揚(yáng)州PCB測(cè)試系統(tǒng)按需定制

杭州國(guó)磊GT600 SoC測(cè)試機(jī)在車規(guī)芯片測(cè)試中扮演著“全生命周期可靠性衛(wèi)士”的關(guān)鍵角色，其應(yīng)用貫穿從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)的全過程，精細(xì)滿足AEC-Q100等嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。 首先，國(guó)磊GT600的**優(yōu)勢(shì)在于其高精度參數(shù)測(cè)量能力。 其每通道集成的PPMU（參數(shù)測(cè)量單元）可精確測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)漏電流（Iddq），這是車規(guī)芯片的**指標(biāo)。微小漏電可能在高溫或長(zhǎng)期使用后演變?yōu)楣δ苁В瑖?guó)磊GT600通過精密篩查，確保芯片在-40℃至150℃寬溫域內(nèi)“零漏電”，大幅提升產(chǎn)品早期可靠性。 其次，國(guó)磊GT600***支持AEC-Q100關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目。 在高溫工作壽命測(cè)試（HTOL）中，國(guó)磊GT600可配合溫控系統(tǒng)，在150℃高溫下對(duì)芯片施加高壓并連續(xù)運(yùn)行1000小時(shí)以上，驗(yàn)證其長(zhǎng)期穩(wěn)定性。其浮動(dòng)SMU電源板卡能精細(xì)模擬車載12V/24V供電系統(tǒng)，驗(yàn)證電源管理單元（PMU）在電壓波動(dòng)、負(fù)載突變下的響應(yīng)能力，防止“掉電重啟”。國(guó)磊GT600高達(dá)512個(gè)數(shù)字通道，可同時(shí)測(cè)試集成模擬模塊的SoC，如MCU+ADC+DAC+OPA的完整功能驗(yàn)證。揚(yáng)州PCB測(cè)試系統(tǒng)按需定制

科研創(chuàng)新的“開放平臺(tái)” 在高校與科研院所，芯片研發(fā)需要高度靈活的測(cè)試環(huán)境。杭州國(guó)磊GT600的開放式GTFY系統(tǒng)支持C++/Python編程，研究人員可自由開發(fā)測(cè)試算法，驗(yàn)證新型架構(gòu)（如存算一體、類腦芯片）。其16個(gè)通用插槽可接入自研測(cè)試板卡，實(shí)現(xiàn)定制化測(cè)量。128M向量深度支持復(fù)雜實(shí)驗(yàn)程序運(yùn)行，避免頻繁加載。杭州國(guó)磊GT600還支持探針臺(tái)接口，便于對(duì)晶圓上裸片進(jìn)行特性表征。在國(guó)產(chǎn)芯片從“模仿”到“創(chuàng)新”的轉(zhuǎn)型中，杭州國(guó)磊GT600不僅是量產(chǎn)工具，更是科研探索的“開放實(shí)驗(yàn)臺(tái)”，為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的突破提供關(guān)鍵支持。杭州國(guó)磊SIR測(cè)試系統(tǒng)定制具備AC斷電報(bào)警與軟件異常提醒，杜絕意外中斷風(fēng)險(xiǎn)。

國(guó)磊（Guolei）的SoC測(cè)試機(jī)（如GT600）雖然主要面向高性能系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的數(shù)字、模擬及混合信號(hào)測(cè)試，但其技術(shù)能力與MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）領(lǐng)域存在多維度、深層次的聯(lián)系。盡管MEMS器件本身結(jié)構(gòu)特殊（包含機(jī)械微結(jié)構(gòu)、傳感器/執(zhí)行器等），但在實(shí)際應(yīng)用中，絕大多數(shù)MEMS芯片都需與**ASIC或SoC集成封裝（如慣性測(cè)量單元IMU、麥克風(fēng)、壓力傳感器等），而這些配套電路的測(cè)試正是國(guó)磊SoC測(cè)試機(jī)的**應(yīng)用場(chǎng)景。MEMS-ASIC協(xié)同封裝的測(cè)試需求，現(xiàn)代MEMS產(chǎn)品極少以“裸傳感器”形式存在，通常采用MEMS+ASIC的異質(zhì)集成方案。例如，加速度計(jì)/陀螺儀中的MEMS結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)感知物理量，而配套的ASIC則完成信號(hào)調(diào)理、模數(shù)轉(zhuǎn)換、溫度補(bǔ)償和數(shù)字接口輸出。這類ASIC往往具備高精度模擬前端（如低噪聲放大器、Σ-Δ ADC）、可編程增益控制和I2C/SPI數(shù)字接口，屬于典型的混合信號(hào)SoC。 國(guó)磊GT600配備24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引腳參數(shù)測(cè)量單元及TMU時(shí)間測(cè)量功能，可***驗(yàn)證此類MEMS配套ASIC的線性度、噪聲性能、時(shí)序響應(yīng)和電源抑制比，確保傳感器整體精度與可靠性。

