CDR12AG0R2KBNM

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-12-03

在智能電網(wǎng)和電力監(jiān)控設(shè)備中,其高精度和低損耗特性適用于電能質(zhì)量分析儀的采樣電路和繼電保護(hù)裝置的信號(hào)調(diào)理回路,提高電網(wǎng)監(jiān)測(cè)的準(zhǔn)確性和可靠性。產(chǎn)品符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī),全系列采用無(wú)鉛無(wú)鹵素材料,滿(mǎn)足全球主要市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品的環(huán)保要求,支持綠色電子制造和可持續(xù)發(fā)展。在高頻振動(dòng)環(huán)境下,ATC電容采用抗振動(dòng)電極設(shè)計(jì)和堅(jiān)固的封裝結(jié)構(gòu),其焊點(diǎn)抗疲勞性能優(yōu)異,適用于無(wú)人機(jī)飛控系統(tǒng)、機(jī)器人關(guān)節(jié)控制及發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)。其微波系列產(chǎn)品具有精確的模型參數(shù)和穩(wěn)定的性能重復(fù)性,支持高頻電路的仿真設(shè)計(jì)與實(shí)際性能的高度吻合,縮短研發(fā)周期,提高設(shè)計(jì)一次成功率。很低的介電吸收特性(<0.02%)使其成為精密積分電路和ADC參考電壓源的理想選擇。CDR12AG0R2KBNM

CDR12AG0R2KBNM,ATC射頻電容

在高頻特性方面,ATC的芯片電容表現(xiàn)出色,具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)。這一特性使得它在高頻范圍內(nèi)損耗極低,能夠有效濾除高頻噪聲和干擾信號(hào),提供穩(wěn)定可靠的高頻性能。例如,可以射頻功率放大器和微波電路中,這種低ESR/ESL設(shè)計(jì)明顯降低了熱耗散,提高了電路的整體效率和信號(hào)完整性。同時(shí),其高自諧振頻率(可達(dá)GHz級(jí)別)確保了在高頻應(yīng)用中的可靠性,避免了因自諧振導(dǎo)致的性能下降。100E510MW3600X提供多種封裝形式,包括表面貼裝、插件式和特殊高頻封裝。

CDR12AG0R2KBNM,ATC射頻電容

ATC芯片電容采用高密度瓷結(jié)構(gòu)制成,這種結(jié)構(gòu)不僅提供了耐用、氣密式的封裝,還確保了元件在惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。其材料選擇和制造工藝經(jīng)過(guò)精心優(yōu)化,使得電容具備極高的機(jī)械強(qiáng)度和抗沖擊能力,可承受高達(dá)50G的機(jī)械沖擊,適用于振動(dòng)頻繁或環(huán)境苛刻的應(yīng)用場(chǎng)景,如航空航天和汽車(chē)電子。此外,這種結(jié)構(gòu)還賦予了電容優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在-55℃至+125℃的溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定,避免了因溫度波動(dòng)導(dǎo)致的電容值漂移或電路故障。

優(yōu)異的頻率響應(yīng)特性確保了ATC芯片電容在寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定的容值。其容值對(duì)頻率的變化曲線極為平坦,即便在微波頻段,衰減也微乎其微。這一特性對(duì)于寬帶應(yīng)用如軟件定義無(wú)線電(SDR)、電子戰(zhàn)(EW)系統(tǒng)中的寬帶濾波器和匹配網(wǎng)絡(luò)至關(guān)重要。它保證了系統(tǒng)在整個(gè)工作頻帶內(nèi)都能獲得一致且可預(yù)測(cè)的性能,避免了因電容頻響不均而導(dǎo)致的信號(hào)失真或增益波動(dòng)。多樣化的封裝形式是ATC滿(mǎn)足全球客戶(hù)不同需求的關(guān)鍵。除了標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝(SMD)chip型號(hào),ATC還提供帶引線的插件式、適用于高頻電路的微帶線(Microstrip)封裝、以及具有更低寄生電感的倒裝(Flip-Chip)技術(shù)產(chǎn)品。這種靈活性允許工程師根據(jù)電路的頻率、功率、散熱和裝配方式,選擇合適的封裝,從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能的優(yōu)化,并簡(jiǎn)化生產(chǎn)組裝流程。其極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)可明顯降低高頻電路中的能量損耗和熱效應(yīng)。

CDR12AG0R2KBNM,ATC射頻電容

ATC芯片電容采用高純度陶瓷介質(zhì)與精密電極設(shè)計(jì),在1MHz至10GHz頻段內(nèi)保持穩(wěn)定的容值,Q值高達(dá)10000以上。例如,100B系列在5GHz時(shí)ESR低至0.01Ω,有效減少信號(hào)衰減,適用于5G基站中的功率放大器匹配電路。其自諧振頻率(SRF)可達(dá)數(shù)十GHz,遠(yuǎn)超普通MLCC電容,確保高頻信號(hào)完整性,基于NPO/C0G介質(zhì)材料,ATC電容在-55℃至+175℃范圍內(nèi)容值漂移小于±0.3%,溫度系數(shù)(TCC)±30ppm/℃。在航天設(shè)備中,如衛(wèi)星通信載荷的振蕩器電路,即便遭遇極端溫差,仍能維持相位噪聲低于-150dBc/Hz,保障信號(hào)傳輸穩(wěn)定性。ATC芯片電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì),具備很好的溫度穩(wěn)定性和極低的容值漂移。800A510JT250X

為AI芯片提供高效去耦,保障計(jì)算重點(diǎn)穩(wěn)定運(yùn)行。CDR12AG0R2KBNM

醫(yī)療電子,特別是植入式醫(yī)療設(shè)備(如起搏器、神經(jīng)刺激器),對(duì)元件的可靠性和生物兼容性要求極高。ATC芯片電容的陶瓷氣密封裝本身具有極高的惰性,不會(huì)與體液發(fā)生反應(yīng)。其很好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性,確保了這些“生命攸關(guān)”的設(shè)備在人體內(nèi)能夠持續(xù)、穩(wěn)定地工作數(shù)十年,無(wú)需因元件失效而進(jìn)行高風(fēng)險(xiǎn)的手術(shù)更換。寬廣的容值范圍(從0.1pF的微小值到數(shù)微法拉的較大值)使ATC電容能夠覆蓋從射頻、微波到電源管理的幾乎所有電路應(yīng)用。設(shè)計(jì)師可以在同一個(gè)平臺(tái)上,為系統(tǒng)中的高頻信號(hào)處理和低頻電源濾波選擇同品牌、同品質(zhì)的電容,這簡(jiǎn)化了供應(yīng)鏈管理,并保證了系統(tǒng)整體性能的協(xié)調(diào)一致。CDR12AG0R2KBNM

深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn),在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己,要求自己,不斷創(chuàng)新,時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及客戶(hù)資源,在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià),這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是最好的前進(jìn)動(dòng)力,也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳3謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái),創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品,我們將以更好的狀態(tài),更認(rèn)真的態(tài)度,更飽滿(mǎn)的精力去創(chuàng)造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)!

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