碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割廠

大規(guī)模量產(chǎn)場(chǎng)景中，晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關(guān)重要。中清航科推出的全自動(dòng)切割生產(chǎn)線，集成自動(dòng)上下料、在線檢測(cè)與NG品分揀功能，單臺(tái)設(shè)備每小時(shí)可處理30片12英寸晶圓，且通過(guò)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)多設(shè)備協(xié)同管控，設(shè)備綜合效率（OEE）提升至90%以上，明顯降低人工干預(yù)帶來(lái)的質(zhì)量波動(dòng)。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展，目前主流晶圓厚度已降至50-100μm，切割過(guò)程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術(shù)，通過(guò)局部深冷處理增強(qiáng)晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺(tái)，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于20μm，為先進(jìn)封裝工藝提供可靠的晶圓預(yù)處理保障。晶圓切割大數(shù)據(jù)平臺(tái)中清航科開(kāi)發(fā)，實(shí)時(shí)分析10萬(wàn)+工藝參數(shù)。碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割廠

晶圓切割的主要目標(biāo)之一是從每片晶圓中獲得高產(chǎn)量的、功能完整且無(wú)損的芯片。產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)，因?yàn)樗苯佑绊戨娮悠骷a(chǎn)的成本和效率。更高的產(chǎn)量意味著每個(gè)芯片的成本更造能力更大，制造商更能滿足不斷增長(zhǎng)的電子器件需求。晶圓切割直接影響到包含這些分離芯片的電子器件的整體性能。切割過(guò)程的精度和準(zhǔn)確性需要確保每個(gè)芯片按照設(shè)計(jì)規(guī)格分離，尺寸和對(duì)準(zhǔn)的變化小。這種精度對(duì)于在終設(shè)備中實(shí)現(xiàn)比較好電氣性能、熱管理和機(jī)械穩(wěn)定性至關(guān)重要。南通12英寸半導(dǎo)體晶圓切割測(cè)試晶圓切割培訓(xùn)課程中清航科每月開(kāi)放，已認(rèn)證工程師超800名。

隨著芯片輕薄化趨勢(shì)，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設(shè)備采用漸進(jìn)式壓力控制技術(shù)，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經(jīng)背面研磨后自動(dòng)分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應(yīng)用于5G射頻模塊量產(chǎn)線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級(jí)過(guò)濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風(fēng)險(xiǎn)。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定，延長(zhǎng)刀片壽命200小時(shí)以上呢。

在晶圓切割的產(chǎn)能規(guī)劃方面，中清航科為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)能評(píng)估服務(wù)。通過(guò)產(chǎn)能模擬軟件，根據(jù)客戶的晶圓規(guī)格、日產(chǎn)量需求、設(shè)備利用率等參數(shù)，精確計(jì)算所需設(shè)備數(shù)量與配置方案，并提供投資回報(bào)分析，幫助客戶優(yōu)化設(shè)備采購(gòu)決策，避免產(chǎn)能過(guò)剩或不足的問(wèn)題。針對(duì)晶圓切割過(guò)程中可能出現(xiàn)的異常情況，中清航科開(kāi)發(fā)了智能應(yīng)急處理系統(tǒng)。設(shè)備可自動(dòng)識(shí)別切割偏差過(guò)大、晶圓破裂等異常狀態(tài)，并根據(jù)預(yù)設(shè)方案采取緊急停機(jī)、廢料處理等措施，同時(shí)自動(dòng)保存異常發(fā)生前的工藝數(shù)據(jù)，為后續(xù)問(wèn)題分析提供依據(jù)，比較大限度減少損失。中清航科納米涂層刀片壽命延長(zhǎng)3倍，單刀切割達(dá)500片。

中清航科設(shè)備搭載AI參數(shù)推薦引擎，通過(guò)分析晶圓MAP圖自動(dòng)匹配切割速度、進(jìn)給量及冷卻流量。機(jī)器學(xué)習(xí)模型基于10萬(wàn)+案例庫(kù)持續(xù)優(yōu)化，將工藝調(diào)試時(shí)間從48小時(shí)縮短至2小時(shí)，快速響應(yīng)客戶多品種、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大，傳統(tǒng)切割良率不足80%。中清航科采用激光誘導(dǎo)劈裂技術(shù)（LIPS），通過(guò)精確控制激光熱影響區(qū)引發(fā)材料沿晶向解理，切割速度達(dá)200mm/s，崩邊<10μm，滿足新能源汽車功率器件嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。中清航科提供從晶圓貼膜、切割到清洗的全流程自動(dòng)化方案。機(jī)械手聯(lián)動(dòng)精度±5μm，兼容SECS/GEM協(xié)議實(shí)現(xiàn)MES系統(tǒng)對(duì)接。模塊化設(shè)計(jì)支持產(chǎn)能彈性擴(kuò)展，單線UPH（每小時(shí)產(chǎn)能）提升至120片，人力成本降低70%。中清航科切割工藝白皮書(shū)下載量超10萬(wàn)次，成行業(yè)參考標(biāo)準(zhǔn)。南通12英寸半導(dǎo)體晶圓切割測(cè)試

中清航科全自動(dòng)切割線配備AI視覺(jué)定位，精度達(dá)±1.5μm。碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割廠

中清航科開(kāi)放6條全自動(dòng)切割產(chǎn)線，支持從8英寸化合物半導(dǎo)體到12英寸邏輯晶圓的來(lái)料加工。云端訂單系統(tǒng)實(shí)時(shí)追蹤進(jìn)度，平均交貨周期48小時(shí)，良率承諾99.2%。先進(jìn)封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應(yīng)用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護(hù)，在銅-硅界面形成納米級(jí)熔融區(qū)，剝離強(qiáng)度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺(tái)，收錄3000+材料參數(shù)組合。客戶輸入晶圓類型/厚度/目標(biāo)良率，自動(dòng)生成比較好參數(shù)包，工藝開(kāi)發(fā)周期縮短90%。碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割廠