HBM接口動(dòng)輒上千個(gè)高速信號(hào)引腳，數(shù)據(jù)速率高達(dá)Gbps級(jí)別，對(duì)測(cè)試設(shè)備的通道密度、測(cè)試速率與時(shí)序精度提出極限挑戰(zhàn)。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)以400MHz測(cè)試速率和**2048個(gè)數(shù)字通道的強(qiáng)大配置，從容應(yīng)對(duì)HBM接口的高并發(fā)、高速邏輯測(cè)試需求。其128M向量存儲(chǔ)深度可完整運(yùn)行復(fù)雜協(xié)議測(cè)試Pattern，確保功能覆蓋無遺漏。更關(guān)鍵的是，GT600支持512Sites高并行測(cè)試，大幅提升測(cè)試吞吐量，**降低AI芯片的單顆測(cè)試成本。在HBM驅(qū)動(dòng)的算力**中，GT600不**是測(cè)試工具，更是提升國(guó)產(chǎn)AI芯片量產(chǎn)效率與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的**引擎。GM8800導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)，精確測(cè)量高達(dá)10^14Ω的絕緣電阻。

AI大模型芯片的“算力守門人” 在AI大模型驅(qū)動(dòng)算力**的***，國(guó)產(chǎn)AI芯片（如寒武紀(jì)、壁仞）正加速替代英偉達(dá)GPU。然而，這些芯片內(nèi)部集成了數(shù)千個(gè)AI**與高速互聯(lián)總線，其功能復(fù)雜度與功耗控制要求極高。杭州國(guó)磊GT600 SoC測(cè)試機(jī)憑借400MHz測(cè)試速率與128M向量深度，可完整運(yùn)行復(fù)雜的AI推理算法測(cè)試向量，驗(yàn)證NPU在真實(shí)負(fù)載下的計(jì)算精度與吞吐能力。其高精度PPMU能精確測(cè)量芯片在待機(jī)、輕載、滿載等多場(chǎng)景下的動(dòng)態(tài)電流，確?！懊客咛厮懔Α边_(dá)標(biāo)。同時(shí)，杭州國(guó)磊GT600支持512站點(diǎn)并行測(cè)試，大幅提升量產(chǎn)效率，降低單顆芯片測(cè)試成本，為AI芯片大規(guī)模部署數(shù)據(jù)中心提供堅(jiān)實(shí)支撐?？梢哉f，杭州國(guó)磊GT600不僅是AI芯片的“質(zhì)檢員”，更是其從實(shí)驗(yàn)室走向萬卡集群的“量產(chǎn)加速器”。精確的閾值判定，及時(shí)報(bào)警，有效保護(hù)您的樣品。杭州國(guó)磊導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)

快速的數(shù)據(jù)采集速度，8秒內(nèi)完成256通道掃描+數(shù)據(jù)分析！揚(yáng)州PCB測(cè)試系統(tǒng)按需定制

在全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備長(zhǎng)期被美日巨頭壟斷的背景下，杭州國(guó)磊推出的GT600 SoC測(cè)試機(jī)標(biāo)志著中國(guó)在**數(shù)字測(cè)試領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突破。該設(shè)備支持高達(dá)400 MHz的測(cè)試速率和**多2048個(gè)數(shù)字通道，足以覆蓋當(dāng)前主流AI芯片、高性能計(jì)算SoC及車規(guī)級(jí)芯片的驗(yàn)證需求。其模塊化架構(gòu)不僅提升了測(cè)試靈活性，還***降低了客戶部署成本。更重要的是，GT600實(shí)現(xiàn)了從硬件到軟件的全棧自主可控，有效規(guī)避了“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)。在中美科技競(jìng)爭(zhēng)加劇、國(guó)產(chǎn)芯片加速落地的大環(huán)境下，GT600不僅是一臺(tái)測(cè)試設(shè)備，更是保障中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈安全的戰(zhàn)略支點(diǎn)，為國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)公司提供了可信賴、高效率、低成本的本土化驗(yàn)證平臺(tái)。揚(yáng)州PCB測(cè)試系統(tǒng)按需定制