句容優(yōu)勢(shì)電子元器件量大從優(yōu)

A 檢測(cè)10pF以下的小電容 因10pF以下的固定電容器容量太小，用萬用表進(jìn)行測(cè)量，只能定性的檢查其是否有漏電，內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。測(cè)量時(shí)，可選用萬用表R×10k擋，用兩表筆分別任意接電容的兩個(gè)引腳，阻值應(yīng)為無窮大。若測(cè)出阻值(指針向右擺動(dòng))為零，則說明電容漏電損壞或內(nèi)部擊穿。B 檢測(cè)10pF～0.01μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象，進(jìn)而判斷其好壞。萬用表選用R×1k擋。兩只三極管的β值均為100以上，且穿透電流要選用3DG6等型號(hào)硅三極管組成復(fù)合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復(fù)合三極管的放大作用，把被測(cè)電容的充放電過程予以放大，使萬用表指針擺幅度加大，從而便于觀察。應(yīng)注意的是：在測(cè)試操作時(shí)，特別是在測(cè)較小容量的電容時(shí)，要反復(fù)調(diào)換被測(cè)電容引腳接觸A、B兩點(diǎn)，才能明顯地看到萬用表指針的擺動(dòng)。性能匹配：根據(jù)電路需求選擇技術(shù)參數(shù)（如電壓、電流、頻率響應(yīng)）符合要求的元器件。句容優(yōu)勢(shì)電子元器件量大從優(yōu)

光電器件下一代光傳送網(wǎng)的基本特征是超大容量，從各種復(fù)用技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r看，密集波分復(fù)用（DWDM）被認(rèn)為是擴(kuò)大網(wǎng)絡(luò)容量和提高其靈活性的***途徑。采用DWDM可以使容量迅速地?cái)U(kuò)大數(shù)十倍至數(shù)百倍。由于市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)和技術(shù)突破的影響，波分復(fù)用系統(tǒng)發(fā)展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復(fù)用有關(guān)。DWDM的發(fā)展思路一直是追求更高的頻譜效率，一方面提高每個(gè)通道的速率，另一方面增加通道密度。在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實(shí)用化，預(yù)計(jì)到2004年開始商業(yè)應(yīng)用，一些電信公司如阿爾卡特的實(shí)驗(yàn)室已進(jìn)行了160Gbit/s的傳輸實(shí)驗(yàn)泰州新型電子元器件圖片電容器：儲(chǔ)存電能的元件，能夠在電路中平滑電壓波動(dòng)。

在點(diǎn)接觸型晶體管開發(fā)成功的同時(shí)，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年，具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。

B 注意：測(cè)試時(shí)，特別是在測(cè)幾十kΩ以上阻值的電阻時(shí)，手不要觸及表筆和電阻的導(dǎo)電部分；被檢測(cè)的電阻從電路中焊下來，至少要焊開一個(gè)頭，以免電路中的其他元件對(duì)測(cè)試產(chǎn)生影響，造成測(cè)量誤差；色環(huán)電阻的阻值雖然能以色環(huán)標(biāo)志來確定，但在使用時(shí)比較好還是用萬用表測(cè)試一下其實(shí)際阻值。2 水泥電阻的檢測(cè)。檢測(cè)水泥電阻的方法及注意事項(xiàng)與檢測(cè)普通固定電阻完全相同。3 熔斷電阻器的檢測(cè)。在電路中，當(dāng)熔斷電阻器熔斷開路后，可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)作出判斷：若發(fā)現(xiàn)熔斷電阻器表面發(fā)黑或燒焦，可斷定是其負(fù)荷過重，通過它的電流超過額定值很多倍所致；連接器：用于連接電路中不同部分的元件，確保電信號(hào)的傳輸。

在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化。電子元器件的發(fā)展歷史實(shí)際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。電子元器件1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是，這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。封裝與工藝：根據(jù)電路板設(shè)計(jì)選擇貼片式、直插式等封裝形式，確保兼容性與生產(chǎn)效率。泰州新型電子元器件圖片

1906年，美國(guó)發(fā)明家德福雷斯特（De Forest Lee）發(fā)明了真空三極管（電子管）。句容優(yōu)勢(shì)電子元器件量大從優(yōu)

B 將一光源對(duì)準(zhǔn)光敏電阻的透光窗口，此時(shí)萬用表的指針應(yīng)有較大幅度的擺動(dòng)，阻值明顯減些 此值越小說明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無窮大，表明光敏電阻內(nèi)部開路損壞，也不能再繼續(xù)使用。C 將光敏電阻透光窗口對(duì)準(zhǔn)入射光線，用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動(dòng)，使其間斷受光，此時(shí)萬用表指針應(yīng)隨黑紙片的晃動(dòng)而左右擺動(dòng)。如果萬用表指針始終停在某一位置不隨紙片晃動(dòng)而擺動(dòng)，說明光敏電阻的光敏材料已經(jīng)損壞。電容器1 固定電容器的檢測(cè)句容優(yōu)勢(shì)電子元器件量大從優(yōu)

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