工業(yè)檢測微光顯微鏡廠家

微光顯微鏡無法檢測不產(chǎn)生光子的失效（如歐姆接觸、金屬短路），且易受強光環(huán)境干擾；熱紅外顯微鏡則難以識別無明顯溫度變化的失效（如輕微漏電但功耗極低的缺陷），且溫度信號可能受環(huán)境熱傳導(dǎo)影響。

實際分析中，二者常結(jié)合使用，通過 “光 - 熱” 信號交叉驗證，提升失效定位的準(zhǔn)確性。致晟光電在技術(shù)創(chuàng)新的征程中，實現(xiàn)了一項突破性成果 —— 將熱紅外顯微鏡與微光顯微鏡集可以集成于一臺設(shè)備，只需一次采購，便可以節(jié)省了重復(fù)的硬件投入。 通過調(diào)節(jié)探測靈敏度，它能適配不同漏電流大小的檢測需求，靈活應(yīng)對多樣的檢測場景。工業(yè)檢測微光顯微鏡廠家

在半導(dǎo)體芯片漏電檢測中，微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關(guān)鍵支撐。當(dāng)芯片施加工作偏壓時，設(shè)備即刻啟動檢測模式 —— 此時漏電區(qū)域因焦耳熱效應(yīng)會釋放微弱的紅外輻射，即便輻射功率為 1 微瓦，高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號。這種檢測方式的在于，通過熱成像技術(shù)將漏電點的紅外輻射轉(zhuǎn)化為可視化熱圖，再與電路版圖進(jìn)行疊加分析，可實現(xiàn)漏電點的微米級精確定位。相較于傳統(tǒng)檢測手段，微光設(shè)備無需拆解芯片即可完成非接觸式檢測，既避免了對芯片的二次損傷，又能在不干擾正常電路工作的前提下，捕捉到漏電區(qū)域的細(xì)微熱信號。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡按需定制針對光器件，能定位光波導(dǎo)中因損耗產(chǎn)生的發(fā)光點，為優(yōu)化光子器件的傳輸性能、降低損耗提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

芯片制造工藝復(fù)雜精密，從設(shè)計到量產(chǎn)的每一個環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測試流程的重要一環(huán)，是攔截不合格產(chǎn)品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術(shù)，能夠捕捉到芯片內(nèi)部因漏電、熱失控等故障產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力，能幫助企業(yè)快速鎖定問題所在 —— 無論是設(shè)計環(huán)節(jié)的邏輯漏洞，還是制造過程中的材料雜質(zhì)、工藝偏差，都能被及時發(fā)現(xiàn)。這意味著企業(yè)可以針對性地優(yōu)化生產(chǎn)工藝、改進(jìn)設(shè)計方案，從而提升芯片良率。在當(dāng)前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)成本的降低，讓企業(yè)在價格競爭中占據(jù)更有利的位置。

微光顯微鏡（EMMI）無法探測到亮點的情況:

一、不會產(chǎn)生亮點的故障有歐姆接觸（OhmicContact）金屬互聯(lián)短路（MetalInterconnectShort）表面反型層（SurfaceInversionLayer）硅導(dǎo)電通路（SiliconConductingPath）等。

二、亮點被遮蔽的情況有掩埋結(jié)（BuriedJunctions）及金屬下方的漏電點（LeakageSitesunderMetal）。此類情況可采用背面觀測模式（backsidemode），但該模式*能探測近紅外波段的發(fā)光，且需對樣品進(jìn)行減薄及拋光處理等。 我司微光顯微鏡探測芯片封裝打線及內(nèi)部線路短路產(chǎn)生的光子，快速定位短路位置，優(yōu)勢獨特。

這一技術(shù)不僅有助于快速定位漏電根源（如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結(jié)邊緣缺陷等），更能在芯片量產(chǎn)階段實現(xiàn)潛在漏電問題的早期篩查，為采取針對性修復(fù)措施（如優(yōu)化工藝參數(shù)、改進(jìn)封裝設(shè)計）提供依據(jù)，從而提升芯片的長期可靠性。例如，某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的EMMI抽檢中，發(fā)現(xiàn)部分芯片的邊角區(qū)域存在持續(xù)穩(wěn)定的微弱光信號。結(jié)合芯片的版圖設(shè)計與工藝參數(shù)分析，確認(rèn)該區(qū)域的NMOS晶體管因柵氧層局部厚度不足導(dǎo)致漏電。技術(shù)團隊據(jù)此對這批次芯片進(jìn)行篩選，剔除了存在漏電隱患的產(chǎn)品，有效避免了缺陷芯片流入市場后可能引發(fā)的設(shè)備功耗異常、發(fā)熱甚至燒毀等風(fēng)險。其內(nèi)置的圖像分析軟件，可測量亮點尺寸與亮度，為量化評估缺陷嚴(yán)重程度提供數(shù)據(jù)?？蒲杏梦⒐怙@微鏡市場價

但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時，產(chǎn)生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵測到，借助近紅外光進(jìn)行檢測。。工業(yè)檢測微光顯微鏡廠家

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進(jìn)制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進(jìn)制程產(chǎn)品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性，但I(xiàn)nGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢：

1.偵測到缺陷所需時間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10；

2.能夠偵測到微弱電流及先進(jìn)制程中的缺陷；

3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷；

4.針對芯片背面（Back-Side）的定位分析中，紅外光對硅基板具有較高的穿透率。 工業(yè)檢測微光顯微鏡廠家