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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-12-02

在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異,即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時(shí)極大節(jié)省了PCB空間,為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點(diǎn)及高密度系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車規(guī)標(biāo)準(zhǔn),可承受1000小時(shí)以上高溫高濕偏壓測(cè)試及1000次溫度循環(huán)試驗(yàn),完全滿足汽車電子對(duì)元器件的嚴(yán)苛可靠性要求,廣泛應(yīng)用于ADAS、車載信息娛樂(lè)和電池管理系統(tǒng)。在脈沖應(yīng)用場(chǎng)景中,ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯(lián)電阻,可有效抑制電壓尖峰和電流浪涌,為激光驅(qū)動(dòng)器、雷達(dá)調(diào)制器和電磁發(fā)射裝置提供穩(wěn)定的能量存儲(chǔ)和釋放功能。通過(guò)MIL-STD-883加速度測(cè)試,在20000g沖擊條件下仍保持電氣性能的完整穩(wěn)定。116XJ750K100TT

116XJ750K100TT,ATC射頻電容

醫(yī)療電子,特別是植入式醫(yī)療設(shè)備(如起搏器、神經(jīng)刺激器),對(duì)元件的可靠性和生物兼容性要求極高。ATC芯片電容的陶瓷氣密封裝本身具有極高的惰性,不會(huì)與體液發(fā)生反應(yīng)。其很好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性,確保了這些“生命攸關(guān)”的設(shè)備在人體內(nèi)能夠持續(xù)、穩(wěn)定地工作數(shù)十年,無(wú)需因元件失效而進(jìn)行高風(fēng)險(xiǎn)的手術(shù)更換。寬廣的容值范圍(從0.1pF的微小值到數(shù)微法拉的較大值)使ATC電容能夠覆蓋從射頻、微波到電源管理的幾乎所有電路應(yīng)用。設(shè)計(jì)師可以在同一個(gè)平臺(tái)上,為系統(tǒng)中的高頻信號(hào)處理和低頻電源濾波選擇同品牌、同品質(zhì)的電容,這簡(jiǎn)化了供應(yīng)鏈管理,并保證了系統(tǒng)整體性能的協(xié)調(diào)一致。800B6R8BT500X高電容密度設(shè)計(jì)在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大容值,優(yōu)化電路布局。

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產(chǎn)品系列中包括具有三明治結(jié)構(gòu)及定制化電極設(shè)計(jì)的型號(hào),可實(shí)現(xiàn)極低的ESL和ESR,用于高速數(shù)字電路的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)中能有效抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲,提升處理器和FPGA的運(yùn)行穩(wěn)定性。在抗輻射性能方面,部分宇航級(jí)ATC電容可承受100krad以上的總劑量輻射,滿足低地球軌道和深空探測(cè)任務(wù)的需求,適用于衛(wèi)星有效載荷、航天器控制系統(tǒng)及核電站電子設(shè)備。其端電極采用可焊性優(yōu)異的鍍層結(jié)構(gòu),與SnAgCu等無(wú)鉛焊料兼容性好,在回流焊和波峰焊過(guò)程中不易產(chǎn)生虛焊或冷焊,提高了生產(chǎn)直通率和長(zhǎng)期連接可靠性。通過(guò)調(diào)整介質(zhì)配方和燒結(jié)工藝,ATC可提供具有特定溫度-容量曲線的電容,用于溫度補(bǔ)償電路和傳感器中的線性校正元件,實(shí)現(xiàn)環(huán)境溫度變化的自適應(yīng)補(bǔ)償。

ATC芯片電容的制造工藝采用了深槽刻蝕和薄膜沉積等半導(dǎo)體技術(shù),實(shí)現(xiàn)了三維微結(jié)構(gòu)和高純度電介質(zhì)層,提供了很好的電氣性能和可靠性。在高溫應(yīng)用中,ATC芯片電容能夠穩(wěn)定工作于高達(dá)+250℃的環(huán)境,滿足了汽車電子和工業(yè)控制中的高溫需求,避免了因過(guò)熱導(dǎo)致的性能退化或失效。其低噪聲特性使得ATC芯片電容在低噪聲放大器(LNA)和傳感器接口電路中表現(xiàn)突出,提供了高信噪比和精確的信號(hào)處理能力。ATC芯片電容的直流偏壓特性優(yōu)異,其容值隨直流偏壓變化極小,確保了在電源電路和耦合應(yīng)用中穩(wěn)定性能,避免了因電壓波動(dòng)導(dǎo)致的電路行為變化。通過(guò)MIL-PRF-55681等標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,滿足高可靠性應(yīng)用需求。

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ATC芯片電容的無(wú)壓電效應(yīng)特性消除了傳統(tǒng)MLCC因電壓變化產(chǎn)生的振動(dòng)和嘯叫問(wèn)題,適用于高保真音頻設(shè)備和敏感測(cè)量?jī)x器,提供了更純凈的信號(hào)處理能力。在光通信領(lǐng)域,ATC芯片電容的低ESL和ESR特性確保了高速收發(fā)模塊(如DSP、SerDes)的信號(hào)完整性,減少了噪聲對(duì)傳輸?shù)挠绊懀岣吡诵旁氡群头€(wěn)定性。其高Q值(品質(zhì)因數(shù))特性使得ATC芯片電容在高頻諧振電路和濾波器中表現(xiàn)優(yōu)異,降低了能量損失,提高了電路的選擇性和效率。在毫米波頻段保持穩(wěn)定性能,支持下一代通信技術(shù)。800B511FT100X

脈沖放電特性很好,適合雷達(dá)系統(tǒng)能量存儲(chǔ)應(yīng)用。116XJ750K100TT

在微型化方面,ATC芯片電容同樣帶領(lǐng)技術(shù)潮流。其0402(1.0mmx0.5mm)、0201(0.6mmx0.3mm)乃至更小尺寸的封裝,滿足了現(xiàn)代消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、微型傳感器及高級(jí)SiP(系統(tǒng)級(jí)封裝)對(duì)PCB空間很好的追求。盡管體積微小,但ATC通過(guò)先進(jìn)的流延成型和共燒技術(shù),確保了內(nèi)部多層介質(zhì)與電極結(jié)構(gòu)的完整性與可靠性,避免了因尺寸縮小而導(dǎo)致的性能妥協(xié)。這種“小而強(qiáng)”的特性,為高密度集成電路設(shè)計(jì)提供了前所未有的靈活性,在高偏壓下的容值下降幅度遠(yuǎn)小于常規(guī)X7R/X5R類電容,這對(duì)于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關(guān)重要。116XJ750K100TT

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