技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于提供高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出密封性差，連接安裝步驟繁瑣的問題。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機，所述裝置主體的底端固定連接有支撐腿，所述裝置主體的后面一側(cè)底部固定連接有電源線，所述裝置主體的一側(cè)中間部位固定連接有控制器，所述裝置主體的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機，所述裝置主體的頂部一端固定連接有去離子水儲罐，所述裝置主體的頂部一側(cè)固定連接有磷酸儲罐，所述磷酸儲罐的底部固定連接有攪拌倉，所述攪拌倉的內(nèi)部頂部固定連接有攪拌電機，所述攪拌倉的另...

近年來，oled顯示器廣泛應用于手機和平板顯示。金屬銀以優(yōu)異的電導率和載流子遷移率被廣泛應用于oled顯示器的陽極布線(ito/ag/ito)結(jié)構(gòu)中。為了對此進行蝕刻，目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸鹽的濕蝕刻液(cna)。這樣的體系雖然能有效去除金屬銀，但在實際使用過程中仍會存在少量的銀殘留或銀再吸附沉積問題。4.本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于如何解決現(xiàn)有的銀蝕刻液在使用過程中存在少量的銀殘留、銀再吸附沉積問題。5.本發(fā)明通過以下技術(shù)手段實現(xiàn)解決上述技術(shù)問題的：6.一種銀蝕刻液組合物，其成分由質(zhì)量占比為40-60％磷酸、2-10％硝酸、％有機酸、％硝酸鹽、％含氮元素有機物、其余為水組成。...

本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)：高精細芯片和顯示集成電路主要采用銅制程，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過氧化氫系銅刻蝕液。過氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系，過硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中，產(chǎn)物親和、友好、環(huán)境污染少，刻蝕效率高且使用壽命較長的特點。大部分過氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過氧化氫組分、參與溶解的無機酸/有機酸組分，以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個部分。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應為放熱反應，體系中又含有過氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過程中需要保證生產(chǎn)安全。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明...

本實用新型涉及資源回收再利用領(lǐng)域，特別是涉及含銅蝕刻液氣液分離裝置。背景技術(shù)：線路板生產(chǎn)工業(yè)中，會對已經(jīng)使用于蝕刻線路板的含銅蝕刻廢液進行回收利用，在回收過程中，廢液在加熱器中通過蒸汽進行換熱，換熱完的廢液在高溫狀態(tài)下進入分離器，會在分離器中發(fā)生閃蒸，閃蒸產(chǎn)生的二次蒸汽中，攜帶有大小不等的液滴，現(xiàn)有技術(shù)因缺乏有效的分離氣液的手段，含有銅的液體隨著蒸汽被排走，導致了產(chǎn)品發(fā)生損失。技術(shù)實現(xiàn)要素：基于此，有必要針對現(xiàn)有技術(shù)氣液分離率低的問題，提供一種含銅蝕刻液氣液分離裝置。一種含銅蝕刻液氣液分離裝置，包括分離器及加熱器，所述分離器設有液體入口、蒸汽出口及濾液出口，所述液體入口用于將加熱器產(chǎn)生的液體輸...

所述裝置主體前端表面靠近左上邊角位置設置有活動板，所述分隔板右端放置有蓄水箱，所述蓄水箱上端靠近右側(cè)連接有進水管，所述回流管下端連接有抽水管，所述抽水管內(nèi)部上端設置有三號電磁閥，所述裝置主體前端表面靠近右側(cè)安裝有控制面板。作為本發(fā)明的進一步方案，所述分隔板與承載板相互垂直設置，所述電解池內(nèi)部底端的傾斜角度設計為5°。作為本發(fā)明的進一步方案，所述進液管的形狀設計為l型，且進液管貫穿分隔板設置在進液漏斗與伸縮管之間。作為本發(fā)明的進一步方案，所述圓環(huán)塊通過伸縮桿活動安裝在噴頭上方，且噴頭通過伸縮管活動安裝在電解池上方。作為本發(fā)明的進一步方案，所述回流管與進水管的形狀均設計為l型，所述傾斜板的傾斜角度...

