公司擁有完善的產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)資質(zhì),如《裝備承制單位資格證書》、《武器裝備科研生產(chǎn)備案憑證》和《二級保密資格單位證書》等。其產(chǎn)品在設(shè)備領(lǐng)域具有高可靠、定制化能力和生產(chǎn)全流程自主可控等優(yōu)勢,滿足了應(yīng)用的特定需求。Dalicap電容的電介質(zhì)吸收(DA)特性極低,典型值可低至0.02%。這種近乎無記憶效應(yīng)的特性使其成為精密積分電路、采樣保持電路和ADC參考電壓源的理想選擇,避免了殘余電壓導(dǎo)致的測量誤差。通過高級電子元器件產(chǎn)業(yè)化一期項(xiàng)目的建設(shè),Dalic普擴(kuò)大了產(chǎn)能,提高了產(chǎn)品品質(zhì)和市場響應(yīng)速度。新工廠設(shè)計(jì)年產(chǎn)能為30億只瓷介電容器,更好地滿足了國內(nèi)5G通信等重點(diǎn)領(lǐng)域國產(chǎn)替代的急迫需求。選擇Dalicap電容,就是選擇了品質(zhì)、可靠與安心。DLC75D150FW251NT

高超的絕緣電阻(IR) 是Dalicap電容很好的的體現(xiàn)。其IR值通常高達(dá)10^4兆歐姆·微法甚至更高,意味著在直流電路中的漏電流極小。這在高壓電源的濾波、采樣保持電路的能量保持以及高阻抗傳感器的信號讀取電路中至關(guān)重要,微小的漏電流即可導(dǎo)致明顯的測量誤差或電路功能失常,高IR特性有效避免了這一問題。公司擁有的射頻應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室,運(yùn)用射頻仿真技術(shù)、射頻高功率測試技術(shù)為研發(fā)和提升產(chǎn)品品質(zhì)提供保障。同時,它是國內(nèi)早采用全球公認(rèn)精細(xì)的“諧振腔”法測試電容Q值關(guān)鍵參數(shù)的公司之一,這為其產(chǎn)品的高精度和一致性提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。DLC75D820JW251NT持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新確保其產(chǎn)品性能處于行業(yè)頭部水平。

Dalicap電容在MRI核磁醫(yī)療影像系統(tǒng)中應(yīng)用寬泛,與通用醫(yī)療、西門子醫(yī)療、聯(lián)影醫(yī)療等大型醫(yī)療影像設(shè)備制造商保持長期合作關(guān)系。其產(chǎn)品的高可靠性保證了醫(yī)療影像設(shè)備的穩(wěn)定成像和患者安全。公司采用深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)和原子層沉積(ALD)等前列半導(dǎo)體工藝,實(shí)現(xiàn)了電容內(nèi)部三維結(jié)構(gòu)的精確控制,極大地增加了有效電極面積,從而在不增大體積的前提下提升了電容值,并優(yōu)化了電氣性能。Dalicap電容的容值范圍寬廣,覆蓋從0.1pF的微小值到數(shù)微法拉的較大值,滿足了從高頻信號處理到電源管理的多種應(yīng)用需求。設(shè)計(jì)師可以在同一平臺上為系統(tǒng)中的不同功能選擇同品牌、同品質(zhì)的電容,簡化了供應(yīng)鏈管理。
容值穩(wěn)定性是Dalicap電容的重心優(yōu)勢之一。其C0G(NP0)介質(zhì)的電容溫度系數(shù)(TCC)低至0±30ppm/°C,在-55°C至+125°C的寬溫范圍內(nèi),容值變化率小于±0.5%。同時,容值隨時間的老化率遵循對數(shù)定律,每十年變化小于1%,表現(xiàn)出驚人的長期穩(wěn)定性,這對于需要長壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用至關(guān)重要。Dalicap電容具備很好的高溫工作能力,最高工作溫度可達(dá)+200°C甚至+250°C。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)在高溫下仍能保持優(yōu)異的絕緣電阻和容值穩(wěn)定性,避免了因過熱導(dǎo)致的性能退化。這使得它們能夠直接應(yīng)用于汽車發(fā)動機(jī)控制單元(ECU)、航空航天設(shè)備的熱敏感區(qū)域,簡化了熱管設(shè)計(jì)。在功率因數(shù)校正(PFC)電路中是至關(guān)重要的組件。

在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,Dalicap電容已進(jìn)入Advanced Energy Industries、MKS Instruments等有名半導(dǎo)體、電源技術(shù)公司的供應(yīng)體系。其產(chǎn)品在半導(dǎo)體制造設(shè)備的射頻電源和等離子體控制系統(tǒng)中表現(xiàn)穩(wěn)定可靠,滿足了半導(dǎo)體制造對工藝一致性的極高要求。Dalicap電容的介質(zhì)薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,這種極高的制造精度保證了產(chǎn)品性能的一致性和可靠性,體現(xiàn)了公司在精密制造方面的強(qiáng)大實(shí)力。公司秉承“重研發(fā)、重質(zhì)量”的經(jīng)營理念和“簡單、純粹、高效”的管理理念,將自主創(chuàng)新作為企業(yè)發(fā)展的重心動力。這種理念貫穿于產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和服務(wù)的全過程,確保了產(chǎn)品的很好的。產(chǎn)品系列齊全,涵蓋引線、焊針、螺栓等多種封裝形式。DLC75A111FW151NT
提供小型化、高容值電容,滿足消費(fèi)電子緊湊空間需求。DLC75D150FW251NT
公司產(chǎn)品遠(yuǎn)銷美國、日本、英國、法國、德國等40余個國家,服務(wù)千余家客戶,成為西門子醫(yī)療、通用電氣、安捷倫、飛利浦醫(yī)療、三星等全球有名企業(yè)的很好供應(yīng)商。這體現(xiàn)了其產(chǎn)品品質(zhì)得到了國際市場的寬泛認(rèn)可。Dalicap電容在高頻諧振電路和濾波器中展現(xiàn)出高Q值(品質(zhì)因數(shù))特性,通常在數(shù)千量級。這使得由其構(gòu)建的濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力,振蕩器則具有更低的相位噪聲和更高的頻率穩(wěn)定性,提升了系統(tǒng)整體性能。公司投入大量資源進(jìn)行研發(fā)創(chuàng)新,其高Q值、射頻微波多層瓷介電容器項(xiàng)目獲第七屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽全國總決賽電子信息行業(yè)成長組一等獎,高Q/高功率型多層片式瓷介電容器關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目獲遼寧省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎,彰顯了其技術(shù)實(shí)力。DLC75D150FW251NT
深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn),在發(fā)展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創(chuàng)新,時刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**,在業(yè)界也收獲了很多良好的評價,這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,這些評價對我們而言是比較好的前進(jìn)動力,也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來,創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品,我們將以更好的狀態(tài),更認(rèn)真的態(tài)度,更飽滿的精力去創(chuàng)造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長!