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蘇州致晟光電科技有限公司自主研發(fā)的RTTLIT (實(shí)時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)),該技術(shù)的溫度靈敏度極高,部分型號甚至可達(dá) 0.0001℃,功率檢測限低至 1μW。這意味著它能夠捕捉到極其微弱的熱信號變化,哪怕是芯片內(nèi)部極為微小的漏電或局部發(fā)熱缺陷都難以遁形。這種高靈敏度檢測能力在半導(dǎo)體器件、晶圓、集成電路等對精度要求極高的領(lǐng)域中具有無可比擬的優(yōu)勢,能夠幫助工程師快速、準(zhǔn)確地定位故障點(diǎn),較大程度上的縮短了產(chǎn)品研發(fā)和故障排查的時間。鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵檢測效率大幅提升。直銷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)運(yùn)動
電子產(chǎn)業(yè)的存儲器芯片檢測中,電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著獨(dú)特作用,為保障數(shù)據(jù)存儲安全提供了有力支持。存儲器芯片如 DRAM、NAND Flash 等,是電子設(shè)備中用于存儲數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件,其存儲單元的質(zhì)量直接決定了數(shù)據(jù)存儲的可靠性。存儲單元若存在缺陷,如氧化層擊穿、接觸不良等,會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失、讀寫錯誤等問題。通過對存儲器芯片施加電激勵,進(jìn)行讀寫操作,缺陷存儲單元會因電荷存儲異常而產(chǎn)生異常溫度。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠定位這些缺陷單元的位置,幫助制造商在生產(chǎn)過程中篩選出合格的存儲器芯片,提高產(chǎn)品的合格率。例如,在檢測固態(tài)硬盤中的 NAND Flash 芯片時,系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)存在壞塊的存儲單元區(qū)域,這些區(qū)域在讀寫操作時溫度明顯升高。通過標(biāo)記這些壞塊并進(jìn)行屏蔽處理,能夠有效保障數(shù)據(jù)存儲的安全,推動電子產(chǎn)業(yè)存儲領(lǐng)域的健康發(fā)展。非破壞性分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)市場價高靈敏度鎖相熱成像技術(shù)能夠檢測到極微小的熱信號,可檢測低至uA級漏電流或微短路缺陷。
失效背景調(diào)查就像是為芯片失效分析開啟“導(dǎo)航系統(tǒng)”,能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況,為后續(xù)工作奠定基礎(chǔ)。收集芯片型號是首要任務(wù),不同型號的芯片在結(jié)構(gòu)、功能和特性上存在差異,這是開展分析的基礎(chǔ)信息。同時,了解芯片的應(yīng)用場景也不可或缺,是用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域,不同的應(yīng)用場景對芯片的性能要求不同,失效原因也可能大相徑庭。失效模式的收集同樣關(guān)鍵,短路、漏電、功能異常等不同的失效模式,指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內(nèi)部線路故障,而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關(guān)。失效比例的統(tǒng)計也有重要意義,如果同一批次芯片失效比例較高,可能暗示著設(shè)計缺陷或制程問題;如果只是個別芯片失效,那么應(yīng)用不當(dāng)?shù)目赡苄韵鄬^大。
光束誘導(dǎo)電阻變化(OBIRCH)功能與微光顯微鏡(EMMI)技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng),合稱為光發(fā)射顯微鏡(PEM,PhotoEmissionMicroscope)。二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ),能夠協(xié)同應(yīng)對集成電路中絕大多數(shù)失效模式,大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢在于,即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”,其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。電激勵模式多樣,適配鎖相熱成像系統(tǒng)不同需求。
ThermalEMMI(熱紅外顯微鏡)是一種先進(jìn)的非破壞性檢測技術(shù),主要用于精細(xì)定位電子設(shè)備中的熱點(diǎn)區(qū)域,這些區(qū)域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關(guān)。該技術(shù)可在不破壞被測對象的前提下,捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的熱輻射與光信號,為工程師提供關(guān)鍵的故障診斷線索和性能分析依據(jù)。在諸如復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)體器件以及精密印制電路板(PCB)等電子組件中,ThermalEMMI能夠快速識別出異常發(fā)熱或發(fā)光的區(qū)域,幫助工程師迅速定位問題根源,從而及時采取有效的維修或優(yōu)化措施。鎖相熱成像系統(tǒng)通過識別電激勵引發(fā)的周期性熱信號,可有效檢測材料內(nèi)部缺陷,其靈敏度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)熱成像技術(shù)。直銷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)運(yùn)動
檢測速度快,但鎖相熱紅外電激勵成像所得的位相圖不受物體表面情況影響,對深層缺陷檢測效果更好。直銷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)運(yùn)動
鎖相熱成像系統(tǒng)的電激勵方式在電子產(chǎn)業(yè)的 LED 芯片檢測中扮演著不可或缺的角色,為 LED 產(chǎn)品的質(zhì)量提升提供了重要支持。LED 芯片是 pn 結(jié),pn 結(jié)的質(zhì)量直接決定了 LED 的發(fā)光效率、壽命和可靠性。如果 pn 結(jié)存在缺陷,如晶格失配、雜質(zhì)污染等,會導(dǎo)致芯片的電光轉(zhuǎn)換效率下降,發(fā)熱增加,嚴(yán)重影響 LED 的性能。通過對 LED 芯片施加電激勵,使芯片處于工作狀態(tài),缺陷處的電流分布和熱分布會出現(xiàn)異常,導(dǎo)致局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠精確檢測到這些溫度差異,并通過圖像處理技術(shù),清晰顯示出 pn 結(jié)缺陷的位置和形態(tài)。
制造商可以根據(jù)檢測結(jié)果,篩選出良好的 LED 芯片,剔除不合格產(chǎn)品,從而提升 LED 燈具、顯示屏等產(chǎn)品的質(zhì)量和使用壽命。例如,在 LED 顯示屏的生產(chǎn)過程中,利用該系統(tǒng)對 LED 芯片進(jìn)行檢測,可使產(chǎn)品的不良率降低 30% 以上,推動了電子產(chǎn)業(yè)中 LED 領(lǐng)域的發(fā)展。 直銷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)運(yùn)動