使硝酸鉀儲罐21和其它儲罐的內(nèi)部形成一個密閉的空間，避免環(huán)境外部的雜質(zhì)進入儲罐內(nèi)，有效的提高了裝置使用的密封性；緊接著，將磷酸與醋酸在個攪拌倉23中充分攪拌混合均勻，然后在第二個攪拌倉23中與硝酸充分攪拌混合均勻后，再進入配料罐中混合，將陰離子表面活性劑和聚氧乙烯型非離子表面活性劑在第三個攪拌倉23混合后再進入第四個攪拌倉23中，與氯化鉀、硝酸鉀、去離子水一起在第四個攪拌倉23中混合均勻，然后過濾后封裝，先檢查過濾板26進行更換或安裝，過濾部件9的內(nèi)部兩側(cè)嵌入連接有過濾板26，常規(guī)的生產(chǎn)方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合，其分散混合性能差，蝕刻液雜質(zhì)含量多，過濾板26能將蝕刻液內(nèi)部的...

該宣泄孔121的上孔徑a1與下孔徑a2亦不相等，且該上孔徑a1小于該下孔徑a2，或該宣泄孔121由該第二擋板12的下表面122朝向上表面123的方向漸縮，以維持毛細現(xiàn)象而避免該藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題。當該風刀裝置40的***風刀41與該第二風刀42為了減少該基板(本圖式未標示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會往該復數(shù)個宣泄孔121流動，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖10與圖11所示)，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的顯影不均現(xiàn)象，亦可達到避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問題；...

本發(fā)明涉及回收處理技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。背景技術(shù)：廢銅蝕刻液含有可回收的金屬，所以需要進行回收處理，目前通用的做法是，使用化學方法回收廢液內(nèi)的銅，或提煉成硫酸銅產(chǎn)品，工藝落后，銅回收不徹底，處理的經(jīng)濟效益不明顯，有二次污染污染物排放，一旦處理不當往外排放，勢必對水體生態(tài)系統(tǒng)造成大的沖擊。市場上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡單的對蝕刻液進行回收處理，不能對蝕刻液進行循環(huán)電解，使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分，而且蝕刻液導入到電解池中會對電解池造成沖擊，進而影響電解池的使用壽命，并且在回收處理中會產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境，也不能在回收結(jié)束后對裝置內(nèi)部進行清理，為此，我...

因此存在開發(fā)蝕刻液組合物時會過度耗費時間和費用的問題。美國公開**第2號公開了在3dnand閃存的制造工序中，對于硅氧化物膜和硅氮化物膜*選擇性蝕刻硅氮化物膜的蝕刻液組合物。然而，為了選擇構(gòu)成成分的種類和濃度，不得不需要測試蝕刻液組合物的蝕刻性能，實際情況是，與上述同樣，仍然沒有解決在找尋蝕刻液組合物的適宜組成方面過度耗費時間和費用的問題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻**文獻**文獻1：美國公開**第2號技術(shù)實現(xiàn)要素：所要解決的課題本發(fā)明是為了改善上述以往技術(shù)問題的發(fā)明，其目的在于，提供用于選擇硅烷系偶聯(lián)劑的參數(shù)以及包含由此獲得的硅烷系偶聯(lián)劑的蝕刻液組合物，所述硅烷系偶聯(lián)劑作為添加劑即使不進行另外的實驗確認也...

可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯(lián)劑本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯(lián)劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時使用。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應位點(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以，更推薦滿足。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦按照蝕刻液組合物的蝕刻程度(etchingamount，e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來添加。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦為選自由原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate)、雙(三乙氧基甲...

12、伸縮桿；13、圓環(huán)塊；14、連接桿；15、回流管；16、增壓泵；17、一號排液管；18、一號電磁閥；19、抽氣泵；20、排氣管；21、集氣箱；22、二號排液管；23、二號電磁閥；24、傾斜板；25、活動板；26、蓄水箱；27、進水管；28、抽水管；29、三號電磁閥；30、控制面板。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。請參閱圖1-5，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：一種...

經(jīng)除霧組件3除霧后的氣體會夾帶著泡沫，泡沫中還是含有銅元素，為進一步提高回收效率，需對氣體和泡沫進行分離，泡沫與絲網(wǎng)碰撞時會吸附在絲網(wǎng)的細絲表面，細絲表面上泡沫不斷累積和泡沫的重力沉降，使泡沫形成較大的液滴沿細絲流至兩根絲的交點，當液滴累積至其自身產(chǎn)生的重力超過氣體的上升力和液體表面張力合力時，液滴就從細絲上分離下落，氣體在通過絲網(wǎng)除沫后，基本上不含泡沫。在一個實施例中，如圖1所示，所述分離器設有液位計7、液位開關(guān)9、液相氣相溫度傳感器6和壓力傳感器8。蒸汽從加熱器11到分離器會因分離器內(nèi)壓力小而發(fā)生閃蒸，產(chǎn)生二次蒸汽，使氣液分離的效率更高，所以要維持分離器內(nèi)的壓力不變，通過觀察液位計7來使用...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復數(shù)個宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異?，F(xiàn)象，確實達到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導致該基板20刮傷或破片風險等主要優(yōu)勢。該蝕刻設備1可進一步設置有一噴灑裝置50，該噴灑裝置50設置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對該基板20進行一濕式蝕刻制程；由上述的說明，擋液板結(jié)構(gòu)10的設置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進行蝕刻制程，故仍舊會有少量的藥液51噴灑在擋液板...

