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來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-11-25

即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不合理的PCB布局和安裝也會(huì)引入巨大的安裝電感,徹底毀掉其性能。安裝電感主要來自電容焊盤到電源/地平面之間的過孔(via)和走線。為了小化安裝電感,必須遵循以下原則:一是使用短、寬的走線連接;二是使用多個(gè)緊鄰的、低電感的過孔(via)將電容的兩個(gè)端直接連接到近的電源層和地層;三是采用對(duì)稱的布局設(shè)計(jì)。對(duì)于比較高頻的應(yīng)用,甚至需要采用嵌入式電容技術(shù),將電容介質(zhì)材料直接制作在PCB的電源-地平面之間,實(shí)現(xiàn)近乎理想的平板電容結(jié)構(gòu),將寄生電感降至幾乎為零,這是實(shí)現(xiàn)超寬帶性能在系統(tǒng)級(jí)上的手段之一。通過嚴(yán)格的溫度循環(huán)、壽命測(cè)試等可靠性驗(yàn)證。111ZCC510D100TT

111ZCC510D100TT,超寬帶電容

實(shí)現(xiàn)超寬帶性能面臨著多重嚴(yán)峻的技術(shù)挑戰(zhàn)。首要挑戰(zhàn)是寄生電感(ESL),任何電容器都存在由內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引線帶來的固有電感,其阻抗隨頻率升高而增加(ZL=2πfL),在某個(gè)自諧振頻率(SRF)后,電容器會(huì)呈現(xiàn)出電感特性,失去退耦和濾波功能。其次,是寄生電阻(ESR),它會(huì)導(dǎo)致能量損耗和發(fā)熱,且其值隨頻率變化。第三,是介質(zhì)材料本身的頻率響應(yīng),不同介質(zhì)材料的介電常數(shù)會(huì)隨頻率變化,影響電容值的穩(wěn)定性。,封裝尺寸、安裝方式以及PCB布局都會(huì)引入額外的寄生電感和電容,極大地影響終在板性能。因此,超寬帶電容的設(shè)計(jì)是材料科學(xué)、結(jié)構(gòu)工程和應(yīng)用技術(shù)的結(jié)合,需要綜合考慮所有這些因素。116UDA6R2D100TT直流偏壓會(huì)導(dǎo)致Class II介質(zhì)電容的實(shí)際容值下降。

111ZCC510D100TT,超寬帶電容

即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不合理的PCB布局和安裝也會(huì)引入巨大的安裝電感,徹底毀掉其性能。安裝電感主要來自電容焊盤到電源/地平面之間的過孔(via)和走線。為了小化安裝電感,必須遵循以下原則:一是使用短、寬的走線連接;二是使用多個(gè)緊鄰的、低電感的過孔(via)將電容的兩個(gè)端直接連接到近的電源層和地層;三是采用對(duì)稱的布局設(shè)計(jì)。對(duì)于比較高頻的應(yīng)用,甚至需要采用嵌入式電容技術(shù),將電容介質(zhì)材料直接制作在PCB的電源-地平面之間,實(shí)現(xiàn)近乎理想的平板電容結(jié)構(gòu),將寄生電感降至幾乎為零。

單一電容器無法在超寬頻帶內(nèi)始終保持低阻抗。因此,在實(shí)際電路中,需要構(gòu)建一個(gè)由多個(gè)不同容值電容器組成的退耦網(wǎng)絡(luò)。小容量電容(如0.1μF, 0.01μF, 1000pF, 100pF)擁有較高的自諧振頻率,負(fù)責(zé)濾除中高頻噪聲;而大容量電容(如10μF, 47μF)或電解電容負(fù)責(zé)濾除低頻紋波和提供電荷儲(chǔ)備。這些電容并聯(lián)后,它們的阻抗曲線相互疊加,從而在從低頻到極高頻的整個(gè)范圍內(nèi)形成一條平坦的低阻抗路徑。PCB上的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)設(shè)計(jì)就是基于此原理,通過精心選擇不同容值、不同封裝的電容并合理布局,來實(shí)現(xiàn)超寬帶的低阻抗目標(biāo)。用于精密測(cè)試設(shè)備,確保測(cè)量信號(hào)的真實(shí)性與準(zhǔn)確性。

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微波電路應(yīng)用在微波領(lǐng)域,超寬帶電容發(fā)揮著關(guān)鍵作用。作為耦合電容、旁路電容和調(diào)諧電容廣泛應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信設(shè)備和微波收發(fā)模塊中。在這些應(yīng)用中,電容器需要處理GHz頻率的信號(hào),傳統(tǒng)電容由于寄生參數(shù)的影響會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真和效率下降。超寬帶電容通過精心的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),采用共面電極和分布式電容結(jié)構(gòu),比較大限度地減少了寄生效應(yīng)。例如在微波功率放大器中,超寬帶電容用作偏置網(wǎng)絡(luò)的一部分,能夠有效隔離直流同時(shí)為射頻信號(hào)提供低阻抗通路。它是實(shí)現(xiàn)電源完整性(PI)和信號(hào)完整性的基礎(chǔ)。111ZCC510D100TT

符合RoHS等環(huán)保指令,滿足全球市場(chǎng)準(zhǔn)入要求。111ZCC510D100TT

設(shè)計(jì)完成后,必須對(duì)實(shí)際的PCB進(jìn)行測(cè)量驗(yàn)證。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)是測(cè)量電容器及其網(wǎng)絡(luò)阻抗特性的關(guān)鍵工具。通過單端口測(cè)量,可以獲取電容器的S11參數(shù),并將其轉(zhuǎn)換為阻抗隨頻率變化的曲線(Zvs.f),從而直觀地看到其自諧振頻率、小阻抗點(diǎn)以及在高頻下的表現(xiàn)。對(duì)于在板PDN阻抗的測(cè)量,則通常使用雙端口方法。這些實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)用于與仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,驗(yàn)證設(shè)計(jì)的正確性,并診斷任何由制造或安裝引入的異常。而已普及到高級(jí)消費(fèi)電子產(chǎn)品中。高級(jí)智能手機(jī)的5G/4G射頻前端模塊(FEM)、應(yīng)用處理器(AP)和內(nèi)存的電源管理,都極度依賴大量的超小型超寬帶MLCC。手機(jī)的有限空間和極高的工作頻率,要求電容必須兼具微小尺寸(01005是主流)和很好的高頻性能。它們的數(shù)量可能高達(dá)數(shù)百甚至上千顆,是確保手機(jī)信號(hào)強(qiáng)度、數(shù)據(jù)處理速度和電池續(xù)航能力的關(guān)鍵微小組件。111ZCC510D100TT

深圳市英翰森科技有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中,一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取,不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度,多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑,成績讓我們喜悅,但不會(huì)讓我們止步,殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志,和諧溫馨的工作環(huán)境,富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,勇于進(jìn)取的無限潛力,深圳市英翰森科技供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來,回首過去,我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績而沾沾自喜,相反的是面對(duì)競爭越來越激烈的市場(chǎng)氛圍,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,要不畏困難,激流勇進(jìn),以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家,共同走向輝煌回來!

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