116RF100M100TT

來源: 發(fā)布時間:2025-12-05

在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異,即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時極大節(jié)省了PCB空間,為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點及高密度系統(tǒng)級封裝(SiP)提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車規(guī)標(biāo)準(zhǔn),可承受1000小時以上高溫高濕偏壓測試及1000次溫度循環(huán)試驗,完全滿足汽車電子對元器件的嚴(yán)苛可靠性要求,廣泛應(yīng)用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統(tǒng)。完全無壓電效應(yīng),杜絕嘯叫現(xiàn)象,適合高保真音頻應(yīng)用。116RF100M100TT

116RF100M100TT,ATC射頻電容

ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性堪稱行業(yè)很好,其對于溫度、時間、電壓三大變量的敏感性被控制在極低水平。其C0G(NP0)介質(zhì)的電容溫度系數(shù)(TCC)低至0±30ppm/°C,在-55°C至+125°C的全溫范圍內(nèi),容值變化率通常小于±0.5%。同時,其容值隨時間的老化率遵循對數(shù)定律,每十年變化小于1%,表現(xiàn)出驚人的長期穩(wěn)定性。此外,其介質(zhì)材料的直流偏壓特性優(yōu)異,在高偏壓下的容值下降幅度遠(yuǎn)小于常規(guī)X7R/X5R類電容,這對于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關(guān)重要。ATC100B電容內(nèi)部采用銅銀復(fù)合電極結(jié)構(gòu),在高溫高濕環(huán)境下仍保持優(yōu)異的導(dǎo)電性和抗遷移能力。

116RF100M100TT,ATC射頻電容

產(chǎn)品系列中包括具有三明治結(jié)構(gòu)及定制化電極設(shè)計的型號,可實現(xiàn)極低的ESL和ESR,用于高速數(shù)字電路的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)中能有效抑制同步開關(guān)噪聲,提升處理器和FPGA的運(yùn)行穩(wěn)定性。在抗輻射性能方面,部分宇航級ATC電容可承受100krad以上的總劑量輻射,滿足低地球軌道和深空探測任務(wù)的需求,適用于衛(wèi)星有效載荷、航天器控制系統(tǒng)及核電站電子設(shè)備。其端電極采用可焊性優(yōu)異的鍍層結(jié)構(gòu),與SnAgCu等無鉛焊料兼容性好,在回流焊和波峰焊過程中不易產(chǎn)生虛焊或冷焊,提高了生產(chǎn)直通率和長期連接可靠性。通過調(diào)整介質(zhì)配方和燒結(jié)工藝,ATC可提供具有特定溫度-容量曲線的電容,用于溫度補(bǔ)償電路和傳感器中的線性校正元件,實現(xiàn)環(huán)境溫度變化的自適應(yīng)補(bǔ)償。

ATC芯片電容在材料科學(xué)上取得了重大突破,其采用的超精細(xì)、高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)體系是很好性能的基石。這種材料不僅具備極高的介電常數(shù),允許在微小體積內(nèi)實現(xiàn)更大的電容值,更重要的是,其晶體結(jié)構(gòu)異常穩(wěn)定。通過精密的摻雜和燒結(jié)工藝,ATC成功抑制了介質(zhì)材料在電場和溫度場作用下的離子遷移現(xiàn)象,從而從根本上確保了容值的超穩(wěn)定性。這種材料級的優(yōu)勢,使得ATC電容在應(yīng)對高頻、高壓、高溫等極端應(yīng)力時,性能衰減微乎其微,遠(yuǎn)非普通MLCC所能比擬。優(yōu)異的可焊性和耐焊接熱性能,適應(yīng)無鉛回流焊工藝。

116RF100M100TT,ATC射頻電容

其高容值范圍(如0.1pF至100μF)覆蓋了從高頻信號處理到電源管理的多種應(yīng)用,提供了寬泛的設(shè)計靈活性。ATC芯片電容的自諧振頻率高,避免了在高頻應(yīng)用中的容值衰減,確保了在射頻和微波電路中的可靠性。在航空航天領(lǐng)域,ATC芯片電容能夠承受極端溫度、輻射和振動,確保了關(guān)鍵系統(tǒng)的可靠運(yùn)行,滿足了和航天標(biāo)準(zhǔn)的要求。其優(yōu)化電極設(shè)計降低了寄生參數(shù),提高了高頻性能,使得ATC芯片電容在高速數(shù)字電路和高頻模擬電路中表現(xiàn)很好。為AI芯片提供高效去耦,保障計算重點穩(wěn)定運(yùn)行。600F121MT250T

絕緣電阻高達(dá)10^4兆歐姆·微法,防止泄漏電流。116RF100M100TT

ATC芯片電容的焊接工藝兼容性良好,可承受回流焊(峰值溫度≤260℃)和波峰焊,適用于標(biāo)準(zhǔn)SMT生產(chǎn)線,提高了制造效率。在雷達(dá)系統(tǒng)中,ATC芯片電容的高功率處理能力和低損耗特性確保了脈沖處理和信號傳輸?shù)目煽啃裕岣吡讼到y(tǒng)性能。其高絕緣電阻(如1000兆歐分鐘)降低了泄漏電流,確保了在高壓和高阻電路中的安全性,避免了因泄漏導(dǎo)致的電路誤差或失效。ATC芯片電容的定制化能力強(qiáng)大,可根據(jù)客戶需求提供特殊容值、公差和封裝,滿足了特定應(yīng)用的高要求。116RF100M100TT

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