所述裝置主體前端表面靠近左上邊角位置設置有活動板，所述分隔板右端放置有蓄水箱，所述蓄水箱上端靠近右側(cè)連接有進水管，所述回流管下端連接有抽水管，所述抽水管內(nèi)部上端設置有三號電磁閥，所述裝置主體前端表面靠近右側(cè)安裝有控制面板。作為本發(fā)明的進一步方案，所述分隔板與承載板相互垂直設置，所述電解池內(nèi)部底端的傾斜角度設計為5°。作為本發(fā)明的進一步方案，所述進液管的形狀設計為l型，且進液管貫穿分隔板設置在進液漏斗與伸縮管之間。作為本發(fā)明的進一步方案，所述圓環(huán)塊通過伸縮桿活動安裝在噴頭上方，且噴頭通過伸縮管活動安裝在電解池上方。作為本發(fā)明的進一步方案，所述回流管與進水管的形狀均設計為l型，所述傾斜板的傾斜角度...

提高反應體系的穩(wěn)定性。當體系中加入過氧化氫后有助于提高過氧化氫的穩(wěn)定性，避免由于過氧化氫分解而引發(fā)的，提高生產(chǎn)的安全性。具體實施方式下面結(jié)合實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝，所述工藝包括以下步驟：第一步：將純水進行低溫處理，使純水溫度≤10℃在純水罐中備用；純水罐中設有通過電路控制的電磁閥，當純水溫度高于10℃時，電磁閥無法打開。第二步：配制和準備原料，將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對應的原料罐中，經(jīng)過過濾器循環(huán)過濾，備用；將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對...

技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型所解決的技術(shù)問題即在于提供一種擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設備，尤其是指一種適用于濕式蝕刻機的擋液排液功能且增加其透氣性以降低產(chǎn)品損耗的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設備，主要借由具有復數(shù)個宣泄孔的擋液板結(jié)構(gòu)搭配風刀裝置的硬體設計，有效使風刀裝置吹出的氣體得以經(jīng)由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由宣泄孔落下造成基板顯影不均等異常現(xiàn)象，確實達到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導致的基板刮傷或破片風險等主要優(yōu)勢。本實用新型所采用的技術(shù)手段如下所述。為了達到上述的實施目的，本實用新型提出一種擋液板結(jié)構(gòu)，適用于一濕式蝕刻機，擋液板結(jié)構(gòu)包括...

可以充分的將蝕刻液中的亞銅離子電解轉(zhuǎn)化為金屬銅，起到循環(huán)電解蝕刻液的作用；裝置主體1左端表面靠近上端固定安裝有抽氣泵19，抽氣泵19下方設置有集氣箱21，集氣箱21與抽氣泵19之間連接有排氣管20，電解池4下端連接有二號排液管22，二號排液管22內(nèi)部上端設置有二號電磁閥23，裝置主體1內(nèi)部底端靠近左側(cè)設置有傾斜板24，裝置主體1前端表面靠近左上邊角位置設置有活動板25，分隔板2右端放置有蓄水箱26，蓄水箱26上端靠近右側(cè)連接有進水管27，回流管15下端連接有抽水管28，抽水管28內(nèi)部上端設置有三號電磁閥29，裝置主體1前端表面靠近右側(cè)安裝有控制面板30，傾斜板24的傾斜角度設計為10°，活動板...

更推薦滿足。參照圖4，在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力，由此，即使沒有消耗費用和時間的實際的實驗過程，也能夠選擇具有目標防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護對象膜(氧...

