100E150KW3600X

在高頻微波電路中，ATC電容可用于實現(xiàn)低插損的直流阻斷、阻抗變換和射頻耦合功能，其性能穩(wěn)定性明顯優(yōu)于分立傳輸線結(jié)構(gòu)，有助于簡化電路設(shè)計并提高系統(tǒng)一致性。在電力電子領(lǐng)域，其高絕緣電阻（通常超過10GΩ）和低泄漏電流特性，使ATC電容適用于電能計量芯片的參考電容、隔離反饋電路及新能源逆變器的電壓檢測回路。該類電容具有良好的抗脈沖沖擊能力，可承受高達100A/μs的電流變化率，用于IGBT/MOSFET緩沖電路和開關(guān)電源中的吸收回路，能有效抑制電壓過沖和減小開關(guān)損耗。通過抗硫化測試，適合工業(yè)控制等惡劣環(huán)境應(yīng)用。100E150KW3600X

很好的高溫存儲和操作壽命性能使得ATC電容能夠應(yīng)對嚴酷的環(huán)境。其產(chǎn)品可在+250°C的高溫環(huán)境下持續(xù)工作數(shù)千小時，而容值變化、絕緣電阻劣化均微乎其微。這種能力使其不僅適用于傳統(tǒng)汽車和航空航天，更在深井鉆探、地熱發(fā)電等超高溫工業(yè)應(yīng)用以及新一代高溫電子產(chǎn)品中，成為不可多得的關(guān)鍵元件。極低的噪聲特性源于ATC電容穩(wěn)定的介質(zhì)結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的絕緣性能。其介質(zhì)內(nèi)部幾乎不存在會隨機產(chǎn)生電荷陷阱和釋放的缺陷，因此其產(chǎn)生的1/f噪聲和爆米花噪聲（PopcornNoise）水平極低。在低噪聲放大器（LNA）、高精度傳感器信號調(diào)理電路和微弱信號檢測設(shè)備的前端，使用ATC電容可以有效避免引入額外的噪聲，保證系統(tǒng)能夠提取出微弱的有效信號。116YCC270M100TT內(nèi)部采用銅銀復(fù)合電極結(jié)構(gòu)，在高溫高濕環(huán)境下仍保持優(yōu)異的導(dǎo)電性和抗遷移能力。

在高頻功率處理能力方面，ATC電容能承受較高的射頻電流，其熱管理性能優(yōu)異，即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中，仍能保持低溫升和高可靠性，適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列（如0201、0402封裝）在保持高性能的同時極大節(jié)省了PCB空間，為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點及高密度系統(tǒng)級封裝（SiP）提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車規(guī)標準，可承受1000小時以上高溫高濕偏壓測試及1000次溫度循環(huán)試驗，完全滿足汽車電子對元器件的嚴苛可靠性要求，廣泛應(yīng)用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統(tǒng)。

這使得它們能夠被直接安裝在汽車發(fā)動機控制單元（ECU）、渦輪增壓器附近、剎車系統(tǒng)或航空航天設(shè)備的熱敏感區(qū)域，無需復(fù)雜的冷卻系統(tǒng)，簡化了設(shè)計并提高了系統(tǒng)的整體可靠性。其高溫下的低損耗特性，對于保證高溫環(huán)境下的電路效率尤為重要。極低的損耗角正切值（DissipationFactor,DF）是ATC芯片電容在高頻功率應(yīng)用中無可替代的原因。其DF值通常在0.1%至2.5%的極低范圍內(nèi)，意味著電容自身的能量損耗（轉(zhuǎn)化為熱能）極小。在高功率射頻放大器的輸出匹配和諧振電路中，低DF值直接轉(zhuǎn)化為更高的系統(tǒng)效率（降低功放發(fā)熱）和更大的輸出功率能力。同時，低損耗也意味著自身發(fā)熱少，避免了熱失控風險，提升了整個電路的熱穩(wěn)定性和長期可靠性。其極低的等效串聯(lián)電阻（ESR）可明顯降低高頻電路中的能量損耗和熱效應(yīng)。

ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性堪稱行業(yè)很好，其對于溫度、時間、電壓三大變量的敏感性被控制在極低水平。其C0G(NP0)介質(zhì)的電容溫度系數(shù)（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的全溫范圍內(nèi)，容值變化率通常小于±0.5%。同時，其容值隨時間的老化率遵循對數(shù)定律，每十年變化小于1%，表現(xiàn)出驚人的長期穩(wěn)定性。此外，其介質(zhì)材料的直流偏壓特性優(yōu)異，在高偏壓下的容值下降幅度遠小于常規(guī)X7R/X5R類電容，這對于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關(guān)重要。電介質(zhì)吸收特性優(yōu)異（DA<0.1%），適合精密采樣保持電路。600S6R2CT250XT

電極邊緣場優(yōu)化設(shè)計，進一步提升高頻性能表現(xiàn)。100E150KW3600X

ATC芯片電容的額定電壓范圍寬廣，從低電壓的幾伏特到高電壓的數(shù)千伏特（如B系列），可滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產(chǎn)品采用特殊的邊緣端接設(shè)計和介質(zhì)層均勻化處理，有效消除了電場集中效應(yīng)，從而顯著提高了直流擊穿電壓（DWV）和交流擊穿電壓（ACW）。這種穩(wěn)健的耐壓性能，使其在工業(yè)電機驅(qū)動、新能源汽車電控系統(tǒng)、醫(yī)療X光設(shè)備等高能應(yīng)用中，成為保障系統(tǒng)安全、防止短路失效的關(guān)鍵元件。很好的高溫性能是ATC芯片電容的核心競爭力之一。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)能夠承受高達+200°C甚至+250°C的持續(xù)工作溫度，而容值漂移和絕緣電阻仍保持在優(yōu)異水平。100E150KW3600X

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