蘇州質(zhì)量集成電路銷售方法

因而得此稱呼。引腳數(shù)從14到90。也有稱為SH－DIP的。材料有陶瓷和塑料兩種。53、SH－DIP（shrink dual in-line package）同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。54、SIL（single in-line）SIP的別稱（見(jiàn)SIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用SIL這個(gè)名稱。55、SIMM（single in-line memory module）單列存貯器組件。只在印刷基板的一個(gè)側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標(biāo)準(zhǔn)SIMM 有中心距為2.54mm的30電極和中心距為1.27mm的72電極兩種規(guī)格。在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ封裝的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已經(jīng)在個(gè)人計(jì)算機(jī)、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少有30～40%的DRAM都裝配在SIMM里。用集成電路來(lái)裝配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時(shí)間也可提高。蘇州質(zhì)量集成電路銷售方法

集成電路或稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在電子學(xué)中是一種把電路（主要包括半導(dǎo)體裝置，也包括被動(dòng)元件等）小型化的方式，并通常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由**半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)元件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。本文是關(guān)于單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。蘇州質(zhì)量集成電路銷售方法任何瞬間的短路都容易損壞集成電路，尤其在測(cè)試扁平型封裝的CMOS集成電路時(shí)更要加倍小心。

J形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側(cè)引出向下呈J字形，故此得名。通常為塑料制品，多數(shù)用于DRAM和SRAM等存儲(chǔ)器LSI電路，但絕大部分是DRAM。用SOJ封裝的DRAM器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從20至40（見(jiàn)SIMM）。63、SQL（Small Out-Line L-leaded package）按照J(rèn)EDEC（美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)對(duì)SOP所采用的名稱（見(jiàn)SOP）。64、SONF（Small Out-Line Non-Fin）無(wú)散熱片的SOP。與通常的SOP相同。為了在功率IC封裝中表示無(wú)散熱片的區(qū)別，有意增添了NF（non-fin）標(biāo)記。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱（見(jiàn)SOP）。

集成度高低集成電路按集成度高低的不同可分為：SSIC 小規(guī)模集成電路（Small Scale Integrated circuits）MSIC 中規(guī)模集成電路（Medium Scale Integrated circuits）LSIC 大規(guī)模集成電路（Large Scale Integrated circuits）VLSIC 超大規(guī)模集成電路（Very Large Scale Integrated circuits）ULSIC特大規(guī)模集成電路（Ultra Large Scale Integrated circuits）GSIC 巨大規(guī)模集成電路也被稱作極大規(guī)模集成電路或超特大規(guī)模集成電路（Giga Scale Integration）。導(dǎo)電類型不同雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見(jiàn)SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。

9、DIL（dual in-line）DIP的別稱（見(jiàn)DIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。10、DIP（dual in-line package）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見(jiàn)cerdip）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。新吳區(qū)節(jié)能集成電路廠家現(xiàn)貨

是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C（見(jiàn)QFN）。蘇州質(zhì)量集成電路銷售方法

美國(guó)Olin公司開(kāi)發(fā)的一種QFP封裝?；迮c封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開(kāi)始生產(chǎn)。31、MSP（mini square package）QFI的別稱（見(jiàn)QFI），在開(kāi)發(fā)初期多稱為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模壓樹(shù)脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國(guó)Motorola公司對(duì)模壓樹(shù)脂密封BGA采用的名稱（見(jiàn)BGA）。32、P－（plastic）表示塑料封裝的記號(hào)。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC（pad array carrier）蘇州質(zhì)量集成電路銷售方法

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