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來源: 發(fā)布時間:2025-11-16

在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異,即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時極大節(jié)省了PCB空間,為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點及高密度系統(tǒng)級封裝(SiP)提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車規(guī)標(biāo)準(zhǔn),可承受1000小時以上高溫高濕偏壓測試及1000次溫度循環(huán)試驗,完全滿足汽車電子對元器件的嚴(yán)苛可靠性要求,廣泛應(yīng)用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統(tǒng)。在脈沖應(yīng)用場景中,ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯(lián)電阻,可有效抑制電壓尖峰和電流浪涌,為激光驅(qū)動器、雷達調(diào)制器和電磁發(fā)射裝置提供穩(wěn)定的能量存儲和釋放功能。脈沖放電特性很好,適合雷達系統(tǒng)能量存儲應(yīng)用。CDR13BG1R5EBSM

CDR13BG1R5EBSM,ATC射頻電容

ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性堪稱行業(yè)很好,其對于溫度、時間、電壓三大變量的敏感性被控制在極低水平。其C0G(NP0)介質(zhì)的電容溫度系數(shù)(TCC)低至0±30ppm/°C,在-55°C至+125°C的全溫范圍內(nèi),容值變化率通常小于±0.5%。同時,其容值隨時間的老化率遵循對數(shù)定律,每十年變化小于1%,表現(xiàn)出驚人的長期穩(wěn)定性。此外,其介質(zhì)材料的直流偏壓特性優(yōu)異,在高偏壓下的容值下降幅度遠小于常規(guī)X7R/X5R類電容,這對于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關(guān)重要。700E101JW3600X高溫環(huán)境下絕緣電阻保持穩(wěn)定,避免漏電流導(dǎo)致的性能下降。

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在智能電網(wǎng)和電力監(jiān)控設(shè)備中,其高精度和低損耗特性適用于電能質(zhì)量分析儀的采樣電路和繼電保護裝置的信號調(diào)理回路,提高電網(wǎng)監(jiān)測的準(zhǔn)確性和可靠性。產(chǎn)品符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī),全系列采用無鉛無鹵素材料,滿足全球主要市場對電子產(chǎn)品的環(huán)保要求,支持綠色電子制造和可持續(xù)發(fā)展。在高頻振動環(huán)境下,ATC電容采用抗振動電極設(shè)計和堅固的封裝結(jié)構(gòu),其焊點抗疲勞性能優(yōu)異,適用于無人機飛控系統(tǒng)、機器人關(guān)節(jié)控制及發(fā)動機管理系統(tǒng)。其微波系列產(chǎn)品具有精確的模型參數(shù)和穩(wěn)定的性能重復(fù)性,支持高頻電路的仿真設(shè)計與實際性能的高度吻合,縮短研發(fā)周期,提高設(shè)計一次成功率。

通過MIL-STD-883HMethod2007機械沖擊測試,采用氣炮加速實驗驗證可承受100,000g加速度沖擊(相當(dāng)于撞擊的瞬間過載)。實際應(yīng)用于裝甲車輛火控系統(tǒng)時,在12.7mm機射擊產(chǎn)生的5-2000Hz寬頻振動環(huán)境下,其電極焊接點仍保持零斷裂記錄。這種特性源自特殊的銀-鈀合金電極(Ag-Pd70/30配比)與三維立體堆疊結(jié)構(gòu),其斷裂韌性值(KIC)達到8MPa·m1/2,是普通陶瓷電容的3倍。洛克希德·馬丁公司的戰(zhàn)地報告顯示,配備ATC電容的"標(biāo)"反坦克導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng),在沙漠風(fēng)暴行動中的戰(zhàn)場故障率為0.2/百萬發(fā)。電極邊緣場優(yōu)化設(shè)計,進一步提升高頻性能表現(xiàn)。

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ATC電容憑借其極低的ESL和ESR,能在極寬的頻帶內(nèi)(從KHz到GHz)提供低阻抗路徑,有效濾除電源軌上的高頻噪聲,抑制同步開關(guān)噪聲(SSN),確保為芯片重點提供純凈、穩(wěn)定的電壓。這對于防止系統(tǒng)時序錯誤、數(shù)據(jù)損壞和性能下降至關(guān)重要。ATC芯片電容實現(xiàn)了高電容密度與高性能的完美平衡。通過采用高介電常數(shù)介質(zhì)材料和增加疊層數(shù)量,其在單位體積內(nèi)存儲的電荷量(電容值)很好提升。然而,與普通高介電常數(shù)材料往往溫度穩(wěn)定性不同,ATC通過復(fù)雜的材料改性技術(shù),在獲得高電容密度的同時,依然保持了良好的溫度特性和頻率特性。這使得設(shè)計者無需在“大小”和“性能”之間艱難取舍,為空間受限的高性能應(yīng)用提供了理想解決方案。提供定制化溫度系數(shù)曲線(-55℃至+200℃),可針對特定應(yīng)用優(yōu)化容溫特性。116ZCC430G100TT

提供多種封裝形式,包括表面貼裝、插件式和特殊高頻封裝。CDR13BG1R5EBSM

ATC芯片電容的制造過程秉承了半導(dǎo)體級別的精密工藝。從納米級陶瓷粉末的制備、流延成膜的厚度控制,到電極圖案的精細印刷和層壓對位,每一步都處于微米級的精度控制之下。這種近乎苛刻的工藝要求,保證了每一批產(chǎn)品都具有極高的一致性和重復(fù)性。對于需要大量配對使用的相位陣列雷達、多通道通信系統(tǒng)等應(yīng)用而言,這種批次內(nèi)和批次間的高度一致性,確保了系統(tǒng)性能的均一與穩(wěn)定,減少了后期校準(zhǔn)的復(fù)雜度。很好的可靠性源于ATC芯片電容很全的質(zhì)量體系和rigorous的測試標(biāo)準(zhǔn)。CDR13BG1R5EBSM

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