漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點與柵極間的電壓不再相等,靠近源極一端的電壓較大,這里溝道較厚,而漏極一端電壓較小,其值為VGD=vGS-vDS,因而這里溝道較薄。但當(dāng)vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大,靠近漏極的溝道越來越薄,當(dāng)vDS增加到使VGD=vGS-vDS=VT(或vDS=vGS-VT)時,溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷,如圖2(b)所示。再繼續(xù)增大vDS,夾斷點將向源極方向移動,如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),故iD幾乎不隨vDS增大而增加,管子進入飽和區(qū),iD幾乎只由vGS決定。場效應(yīng)管在高頻電路中表現(xiàn)出色,能夠保持較低的失真和較高的效率。佛山增強型場效應(yīng)管市場價格
場效應(yīng)管主要參數(shù):一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS:是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。二、夾斷電壓,夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。三、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。四、跨導(dǎo)??鐚?dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。佛山增強型場效應(yīng)管市場價格場效應(yīng)管有三種類型,分別是MOSFET、JFET和IGBT,它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域。
與雙極型晶體管相比,場效應(yīng)管具有如下特點。(1)場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);(2)場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);(5)場效應(yīng)管的抗輻射能力強;(6)由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
MOSFET應(yīng)用案例解析:開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言,這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時,有數(shù)十種拓撲可用于開關(guān)電源,這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關(guān)功能(下圖),這些開關(guān)交替在電感里存儲能量,然后把能量開釋給負載。目前,設(shè)計職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率,由于頻率越高,磁性元件可以更小更輕。開關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。場效應(yīng)管的柵極電壓對其導(dǎo)電性能有明顯影響,通過調(diào)節(jié)柵極電壓可以控制電路的輸出。
對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般取(400~500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,因信號頻率相對載波頻率太高的話,相對延時太多,且所需驅(qū)動功率增大,UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合,它是一種良好的驅(qū)動電路。該電路具有以下特點:單電源工作,控制信號與驅(qū)動實現(xiàn)隔離,結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小,尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。MOSFET在數(shù)字電路、功率放大器等領(lǐng)域普遍應(yīng)用。佛山增強型場效應(yīng)管市場價格
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,場效應(yīng)管性能不斷提升,有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。佛山增強型場效應(yīng)管市場價格
場效應(yīng)管應(yīng)用場景:電路主電源開關(guān),完全切斷,低功耗省電。大功率負載供電開關(guān),如:電機,太陽能電池充電\放電,電動車電池充電逆變器SPWM波升壓部分功率電路;功放,音響的功率線性放大電路;數(shù)字電路中用于電平信號轉(zhuǎn)換;開關(guān)電源中,高頻大功率狀態(tài);用于LED燈的恒流驅(qū)動電路;汽車、電力、通信、工業(yè)控制、家用電器等。MOS管G、S、D區(qū)分以及電流流向。MOS管G、S、D表示什么?G:gate 柵極S:source 源極D:drain 漏極。MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出D。佛山增強型場效應(yīng)管市場價格