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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-12-04

雖然單顆ATC100B系列電容價(jià)格是普通電容的8-10倍(2023年市場(chǎng)報(bào)價(jià)$18.5/顆),但在5G基站功率放大器模塊中,其平均無(wú)故障時(shí)間(MTBF)達(dá)25萬(wàn)小時(shí),超過(guò)設(shè)備廠商10年設(shè)計(jì)壽命要求。華為的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,采用ATC電容的AAU模塊10年運(yùn)維成本降低37%,主要得益于故障率從3‰降至0.05‰。愛(ài)立信的TCO分析報(bào)告指出,考慮到減少基站斷電導(dǎo)致的營(yíng)收損失(約$1500/小時(shí)/站),采用高可靠性電容的ROI周期可縮短至14個(gè)月。在風(fēng)電變流器等工業(yè)場(chǎng)景中,因減少停機(jī)檢修帶來(lái)的年化收益更高達(dá)$12萬(wàn)/臺(tái)。醫(yī)療級(jí)可靠性設(shè)計(jì),通過(guò)生物兼容性認(rèn)證,適合植入設(shè)備。CDR11AG1R4KBNM

CDR11AG1R4KBNM,ATC射頻電容

很好的高溫存儲(chǔ)和操作壽命性能使得ATC電容能夠應(yīng)對(duì)嚴(yán)酷的環(huán)境。其產(chǎn)品可在+250°C的高溫環(huán)境下持續(xù)工作數(shù)千小時(shí),而容值變化、絕緣電阻劣化均微乎其微。這種能力使其不僅適用于傳統(tǒng)汽車(chē)和航空航天,更在深井鉆探、地?zé)岚l(fā)電等超高溫工業(yè)應(yīng)用以及新一代高溫電子產(chǎn)品中,成為不可多得的關(guān)鍵元件。極低的噪聲特性源于ATC電容穩(wěn)定的介質(zhì)結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的絕緣性能。其介質(zhì)內(nèi)部幾乎不存在會(huì)隨機(jī)產(chǎn)生電荷陷阱和釋放的缺陷,因此其產(chǎn)生的1/f噪聲和爆米花噪聲(PopcornNoise)水平極低。在低噪聲放大器(LNA)、高精度傳感器信號(hào)調(diào)理電路和微弱信號(hào)檢測(cè)設(shè)備的前端,使用ATC電容可以有效避免引入額外的噪聲,保證系統(tǒng)能夠提取出微弱的有效信號(hào)。CDR13BG182AJSM通過(guò)MIL-STD-883加速度測(cè)試,在20000g沖擊條件下仍保持電氣性能的完整穩(wěn)定。

CDR11AG1R4KBNM,ATC射頻電容

100E系列支持500V額定電壓,通過(guò)100%高壓老化測(cè)試,可在250%耐壓下持續(xù)工作5秒不擊穿。醫(yī)療設(shè)備如MRI系統(tǒng)的梯度放大器需承受瞬間高壓脈沖,ATC電容的絕緣電阻>10^12Ω,杜絕漏電風(fēng)險(xiǎn),符合AEC-Q200車(chē)規(guī)認(rèn)證。在5GMassiveMIMO天線陣列中,ATC600S系列(0603封裝)憑借0.1pF至100pF容值范圍,實(shí)現(xiàn)帶外噪聲抑制>60dB。其低插損(<0.1dB@2.6GHz)特性可減少基站功耗,配合環(huán)形器設(shè)計(jì),將鄰頻干擾降低至-80dBm以下,滿(mǎn)足3GPPTS38.104標(biāo)準(zhǔn)。

在阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中,ATC芯片電容的高精度和穩(wěn)定性確保了匹配的準(zhǔn)確性,提高了射頻電路的傳輸效率和功率輸出。其符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境友好設(shè)計(jì),使得ATC芯片電容適用于全球市場(chǎng)的電子產(chǎn)品,滿(mǎn)足了環(huán)保法規(guī)和可持續(xù)發(fā)展需求。ATC芯片電容在微波電路中的耦合和直流阻隔應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,其高穩(wěn)定性和低損耗特性確保了信號(hào)傳輸?shù)募儍粜院托?。在醫(yī)療設(shè)備中,ATC芯片電容的高可靠性和生物兼容性使其適用于植入式設(shè)備和體外診斷設(shè)備,確保了患者安全和設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定性。提供定制化服務(wù),可根據(jù)特殊需求開(kāi)發(fā)型號(hào)。

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該類(lèi)電容具有較好的抗直流偏壓特性,即使在較高直流電壓疊加情況下,電容值仍保持高度穩(wěn)定。這一性能使其特別適用于電源去耦、DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出濾波及新能源車(chē)電控系統(tǒng)中的直流鏈路電容,有效避免了因電壓波動(dòng)引發(fā)的系統(tǒng)性能退化。憑借半導(dǎo)體級(jí)制造工藝和精密電極成型技術(shù),ATC芯片電容的容值控制精度極高,公差可達(dá)±0.05pF或±1%(視容值范圍而定)。該特性為高頻匹配網(wǎng)絡(luò)、精密濾波器和參考時(shí)鐘電路提供了可靠的元件基礎(chǔ)。產(chǎn)品系列中包含高耐壓型號(hào),部分系列可承受2000V以上的直流電壓,適用于X光設(shè)備、激光發(fā)生器、脈沖功率電路等高壓應(yīng)用。其介質(zhì)層均勻性?xún)?yōu)越,絕緣電阻高,在使用過(guò)程中不易發(fā)生擊穿或漏電失效。在毫米波頻段保持穩(wěn)定性能,支持下一代通信技術(shù)。116YEA181K100TT

適用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,實(shí)現(xiàn)小型化與低功耗的完美結(jié)合。CDR11AG1R4KBNM

高自諧振頻率(SRF)是ATC電容適用于現(xiàn)代高速電路的前提。由于其極低的寄生電感,其SRF可達(dá)數(shù)十GHz。這意味著在當(dāng)今主流的高速數(shù)字和射頻電路工作頻段內(nèi),ATC電容仍然表現(xiàn)為一個(gè)純電容,發(fā)揮著預(yù)期的去耦、濾波作用,而不會(huì)因進(jìn)入感性區(qū)域而失效,這是普通電容無(wú)法做到的。航空航天與應(yīng)用要求元件能承受極端的環(huán)境應(yīng)力,包括寬溫范圍(-55°C至+125°C及以上)、度振動(dòng)、沖擊、真空輻射環(huán)境等。ATC芯片電容的設(shè)計(jì)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)源自需求,其產(chǎn)品在此類(lèi)極端條件下表現(xiàn)出的堅(jiān)固性和性能穩(wěn)定性,是雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、導(dǎo)航設(shè)備和飛行控制系統(tǒng)中受信賴(lài)的元件之一。CDR11AG1R4KBNM

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