將裝置主體1內(nèi)部的蝕刻液進行清洗，具有很好的清理作用。工作原理：對于這類的回收處理裝置，首先將蝕刻液倒入進液漏斗6并由過濾網(wǎng)7過濾到進液管8中，之后蝕刻液流入到承載板3上的電解池4中時，啟動液壓缸11帶動伸縮桿12向上移動，從而通過圓環(huán)塊13配合連接桿14和伸縮管9帶動噴頭10向上移動，進而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護電解池4的功能，之后金屬銅在隔膜5左側(cè)析出；其次在蝕刻液初次電解后，通過控制面板30啟動增壓泵16并打開一號電磁閥18，將蝕刻液通過回流管15抽入到一號排液管17中，并由進液管8導入到伸縮管9中，直至蝕刻液由噴頭...

裝置主體1的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲罐21，裝置主體1的內(nèi)部中間部位固定連接有連接構(gòu)件11，裝置主體1的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥10，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)固定連接有過濾部件9，裝置主體1的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉8，收集倉8的另一側(cè)底部固定連接有密封閥門7，過濾部件9的頂端兩側(cè)活動連接有滑動蓋24，過濾部件9的內(nèi)部中間兩側(cè)固定連接有收縮彈簧管25，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)兩端嵌入連接有螺紋管27，連接構(gòu)件11的內(nèi)部中間兩側(cè)活動連接有活動軸28，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)中間兩側(cè)嵌入連接有密封軟膠層29。推薦的，硝酸鉀儲罐21的頂部嵌入連接有密封環(huán)22，在將制備蝕刻液儲罐加入制備材料...

本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)：高精細芯片和顯示集成電路主要采用銅制程，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過氧化氫系銅刻蝕液。過氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系，過硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中，產(chǎn)物親和、友好、環(huán)境污染少，刻蝕效率高且使用壽命較長的特點。大部分過氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過氧化氫組分、參與溶解的無機酸/有機酸組分，以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個部分。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應為放熱反應，體系中又含有過氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過程中需要保證生產(chǎn)安全。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明...

更推薦滿足。參照圖4，在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力，由此，即使沒有消耗費用和時間的實際的實驗過程，也能夠選擇具有目標防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護對象膜(氧...

圖7：本實用新型蝕刻設備其一較佳實施例的擋液板結(jié)構(gòu)運作局部放大圖。圖8：本實用新型蝕刻設備其一較佳實施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風刀裝置示意圖。圖9：本實用新型蝕刻設備其一較佳實施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖10：本實用新型蝕刻設備其二較佳實施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風刀裝置示意圖。圖11：本實用新型蝕刻設備其三較佳實施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風刀裝置示意圖。圖12：本實用新型擋液板結(jié)構(gòu)其二較佳實施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖13：本實用新型蝕刻方法的步驟流程圖。圖號說明：傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)a擋液板結(jié)構(gòu)b風刀c氣體本實用新型1蝕刻設備10擋液板結(jié)構(gòu)11***擋板12第二擋板121宣泄孔1211***壁面1...

所述硫醚系化合物推薦為選自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。本發(fā)明的蝕刻液推薦進一步含有α-羥基羧酸和/或其鹽。所述α-羥基羧酸推薦為選自由酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸所組成的群組中的至少一種。推薦為，所述酸的濃度為20重量％至70重量％，所述有機硫化合物的濃度為％至10重量％。另外，所述α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度推薦為％至5重量％。另外，本發(fā)明涉及一種使用所述蝕刻液在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻方法。發(fā)明的效果本發(fā)明的蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦。另外，本發(fā)明的蝕刻液實質(zhì)上不含氫氟酸及過氧化氫，因此毒性低，保存穩(wěn)定性優(yōu)異。具體實施方式本發(fā)明的...

通過滑動蓋24上的凸塊在過濾部件9內(nèi)部頂端內(nèi)壁的滑槽進行滑動，將過濾板26插入過濾部件9內(nèi)部兩側(cè)的固定槽內(nèi)，收縮彈簧管25設置有四處，分別設置在兩滑動蓋24的內(nèi)側(cè)前面和后面，再通過收縮彈簧管25的彈力將滑動蓋24向內(nèi)活動，使過濾部件9內(nèi)部空間進行密封，有效的提高了裝置連接安裝的便利性。推薦的，連接構(gòu)件11設置有十四個，連接構(gòu)件11設置在攪拌倉23的底部，連接構(gòu)件11與攪拌倉23固定連接，連接構(gòu)件11能將裝置主體1內(nèi)部的兩個構(gòu)件進行連接并固定，且在將兩構(gòu)件進行連接或拆卸的時候，不需要使用任何工具就能完成安裝和拆卸工作，在將兩構(gòu)件的連接管放在連接構(gòu)件11的兩端，再通過連接管與連接構(gòu)件11內(nèi)側(cè)兩端的...

