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Dalicap電容的額定電壓范圍寬廣，從低壓幾伏特到高壓數(shù)千伏特，能滿足不同電路等級(jí)的絕緣和耐壓需求。其高電壓產(chǎn)品采用特殊的邊緣端接設(shè)計(jì)和介質(zhì)層均勻化處理，有效消除了電場(chǎng)集中效應(yīng)，顯著提高了直流擊穿電壓（DWV）和交流擊穿電壓（ACW），保障了工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和新能源汽車電控系統(tǒng)等高壓應(yīng)用的安全。在微型化方面，Dalicap提供了0402（1.0mm x 0.5mm）、0201（0.6mm x 0.3mm）等超小尺寸封裝，滿足現(xiàn)代消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、微型傳感器及高級(jí)SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）對(duì)PCB空間的很好追求。盡管體積微小，但其性能并未妥協(xié)，為高密度集成電路設(shè)計(jì)提供了前所未有的靈活**期穩(wěn)定，能夠滿足客戶大規(guī)模生產(chǎn)的需求。DLC75A5R6AW151NT

Dalicap電容實(shí)現(xiàn)了高電容密度與高性能的完美平衡。通過采用高介電常數(shù)介質(zhì)材料和增加疊層數(shù)量，其在單位體積內(nèi)存儲(chǔ)的電荷量明顯提升，同時(shí)通過復(fù)雜的材料改性技術(shù)保持了良好的溫度特性和頻率特性。這使得設(shè)計(jì)者無需在“大小”和“性能”之間艱難取舍。優(yōu)異的頻率響應(yīng)特性確保了Dalicap電容在寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定的容值。其容值對(duì)頻率的變化曲線極為平坦，即便在微波頻段衰減也微乎其微。這一特性對(duì)于軟件定義無線電（SDR）、電子戰(zhàn)（EW）系統(tǒng)中的寬帶濾波器和匹配網(wǎng)絡(luò)至關(guān)重要，保證了系統(tǒng)在整個(gè)工作頻帶內(nèi)的一致性能。DLC75B3R9CW501XT價(jià)格具有競(jìng)爭力，為客戶提供了優(yōu)異的性價(jià)比。

Dalicap電容表現(xiàn)出的高溫性能。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)能夠承受高達(dá)+200°C甚至+250°C的持續(xù)工作溫度，而容值漂移和絕緣電阻仍保持在優(yōu)異水平。這使得它們能夠被直接安裝在汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU）、渦輪增壓器附近等高溫區(qū)域，無需復(fù)雜的冷卻系統(tǒng)，簡化了設(shè)計(jì)并提高了系統(tǒng)的整體可靠性。極低的電介質(zhì)吸收（Dielectric Absorption, DA） 特性使其在精密模擬電路中表現(xiàn)出色。DA效應(yīng)猶如電容的“記憶效應(yīng)”，會(huì)在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓。Dalicap電容的DA典型值可低至0.1%，遠(yuǎn)低于普通陶瓷電容，這使其成為構(gòu)建高精度采樣保持電路（SHA）、積分器和精密ADC/DAC的理想選擇，有效避免了測(cè)量誤差。

通過半導(dǎo)體級(jí)的精密制造工藝，Dalicap實(shí)現(xiàn)了對(duì)介質(zhì)層厚度和電極結(jié)構(gòu)的納米級(jí)控制。其介質(zhì)薄膜厚度控制在±0.2微米，疊層精度控制在±5微米，保證了每一批產(chǎn)品都具有極高的一致性和重復(fù)性。這種一致性對(duì)于需要大量配對(duì)使用的相位陣列雷達(dá)、多通道通信系統(tǒng)等應(yīng)用而言，確保了系統(tǒng)性能的均一與穩(wěn)定，減少了后期校準(zhǔn)的復(fù)雜度。高耐壓能力是Dalicap產(chǎn)品的另一亮點(diǎn)。其高電壓產(chǎn)品采用特殊的邊緣端接設(shè)計(jì)和介質(zhì)層均勻化處理，有效消除了電場(chǎng)集中效應(yīng)，從而顯著提高了直流擊穿電壓（DWV）和交流擊穿電壓（ACW）。這種穩(wěn)健的耐壓性能，使其在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源汽車電控系統(tǒng)、醫(yī)療X光設(shè)備等高能應(yīng)用中，成為保障系統(tǒng)安全、防止短路失效的關(guān)鍵元件。選用很好的材料和先進(jìn)工藝，確保每顆電容性能持久穩(wěn)定。

面對(duì)蓬勃發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和邊緣計(jì)算，Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設(shè)計(jì)要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節(jié)點(diǎn)和通信模塊節(jié)省了寶貴空間，低ESR帶來的低自身功耗延長了電池壽命，而高穩(wěn)定性則確保了設(shè)備在各種環(huán)境下的長期可靠運(yùn)行。創(chuàng)新研發(fā)與智能制造Dalicap始終堅(jiān)持強(qiáng)大度的研發(fā)投入，至2019年累計(jì)投入已超5000萬元，并連續(xù)多年保持增長。通過深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）、原子層沉積（ALD）等半導(dǎo)體前列工藝，實(shí)現(xiàn)了電容內(nèi)部三維微結(jié)構(gòu)的精確控制和超薄介質(zhì)層的制備，構(gòu)筑了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)壁壘。樣品提供迅速，助力客戶加速研發(fā)和試產(chǎn)進(jìn)程。DLC70C271GW252XT

在能源管理系統(tǒng)中發(fā)揮著重要的儲(chǔ)能和緩沖作用。DLC75A5R6AW151NT

Dalicap電容的微型化能力突出，其0402、0201等超小尺寸封裝滿足了現(xiàn)代消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備及高級(jí)SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）對(duì)PCB空間的追求，為高密度集成電路設(shè)計(jì)提供了前所未有的靈活性。產(chǎn)品具有很好的抗老化特性，其介質(zhì)材料的微觀結(jié)構(gòu)在經(jīng)過初始老化后趨于極度穩(wěn)定，容值隨時(shí)間的變化遵循一個(gè)非常緩慢的對(duì)數(shù)衰減規(guī)律，確保了設(shè)備在十年甚至二十年的使用壽命內(nèi)關(guān)鍵電路參數(shù)的穩(wěn)定。完全無壓電效應(yīng)的特性使其區(qū)別于許多II類陶瓷電容。其采用的C0G等I類介質(zhì)是順電性的，不會(huì)在交流電壓作用下發(fā)生形變，從而徹底避免了因振動(dòng)或電壓變化而產(chǎn)生的可聽噪聲（嘯叫）和微觀機(jī)械噪聲，適合高保真音頻應(yīng)用。DLC75A5R6AW151NT

深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！