GEN測(cè)試系統(tǒng)定制價(jià)格

 PPMU功能實(shí)現(xiàn)每引腳**電源管理測(cè)試 智能駕駛SoC通常包含多個(gè)電源域，以實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)功耗管理。杭州國(guó)磊GT600每通道集成PPMU（每引腳參數(shù)測(cè)量單元），支持FIMV/FIMI/FVMI/FVMV四種工作模式，可**控制每個(gè)引腳的電壓施加與電流測(cè)量。這一能力對(duì)于驗(yàn)證芯片在低功耗休眠、喚醒切換、電壓驟降等場(chǎng)景下的行為至關(guān)重要。例如，在模擬車輛啟動(dòng)瞬間電源波動(dòng)時(shí)，GT600可精確監(jiān)測(cè)各電源域的電流響應(yīng)，確保SoC不會(huì)因電源異常導(dǎo)致功能失效或安全風(fēng)險(xiǎn)。強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析功能，助您快速定位問題。GEN測(cè)試系統(tǒng)定制價(jià)格

    MEMS麥克風(fēng)消費(fèi)電子中***采用的數(shù)字/模擬MEMS麥克風(fēng)，內(nèi)部包含聲學(xué)傳感MEMS結(jié)構(gòu)與低噪聲前置放大器ASIC。關(guān)鍵指標(biāo)包括靈敏度、信噪比（SNR）、總諧波失真（THD）和AOP（聲學(xué)過載點(diǎn)）。杭州國(guó)磊（Guolei）支持點(diǎn)：GT-AWGLP02AWG板卡生成純凈1kHz正弦激勵(lì)（THD<-122dB）；高分辨率Digitizer采集輸出信號(hào)，計(jì)算SNR與THD；支持I2S/PDM等數(shù)字音頻接口協(xié)議測(cè)試；可進(jìn)行多顆麥克風(fēng)并行測(cè)試（512Sites），滿足手機(jī)廠商大批量需求。壓力傳感器（氣壓/差壓/***壓力）用于可穿戴健康監(jiān)測(cè)（如血氧估算）、汽車胎壓監(jiān)測(cè)（TPMS）、工業(yè)過程控制等。其ASIC需處理pF級(jí)電容變化，并具備溫度補(bǔ)償與校準(zhǔn)功能。杭州國(guó)磊（Guolei）支持點(diǎn)：PPMU施加精確偏置電壓并測(cè)量微安級(jí)工作電流；AWG模擬不同壓力對(duì)應(yīng)的電容激勵(lì)信號(hào)；Digitizer采集校準(zhǔn)后數(shù)字輸出（如I2C讀數(shù)），驗(yàn)證線性度與零點(diǎn)漂移；支持高低溫環(huán)境下的參數(shù)漂移測(cè)試（配合溫控分選機(jī)）。 GEN測(cè)試系統(tǒng)定制價(jià)格國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持高達(dá)2048個(gè)數(shù)字通道，滿足HBM接口千級(jí)I/O引腳的并行測(cè)試需求。

每一部智能手機(jī)的**都是一顆名為SoC的“超級(jí)大腦”。以蘋果為例，每一代iPhone都搭載自研的A系列或M系列芯片（如A18、M4）。這顆芯片集成了CPU、GPU、NPU、ISP、基帶、內(nèi)存控制器等數(shù)十個(gè)模塊。但這顆芯片在量產(chǎn)前，必須經(jīng)歷SoC測(cè)試機(jī)成千上萬次的測(cè)試。比如功能驗(yàn)證：檢查芯片的每一個(gè)邏輯門是否正常工作。當(dāng)你用iPhone拍照時(shí)，ISP是否能正確處理圖像？A18芯片的NPU是否能準(zhǔn)確識(shí)別人臉？國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)會(huì)模擬各種使用場(chǎng)景，輸入測(cè)試向量，驗(yàn)證輸出結(jié)果。性能篩選：國(guó)磊GT600SoC芯片測(cè)試機(jī)會(huì)進(jìn)行速度分級(jí)測(cè)試，將芯片分為不同等級(jí)。只有通過最高速度測(cè)試的芯片，才會(huì)被用于旗艦機(jī)型。功耗與漏電檢測(cè)：手機(jī)續(xù)航至關(guān)重要。國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)的PPMU能精確測(cè)量芯片的靜態(tài)電流（Iddq），確保待機(jī)時(shí)不“偷電”，避免手機(jī)“一天三充”?？煽啃员Ｕ希涸跇O端溫度、電壓下運(yùn)行芯片，篩選出可能早期失效的“弱雞芯片”。國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)支持老化測(cè)試，確保每一顆裝進(jìn)iPhone的芯片都經(jīng)得起長(zhǎng)期使用?；旌闲盘?hào)測(cè)試：現(xiàn)代SoC不僅有數(shù)字電路，還有大量模擬模塊（如音頻編解碼、電源管理）。國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)可選配AWG和TMU，精確測(cè)試這些模擬功能，確保通話清晰、充電穩(wěn)定。