所述有機硫化合物具有作為還原劑及絡合劑(chelate)的效果。作為所述硫酮系化合物，例如可舉出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N,N-三烷基硫脲、N,N,N,N-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲及亞乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并無特別限制，推薦為碳數(shù)1至4的烷基。這些硫酮系化合物中，推薦使用選自由作為還原劑或絡合劑的效果及水溶性優(yōu)異的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。作為所述硫醚系化合物，例如可舉出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯鹽酸鹽、乙硫氨酸、2-羥基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷基的碳數(shù)并無特別限...

內(nèi)部頂部兩側(cè)的震蕩彈簧件14，震蕩彈簧件14頂端的運轉(zhuǎn)電機組13，運轉(zhuǎn)電機組13頂端的控制面板15，內(nèi)部中間部位的致密防腐桿16和致密防腐桿16內(nèi)部內(nèi)側(cè)的攪動孔17共同組合而成，由于鹽酸硝酸具有較強的腐蝕性，常規(guī)的攪拌裝置容易被腐蝕，影響蝕刻液的質(zhì)量，用防腐蝕的聚四氟乙烯攪拌漿進行攪拌，成本過高，且混合的效果不好，通過設置高效攪拌裝置2，該裝置通過運轉(zhuǎn)電機組13驅(qū)動旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤12，使旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤12帶動高效攪拌裝置2進行旋轉(zhuǎn)搖勻，同時設置的震蕩彈簧件14可通過驅(qū)動對高效攪拌裝置2進行震蕩搖勻，高效攪拌裝置2內(nèi)部的蝕刻液通過內(nèi)置的致密防腐桿16，致密防腐桿16內(nèi)部的攪動孔17能夠使蝕刻液不斷細...

上述硅烷系偶聯(lián)劑的選擇方法的特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應位點(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)形態(tài)的分子量之后乘以。以下，通過實施例更加詳細地說明本發(fā)明。但是，以下的實施例用于更加具體地說明本發(fā)明，本發(fā)明的范圍并不受以下實施例的限定。實施例和比較例的蝕刻液組合物的制造參照以下表1(重量％)，制造實施例和比較例的蝕刻液組合物。[表1]參照以下表2和圖5，利用實施例和比較例的蝕刻液組合物，對于包含作為氧化物膜sio2和作為上述氧化物膜上的氮化物膜sin的膜的、總厚度的膜進行如下處理。在160℃用硅烷系偶聯(lián)劑％對上述膜處理10,000秒的情況下，...

所述硫醚系化合物推薦為選自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。本發(fā)明的蝕刻液推薦進一步含有α-羥基羧酸和/或其鹽。所述α-羥基羧酸推薦為選自由酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸所組成的群組中的至少一種。推薦為，所述酸的濃度為20重量％至70重量％，所述有機硫化合物的濃度為％至10重量％。另外，所述α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度推薦為％至5重量％。另外，本發(fā)明涉及一種使用所述蝕刻液在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻方法。發(fā)明的效果本發(fā)明的蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦。另外，本發(fā)明的蝕刻液實質(zhì)上不含氫氟酸及過氧化氫，因此毒性低，保存穩(wěn)定性優(yōu)異。具體實施方式本發(fā)明的...

引線框架的腐蝕是如何生產(chǎn)的呢？引線框架的材料主要是電子銅帶，常見在引線框架中通過亮鎳、錫和錫鉛鍍層下進行鍍鎳完成保護金屬材料的目的，在材質(zhì)過程中42合金引線相對來說容易發(fā)生應力-腐蝕引發(fā)的裂紋。為了保障引線框架的優(yōu)異的導電性和散熱性，處理方式通過電鍍銀、片式電鍍線，將引線和基島表面作特殊處理，這樣能夠保障焊線和引線框架的良好焊接性能。引線框架電鍍銀蝕刻工藝流程主要分：上料-電解除油-活化-預鍍銅-預鍍銀-局部鍍銀-退銀-防銀膠擴散-防銅變色-烘干-收料。通過該蝕刻工藝流程能夠保障引線框架蝕刻過程中電鍍層的厚度、光亮度、粗糙度、潔凈度等。因此，蝕刻引線框架對工藝和工廠的管理需要嚴格控制。BOE蝕...