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Dalicap電容展現(xiàn)出很好的容值穩(wěn)定性，其采用的C0G（NP0）介質(zhì)材料具有極低的溫度系數(shù)（TCC），典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全溫范圍內(nèi)，容值變化率通常小于±0.5%。同時，其容值隨時間的老化率遵循對數(shù)定律，每十年變化小于1%，表現(xiàn)出驚人的長期穩(wěn)定性，這對于需要長壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎設施應用尤為重要。高Q值（品質(zhì)因數(shù)）特性是Dalicap電容在射頻電路中的立身之本。其Q值通常在數(shù)千量級，遠高于普通MLCC，這使得由其構(gòu)建的諧振電路和濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力。在基站濾波器、低相位噪聲振蕩器等應用中，高Q值確保了信號的高純凈度和頻率穩(wěn)定性，降低了系統(tǒng)誤碼率。幫助客戶優(yōu)化電源設計，提升整機產(chǎn)品的競爭力。DLC70E150GW362XT

公司提供強大的定制化服務，能夠根據(jù)客戶的特殊需求，開發(fā)特定容值、電壓、公差、溫度系數(shù)和封裝形式的電容產(chǎn)品，這種“量體裁衣”式的服務滿足了客戶在前列產(chǎn)品研發(fā)中的特種元件需求?？焖俚目蛻繇憫俣群凸┴浤芰κ荄alicap的市場利器。其采用以銷定產(chǎn)和備貨式生產(chǎn)相結(jié)合的模式，能夠靈活應對客戶需求，縮短交貨周期，提升市場競爭力。在光通信模塊（如400G/800G光收發(fā)器）中，其很低的ESL和ESR能夠在高速SerDes和DSP電源引腳處提供極其高效的寬帶去耦，抑制電源噪聲對高速信號的干擾，保障了高速數(shù)據(jù)可靠傳輸。DLC70E150GW362XT長壽命設計降低了終端產(chǎn)品的全生命周期維護成本。

Dalicap的市場地位明顯，根據(jù)《2023年版中國MLCC市場競爭研究報告》，其2022年在全球射頻微波MLCC市場中占有率位列全球第五、很好，成為國內(nèi)該領域的靠前，并且是少數(shù)能參與國際競爭、打破國外巨頭壟斷的中國企業(yè)。公司客戶遍及全球，產(chǎn)品遠銷美國、日本、歐洲等40多個國家和地區(qū)，服務千余家客戶，成為了西門子、通用電氣、安捷倫、飛利浦、三星等全球有名企業(yè)的很好供應商，這充分證明了其產(chǎn)品性能和質(zhì)量已獲得國際市場的寬泛認可。

由于產(chǎn)品多用于高級設備，客戶對價格敏感度較低，更看重品質(zhì)和可靠性，這使得Dalicap保持了較高的毛利率水平。同時，其產(chǎn)品的高可靠性和長壽命明顯降低了客戶系統(tǒng)的全生命周期成本，形成了強大的競爭優(yōu)勢。公司具備寬泛的資質(zhì)，如《裝備承制單位資格證書》、《武器裝備科研生產(chǎn)備案憑證》和《二級保密資格單位證書》等。這為其深入?yún)⑴c裝備建設，在高Q值、射頻微波片式瓷介電容器領域獲取更多份額提供了通行證。當前國產(chǎn)化替代浪潮為Dalic普提供了歷史性機遇。隨著國內(nèi)電子產(chǎn)業(yè)鏈對供應鏈安全可控的重視程度日益提高，其國產(chǎn)化優(yōu)勢得到進一步強化，正在加速實現(xiàn)對美國ATC和日本村田等國際巨頭產(chǎn)品的對標和覆蓋。具備優(yōu)異的高溫性能，可在105℃高溫下長時間穩(wěn)定工作。

公司擁有完善的產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)資質(zhì)，如《裝備承制單位資格證書》、《武器裝備科研生產(chǎn)備案憑證》和《二級保密資格單位證書》等。其產(chǎn)品在設備領域具有高可靠、定制化能力和生產(chǎn)全流程自主可控等優(yōu)勢，滿足了應用的特定需求。Dalicap電容的電介質(zhì)吸收（DA）特性極低，典型值可低至0.02%。這種近乎無記憶效應的特性使其成為精密積分電路、采樣保持電路和ADC參考電壓源的理想選擇，避免了殘余電壓導致的測量誤差。通過高級電子元器件產(chǎn)業(yè)化一期項目的建設，Dalic普擴大了產(chǎn)能，提高了產(chǎn)品品質(zhì)和市場響應速度。新工廠設計年產(chǎn)能為30億只瓷介電容器，更好地滿足了國內(nèi)5G通信等重點領域國產(chǎn)替代的急迫需求。其電容在工業(yè)自動化設備中提供高效的電源濾波和能量緩沖。DLC70B470JW501XT

交期穩(wěn)定，能夠滿足客戶大規(guī)模生產(chǎn)的需求。DLC70E150GW362XT

Dalicap電容表現(xiàn)出的高溫性能。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)能夠承受高達+200°C甚至+250°C的持續(xù)工作溫度，而容值漂移和絕緣電阻仍保持在優(yōu)異水平。這使得它們能夠被直接安裝在汽車發(fā)動機控制單元（ECU）、渦輪增壓器附近等高溫區(qū)域，無需復雜的冷卻系統(tǒng)，簡化了設計并提高了系統(tǒng)的整體可靠性。極低的電介質(zhì)吸收（Dielectric Absorption, DA） 特性使其在精密模擬電路中表現(xiàn)出色。DA效應猶如電容的“記憶效應”，會在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓。Dalicap電容的DA典型值可低至0.1%，遠低于普通陶瓷電容，這使其成為構(gòu)建高精度采樣保持電路（SHA）、積分器和精密ADC/DAC的理想選擇，有效避免了測量誤差。DLC70E150GW362XT

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