BEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

植入式神經電極需要兼具生物相容性與導電性能，表面微圖案可remarkable影響細胞 - 電極界面。Polos 光刻機在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔，某神經工程團隊發(fā)現該結構使神經元突觸密度提升 20%，信號采集噪聲降低 35%。其無掩模特性支持根據不同腦區(qū)結構定制電極陣列，在大鼠海馬區(qū)電生理實驗中，單神經元信號識別率從 60% 提升至 85%，為腦機接口技術的臨床轉化奠定了硬件基礎。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。亞微米級精度：0.8 μmmost小線寬，支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。BEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

在微流控芯片集成領域，某微機電系統實驗室利用 Polos 光刻機的多材料同步曝光技術，在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅動的氣動泵閥結構。其微泵通道寬度可控制在 20μm，流量調節(jié)精度達 ±1%，響應時間小于 50ms。通過軟件輸入不同圖案，可在 10 分鐘內完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細胞代謝分析，實現了單個tumor細胞葡萄糖攝取率的實時監(jiān)測，檢測靈敏度較傳統方法提升 3 倍，相關設備已進入臨床前驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。江蘇POLOSBEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米全球產業(yè)鏈整合：德國精密制造背書，與Lab14集團共推光通信芯片封裝技術。

Polos光刻機在微機械加工中表現outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結合雙光子聚合技術（如Nanoscribe系統），用戶還能擴展至3D微納結構打印，為微型機器人及光學元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區(qū)域達155×155 mm，平臺雙向重復性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復雜圖案設計流程，內置高性能筆記本電腦實現快速數據處理，成為微機電系統（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。Polos-μPrinter 入選《半導體技術》年度創(chuàng)新產品，推動無掩模光刻技術普及。

可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統工藝需多次掩模對準，良率only 30%。Polos 光刻機的多材料同步曝光技術，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統實驗室利用該特性，開發(fā)出可實時切換流路的生化分析芯片，通過軟件輸入不同圖案，10 分鐘內即可完成從 DNA 擴增到蛋白質檢測的模塊切換。該成果應用于 POCT 設備，使現場快速檢測系統的體積縮小 60%，檢測時間縮短至傳統方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。材料科學：超疏水表面納米圖案化，接觸角 165°，防腐蝕性能增強 10 倍。重慶德國POLOS桌面無掩模光刻機MAX層厚可達到10微米

Polos-BESM XL：大尺寸加工空間，保留緊湊設計，科研級精度實現復雜結構一次性成型。BEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

Polos系列通過無掩模技術減少化學廢料產生，同時低能耗設計（如固態(tài)激光光源）符合綠色實驗室標準。例如，其光源系統較傳統DUV光刻機能耗降低30%，助力科研機構實現碳中和目標。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。BEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米