116YBB3R9B100TT

其介質(zhì)材料具有極低的損耗角正切值（DF＜0.1%），明顯降低了高頻應用中的能量耗散。這不僅有助于提升射頻功率放大器效率，還能減少系統(tǒng)發(fā)熱，延長電子設備的使用壽命，尤其適合高功率密度基站和長期連續(xù)運行的通信基礎設施。ATC電容采用獨特的陶瓷-金屬復合電極結構和多層共燒工藝，使其具備優(yōu)異的機械強度和抗彎曲性能。在振動強烈或機械應力頻繁的環(huán)境中（如軌道交通控制系統(tǒng)、重型機械電子設備），仍能保持結構完整性和電氣連接的可靠性。通過MIL-PRF-55681等標準認證，滿足高可靠性應用需求。116YBB3R9B100TT

產(chǎn)品系列中包括具有三明治結構及定制化電極設計的型號，可實現(xiàn)極低的ESL和ESR，用于高速數(shù)字電路的電源分配網(wǎng)絡（PDN）中能有效抑制同步開關噪聲，提升處理器和FPGA的運行穩(wěn)定性。在抗輻射性能方面，部分宇航級ATC電容可承受100krad以上的總劑量輻射，滿足低地球軌道和深空探測任務的需求，適用于衛(wèi)星有效載荷、航天器控制系統(tǒng)及核電站電子設備。其端電極采用可焊性優(yōu)異的鍍層結構，與SnAgCu等無鉛焊料兼容性好，在回流焊和波峰焊過程中不易產(chǎn)生虛焊或冷焊，提高了生產(chǎn)直通率和長期連接可靠性。通過調(diào)整介質(zhì)配方和燒結工藝，ATC可提供具有特定溫度-容量曲線的電容，用于溫度補償電路和傳感器中的線性校正元件，實現(xiàn)環(huán)境溫度變化的自適應補償。700A161JW150XT通過抗硫化測試，適合工業(yè)控制等惡劣環(huán)境應用。

高Q值（品質(zhì)因數(shù)）是ATC電容在構建高頻諧振電路、濾波器和諧振器時的重點參數(shù)。Q值越高，意味著電容的能量損耗越低，諧振曲線的銳度越高。ATC電容的Q值通常在數(shù)千量級，這使得由其構建的濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力，振蕩器則具有更低的相位噪聲和更高的頻率穩(wěn)定性。在頻率源和選頻網(wǎng)絡中，高Q值ATC電容是提升系統(tǒng)整體性能的關鍵。ATC的制造工藝融合了材料科學與半導體技術，例如采用深反應離子刻蝕（DRIE）來形成高深寬比的介質(zhì)槽，采用原子層沉積（ALD）來構建超薄且均勻的電極界面。這些前列工藝實現(xiàn)了電容內(nèi)部三維結構的精確控制，極大地增加了有效電極面積，從而在不增大體積的前提下提升了電容值，并優(yōu)化了電氣性能。這種技術壁壘使得ATC在很好電容領域始終保持帶領地位。

優(yōu)化的電極邊緣設計是ATC減少寄生參數(shù)、提升高頻性能的又一細節(jié)。通過特殊的電極幾何形狀設計和邊緣場控制技術，ATC有效降低了電極末端的場強集中和邊緣效應，從而進一步減少了ESL和ESR，并提高了電容的耐壓能力。這種對細節(jié)的追求，構成了ATC高性能的堅實基礎。很好的焊接工藝兼容性使得ATC芯片電容能夠完美融入現(xiàn)代SMT生產(chǎn)線。其端電極采用多層結構（如鎳屏障層和錫焊接層），可承受無鉛回流焊的高溫（峰值溫度260°C），具有良好的可焊性和耐焊性，避免了立碑、虛焊等缺陷。同時，其抗熱震性能優(yōu)異，能承受焊接過程中的快速溫度變化，確保高良品率。在高功率雷達系統(tǒng)的脈沖形成網(wǎng)絡中，ATC電容承擔著儲能和快速放電的關鍵任務。其高耐壓能力允許存儲高能量，低ESR確保了在極短時間內(nèi)（微秒或納秒級）能夠釋放出巨大的峰值電流，而低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小。這種高性能是雷達實現(xiàn)遠距離、高分辨率探測的基礎。容值老化率極低，十年變化小于1%，確保長期使用穩(wěn)定性。

該類電容具有較好的抗直流偏壓特性，即使在較高直流電壓疊加情況下，電容值仍保持高度穩(wěn)定。這一性能使其特別適用于電源去耦、DC-DC轉換器輸出濾波及新能源車電控系統(tǒng)中的直流鏈路電容，有效避免了因電壓波動引發(fā)的系統(tǒng)性能退化。憑借半導體級制造工藝和精密電極成型技術，ATC芯片電容的容值控制精度極高，公差可達±0.05pF或±1%（視容值范圍而定）。該特性為高頻匹配網(wǎng)絡、精密濾波器和參考時鐘電路提供了可靠的元件基礎。產(chǎn)品系列中包含高耐壓型號，部分系列可承受2000V以上的直流電壓，適用于X光設備、激光發(fā)生器、脈沖功率電路等高壓應用。其介質(zhì)層均勻性優(yōu)越，絕緣電阻高，在使用過程中不易發(fā)生擊穿或漏電失效。ATC芯片電容采用獨特的氮化硅薄膜技術，明顯提升介質(zhì)擊穿強度，確保在超高電場下的工作穩(wěn)定性。501S42E1R0BV4E

具備很好的抗輻射性能，滿足太空電子設備在宇宙射線環(huán)境下的長期可靠運行要求。116YBB3R9B100TT

優(yōu)異的頻率響應特性確保了ATC芯片電容在寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定的容值。其容值對頻率的變化曲線極為平坦，即便在微波頻段，衰減也微乎其微。這一特性對于寬帶應用如軟件定義無線電（SDR）、電子戰(zhàn)（EW）系統(tǒng)中的寬帶濾波器和匹配網(wǎng)絡至關重要。它保證了系統(tǒng)在整個工作頻帶內(nèi)都能獲得一致且可預測的性能，避免了因電容頻響不均而導致的信號失真或增益波動。多樣化的封裝形式是ATC滿足全球客戶不同需求的關鍵。除了標準的表面貼裝（SMD）chip型號，ATC還提供帶引線的插件式、適用于高頻電路的微帶線（Microstrip）封裝、以及具有更低寄生電感的倒裝（Flip-Chip）技術產(chǎn)品。這種靈活性允許工程師根據(jù)電路的頻率、功率、散熱和裝配方式，選擇合適的封裝，從而實現(xiàn)系統(tǒng)性能的優(yōu)化，并簡化生產(chǎn)組裝流程。116YBB3R9B100TT

深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經(jīng)驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！