗特性的關(guān)鍵工具。通過(guò)單端口測(cè)量,可以獲取電容器的S11參數(shù),并將其轉(zhuǎn)換為阻抗隨頻率變化的曲線(Zvs.f),從而直觀地看到其自諧振頻率、小阻抗點(diǎn)以及在高頻下的表現(xiàn)。對(duì)于在板PDN阻抗的測(cè)量,則通常使用雙端口方法。這些實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)用于與仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,驗(yàn)證設(shè)計(jì)的正確性,并診斷任何由制造或安裝引入的異常。而已普及到高級(jí)消費(fèi)電子產(chǎn)品中。高級(jí)智能手機(jī)的5G/4G射頻前端模塊(FEM)、應(yīng)用處理器(AP)和內(nèi)存的電源管理,都極度依賴(lài)大量的超小型超寬帶MLCC。手機(jī)的有限空間和極高的工作頻率,要求電容必須兼具微小尺寸(01005是主流)和很好的高頻性能。它們的數(shù)量可能高達(dá)數(shù)百甚至上千顆,是確保手機(jī)信號(hào)強(qiáng)度、數(shù)據(jù)處理速度和電池續(xù)航能力的關(guān)鍵微小組件。用于精密測(cè)試設(shè)備,確保測(cè)量信號(hào)的真實(shí)性與準(zhǔn)確性。116SEC7R5M100TT

需關(guān)注其直流偏壓特性,尤其在低電壓大電流應(yīng)用中。111UCC4R7D100TT

與傳統(tǒng)電解電容(鋁電解、鉭電解)相比,超寬帶MLCC電容具有壓倒性的高頻優(yōu)勢(shì)。電解電容的ESL和ESR通常很高,其有效工作頻率很少能超過(guò)幾百kHz到1MHz,主要用于低頻濾波和大容量?jī)?chǔ)能。而超寬帶MLCC的ESL和ESR極低,工作頻率可達(dá)GHz級(jí)別。此外,MLCC沒(méi)有極性,更安全(無(wú)鉭電容的燃爆風(fēng)險(xiǎn)),壽命更長(zhǎng)(無(wú)電解液干涸問(wèn)題),溫度范圍更寬。當(dāng)然,電解電容在單位體積容量和成本上仍有優(yōu)勢(shì),因此在實(shí)際系統(tǒng)中,它們常與超寬帶MLCC搭配使用,分別負(fù)責(zé)低頻和高頻部分。111UCC4R7D100TT

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