北京德國(guó)BEAM光刻機(jī)分辨率1.5微米

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-23

某材料實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)圖案化能力,在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊,使材料表面接觸角達(dá) 165°,滾動(dòng)角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后,防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實(shí)現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合,被用于微流控芯片的液滴定向輸運(yùn),液滴驅(qū)動(dòng)電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。無(wú)掩模激光直寫(xiě)技術(shù):無(wú)需物理掩膜,軟件直接輸入任意圖案,降低成本與時(shí)間。北京德國(guó)BEAM光刻機(jī)分辨率1.5微米

北京德國(guó)BEAM光刻機(jī)分辨率1.5微米,光刻機(jī)

針對(duì)碳化硅(SiC)功率模塊的柵極刻蝕難題,Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制,較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車(chē)芯片廠商利用該設(shè)備,將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%,開(kāi)關(guān)損耗減少 20%,推動(dòng)車(chē)載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu),使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周,助力我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車(chē)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。四川POLOSBEAM-XL光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化實(shí)時(shí)觀測(cè)系統(tǒng):120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡,實(shí)現(xiàn)加工過(guò)程動(dòng)態(tài)監(jiān)控。

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SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本,無(wú)需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描,單次寫(xiě)入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm,支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示,該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。

Polos系列通過(guò)無(wú)掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生,同時(shí)低能耗設(shè)計(jì)(如固態(tài)激光光源)符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。例如,其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%,助力科研機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。全球產(chǎn)業(yè)鏈整合:德國(guó)精密制造背書(shū),與Lab14集團(tuán)共推光通信芯片封裝技術(shù)。

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某revolution生物醫(yī)學(xué)研究機(jī)構(gòu)致力于開(kāi)發(fā)快速、precise的疾病診斷技術(shù)。在研發(fā)一種用于早期tumor篩查的微流體診斷芯片時(shí),采用了德國(guó) Polos 光刻機(jī)。利用其無(wú)掩模激光光刻技術(shù),科研團(tuán)隊(duì)成功制造出擁有復(fù)雜微通道網(wǎng)絡(luò)的芯片。這些微通道能精確控制生物樣本與檢測(cè)試劑的混合及反應(yīng)過(guò)程,極大提高了檢測(cè)的靈敏度和準(zhǔn)確性。以往使用傳統(tǒng)光刻技術(shù)制備此類(lèi)芯片,不only周期長(zhǎng),且精度難以保證。而 Polos 光刻機(jī)使制備周期縮短了近三分之一,助力該機(jī)構(gòu)在tumor早期診斷研究上取得重大突破,相關(guān)成果已發(fā)表在國(guó)際authority醫(yī)學(xué)期刊上。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品,推動(dòng)無(wú)掩模光刻技術(shù)普及。北京德國(guó)BEAM光刻機(jī)分辨率1.5微米

雙光子聚合擴(kuò)展:結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實(shí)現(xiàn)3D微納打印,拓展微型機(jī)器人制造。北京德國(guó)BEAM光刻機(jī)分辨率1.5微米

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了基于阻變存儲(chǔ)器(RRAM)的存算一體架構(gòu)。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實(shí)現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制,器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%,計(jì)算能效比達(dá) 10TOPS/W,較傳統(tǒng) GPU 提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)。基于該技術(shù)的邊緣 AI 芯片,在圖像識(shí)別任務(wù)中能耗降低 80%,推理速度提升 3 倍,已應(yīng)用于智能攝像頭和無(wú)人機(jī)避障系統(tǒng),相關(guān)芯片出貨量突破百萬(wàn)片。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。北京德國(guó)BEAM光刻機(jī)分辨率1.5微米