蘇州標(biāo)準(zhǔn)集成電路現(xiàn)貨

模擬集成電路又稱(chēng)線性電路,用來(lái)產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號(hào)（指幅度隨時(shí)間變化的信號(hào)。例如半導(dǎo)體收音機(jī)的音頻信號(hào)、錄放機(jī)的磁帶信號(hào)等），其輸入信號(hào)和輸出信號(hào)成比例關(guān)系。而數(shù)字集成電路用來(lái)產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號(hào)（指在時(shí)間上和幅度上離散取值的信號(hào)。例如5G手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電腦CPU、數(shù)字電視的邏輯控制和重放的音頻信號(hào)和視頻信號(hào)）。制作工藝集成電路按制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路。膜集成電路又分類(lèi)厚膜集成電路和薄膜集成電路。模擬集成電路又稱(chēng)線性電路,用來(lái)產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號(hào)（指幅度隨時(shí)間變化的信號(hào)。蘇州標(biāo)準(zhǔn)集成電路現(xiàn)貨

美國(guó)Olin公司開(kāi)發(fā)的一種QFP封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開(kāi)始生產(chǎn)。31、MSP（mini square package）QFI的別稱(chēng)（見(jiàn)QFI），在開(kāi)發(fā)初期多稱(chēng)為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱(chēng)。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模壓樹(shù)脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國(guó)Motorola公司對(duì)模壓樹(shù)脂密封BGA采用的名稱(chēng)（見(jiàn)BGA）。32、P－（plastic）表示塑料封裝的記號(hào)。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC（pad array carrier）蘇州標(biāo)準(zhǔn)集成電路現(xiàn)貨薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱(chēng)。

MCM－D是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是比較高的，但成本也高。28、MFP（mini flat package）小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱(chēng)（見(jiàn)SOP和SSOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(chēng)。29、MQFP（metric quad flat package）按照J(rèn)EDEC（美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)對(duì)QFP進(jìn)行的一種分類(lèi)。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm的標(biāo)準(zhǔn)QFP（見(jiàn)QFP）。30、MQUAD（metal quad）

13、DIP（dual tape carrier package）同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP 的命名（見(jiàn)DTCP）。14、FP（flat package）扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見(jiàn)QFP和SOP）的別稱(chēng)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱(chēng)。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸點(diǎn)與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積**小、**薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹(shù)脂來(lái)加固LSI芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱(chēng)薄膜（thin-film）集成電路。

6、COB（chip on board）板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹(shù)脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是**簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)。7、DFP（dual flat package）雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱(chēng)（見(jiàn)SOP）。以前曾有此稱(chēng)法，80年代后期已基本上不用。8、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱(chēng)（見(jiàn)DIP）當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。蘇州本地集成電路生產(chǎn)廠家

嚴(yán)禁在無(wú)隔離變壓器的情況下，用已接地的測(cè)試設(shè)備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設(shè)備。蘇州標(biāo)準(zhǔn)集成電路現(xiàn)貨

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開(kāi)發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開(kāi)發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開(kāi)始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類(lèi)。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹(shù)脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類(lèi)似。兩者無(wú)明顯差別。布線密度高于MCM－L。蘇州標(biāo)準(zhǔn)集成電路現(xiàn)貨

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