GT600每通道集成PPMU，具備nA級(jí)電流分辨率。在電源門控測(cè)試中，將PPMU連接至被門控模塊的電源引腳（VDD）或地引腳（VSS），在門控信號(hào)（PG_EN）關(guān)閉后，測(cè)量該模塊的靜態(tài)電流（IDDQ）。若電流**高于設(shè)計(jì)預(yù)期（如>1μA），則表明存在異常漏電，可能由工藝缺陷或電源開關(guān)未完全關(guān)斷導(dǎo)致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同時(shí)監(jiān)測(cè)主電源域與被門控電源域的電流。測(cè)試時(shí)，保持主邏輯供電，關(guān)閉目標(biāo)模塊的電源門控信號(hào)，通過對(duì)比門控前后該域電流的變化，精確提取**由門控網(wǎng)絡(luò)控制的漏電成分，排除其他模塊干擾。GT600支持電壓掃描（VoltageSweeping）和溫控聯(lián)動(dòng)（通過探針臺(tái)接口），可在高溫（如125°C）和高電壓條件下進(jìn)行測(cè)試，放大漏電效應(yīng)，提升缺陷檢出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下測(cè)量關(guān)斷電流，可暴露常溫下難以發(fā)現(xiàn)的微小漏電。通過GTFY軟件系統(tǒng)編寫C++腳本，可自動(dòng)化執(zhí)行：施加正常工作電壓；發(fā)送指令進(jìn)入低功耗模式并觸發(fā)電源門控；延時(shí)穩(wěn)定（如10ms）；啟動(dòng)PPMU進(jìn)行電流采樣；重復(fù)多次以驗(yàn)證一致性。該流程確保測(cè)試可重復(fù)，并能捕捉間歇性漏電。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行電源門控測(cè)試即驗(yàn)證PowerGating開關(guān)的漏電控制效果。

“風(fēng)華3號(hào)”的推出標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)全功能GPU在大模型訓(xùn)練、科學(xué)計(jì)算與重度渲染領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從0到1的突破。其集成RISC-VCPU與CUDA兼容GPU架構(gòu)，支持PyTorch、CUDA、Triton等主流AI生態(tài)，對(duì)芯片功能復(fù)雜度、接口帶寬與時(shí)序精度提出了極高要求。此類高性能GPU通常具備數(shù)千個(gè)邏輯引腳、多電源域、高速SerDes接口及復(fù)雜狀態(tài)機(jī)，傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備難以完成**驗(yàn)證。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持**2048個(gè)數(shù)字通道與400MHz測(cè)試速率，可完整覆蓋“風(fēng)華3號(hào)”類GPU的高引腳數(shù)、高速功能測(cè)試需求。其32/64/128M向量存儲(chǔ)深度支持復(fù)雜計(jì)算指令序列的Pattern加載，確保GPU**、NPU單元及RISC-V子系統(tǒng)的功能正確性。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)可通過配置相應(yīng)板卡和開發(fā)測(cè)試程序?qū)崿F(xiàn)SoC全測(cè)試。杭州國(guó)磊CAF測(cè)試系統(tǒng)廠家

精密的電流檢測(cè)能力，實(shí)時(shí)捕捉微小電流變化。GEN測(cè)試系統(tǒng)定制價(jià)格

科研創(chuàng)新的“開放平臺(tái)” 在高校與科研院所，芯片研發(fā)需要高度靈活的測(cè)試環(huán)境。杭州國(guó)磊GT600的開放式GTFY系統(tǒng)支持C++/Python編程，研究人員可自由開發(fā)測(cè)試算法，驗(yàn)證新型架構(gòu)（如存算一體、類腦芯片）。其16個(gè)通用插槽可接入自研測(cè)試板卡，實(shí)現(xiàn)定制化測(cè)量。128M向量深度支持復(fù)雜實(shí)驗(yàn)程序運(yùn)行，避免頻繁加載。杭州國(guó)磊GT600還支持探針臺(tái)接口，便于對(duì)晶圓上裸片進(jìn)行特性表征。在國(guó)產(chǎn)芯片從“模仿”到“創(chuàng)新”的轉(zhuǎn)型中，杭州國(guó)磊GT600不僅是量產(chǎn)工具，更是科研探索的“開放實(shí)驗(yàn)臺(tái)”，為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的突破提供關(guān)鍵支持。GEN測(cè)試系統(tǒng)定制價(jià)格