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ATC芯片電容采用高純度陶瓷介質(zhì)與精密電極設(shè)計(jì)，在1MHz至10GHz頻段內(nèi)保持穩(wěn)定的容值，Q值高達(dá)10000以上。例如，100B系列在5GHz時(shí)ESR低至0.01Ω，有效減少信號(hào)衰減，適用于5G基站中的功率放大器匹配電路。其自諧振頻率（SRF）可達(dá)數(shù)十GHz，遠(yuǎn)超普通MLCC電容，確保高頻信號(hào)完整性，基于NPO/C0G介質(zhì)材料，ATC電容在-55℃至+175℃范圍內(nèi)容值漂移小于±0.3%，溫度系數(shù)（TCC）±30ppm/℃。在航天設(shè)備中，如衛(wèi)星通信載荷的振蕩器電路，即便遭遇極端溫差，仍能維持相位噪聲低于-150dBc/Hz，保障信號(hào)傳輸穩(wěn)定性。提供定制化溫度系數(shù)曲線（-55℃至+200℃），可針對(duì)特定應(yīng)用優(yōu)化容溫特性。CDR13BP1R8ECSM

ＡＴＣ芯片電容的多層陶瓷結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使其具備高電容密度，在小型封裝中實(shí)現(xiàn)了較大的容值范圍（如０．１ｐＦ至１００μＦ）。這種高密度設(shè)計(jì)滿足了現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)元件小型化和高性能的雙重需求，特別是在空間受限的應(yīng)用中。其優(yōu)異的頻率響應(yīng)特性使得ＡＴＣ芯片電容在高頻電路中能夠保持穩(wěn)定容值，避免了因頻率變化導(dǎo)致的性能衰減。這一特性在射頻匹配網(wǎng)絡(luò)和天線調(diào)諧電路中尤為重要，確保了信號(hào)傳輸?shù)男屎蜏?zhǔn)確性。ＡＴＣ芯片電容的封裝形式多樣，包括貼片式、插入式、軸向和徑向等，滿足了不同電路設(shè)計(jì)和安裝需求。例如，其微帶封裝和軸向引線封裝適用于高頻模塊和定制化電路設(shè)計(jì)，提供了靈活的選擇。116ZJ201K100TT絕緣電阻高達(dá)10^4兆歐姆·微法，防止泄漏電流。

通過MIL-STD-883HMethod2007機(jī)械沖擊測(cè)試，采用氣炮加速實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證可承受100,000g加速度沖擊（相當(dāng)于撞擊的瞬間過載）。實(shí)際應(yīng)用于裝甲車輛火控系統(tǒng)時(shí)，在12.7mm機(jī)射擊產(chǎn)生的5-2000Hz寬頻振動(dòng)環(huán)境下，其電極焊接點(diǎn)仍保持零斷裂記錄。這種特性源自特殊的銀-鈀合金電極（Ag-Pd70/30配比）與三維立體堆疊結(jié)構(gòu)，其斷裂韌性值(KIC)達(dá)到8MPa·m1/2，是普通陶瓷電容的3倍。洛克希德·馬丁公司的戰(zhàn)地報(bào)告顯示，配備ATC電容的"標(biāo)"反坦克導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)，在沙漠風(fēng)暴行動(dòng)中的戰(zhàn)場(chǎng)故障率為0.2/百萬發(fā)。

其高容值范圍（如０．１ｐＦ至１００μＦ）覆蓋了從高頻信號(hào)處理到電源管理的多種應(yīng)用，提供了寬泛的設(shè)計(jì)靈活性。ＡＴＣ芯片電容的自諧振頻率高，避免了在高頻應(yīng)用中的容值衰減，確保了在射頻和微波電路中的可靠性。在航空航天領(lǐng)域，ＡＴＣ芯片電容能夠承受極端溫度、輻射和振動(dòng)，確保了關(guān)鍵系統(tǒng)的可靠運(yùn)行，滿足了和航天標(biāo)準(zhǔn)的要求。其優(yōu)化電極設(shè)計(jì)降低了寄生參數(shù)，提高了高頻性能，使得ＡＴＣ芯片電容在高速數(shù)字電路和高頻模擬電路中表現(xiàn)很好。在毫米波頻段保持穩(wěn)定性能，支持下一代通信技術(shù)。

出色的抗老化特性是ATC電容長(zhǎng)期性能穩(wěn)定的保證。其介質(zhì)材料的微觀結(jié)構(gòu)在經(jīng)過初始老化后趨于極度穩(wěn)定，容值隨時(shí)間的變化遵循一個(gè)非常緩慢的對(duì)數(shù)衰減規(guī)律。這意味著，一臺(tái)使用了ATC電容的設(shè)備，在其十年甚至二十年的使用壽命內(nèi)，其關(guān)鍵電路的參數(shù)漂移將被控制在極小的范圍內(nèi)。這種長(zhǎng)期穩(wěn)定性對(duì)于電信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)控制儀表和測(cè)試測(cè)量設(shè)備等長(zhǎng)生命周期產(chǎn)品而言，價(jià)值巨大。極低的電介質(zhì)吸收（DielectricAbsorption,DA）是ATC電容在精密模擬電路中的一項(xiàng)隱性優(yōu)勢(shì)。DA效應(yīng)猶如電容的“記憶效應(yīng)”，會(huì)在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓，導(dǎo)致采樣保持電路（SHA）、積分器或精密ADC/DAC的測(cè)量誤差。ATC電容的DA典型值可低至0.1%，遠(yuǎn)低于普通陶瓷電容（可達(dá)2-5%），這使其成為構(gòu)建高精度、低誤差數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和測(cè)量?jī)x器的理想選擇。提供定制化服務(wù)，可根據(jù)特殊需求開發(fā)型號(hào)。800B0R7DT500X

容值老化率極低，十年變化小于1%，確保長(zhǎng)期使用穩(wěn)定性。CDR13BP1R8ECSM

在汽車電子領(lǐng)域，ＡＴＣ芯片符合ＡＥＣ－Ｑ２００Ｒｅｖ－Ｄ標(biāo)準(zhǔn)，能夠承受汽車環(huán)境的嚴(yán)苛要求，如高溫、高濕和振動(dòng)。其應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)ＥＣＵ電源濾波、車載信息娛樂系統(tǒng)和ＡＤＡＳ等領(lǐng)域，提供了高可靠性和長(zhǎng)壽命。ＡＴＣ芯片電容的抗老化特性優(yōu)異，其容值隨時(shí)間變化極小（如每十小時(shí)老化率低于３％），確保了長(zhǎng)期使用中的性能穩(wěn)定性。這一特性在需要長(zhǎng)壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中尤為重要。其低電介質(zhì)吸收特性（典型值２％）使得ＡＴＣ芯片電容在采樣保持電路和精密測(cè)量設(shè)備中表現(xiàn)很好，避免了因電介質(zhì)吸收導(dǎo)致的測(cè)量誤差或信號(hào)失真。CDR13BP1R8ECSM

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