針對小批量多品種的研發(fā)型生產需求,中清航科提供柔性化切割解決方案。其模塊化設計的切割設備可在30分鐘內完成不同規(guī)格晶圓的換型調整,配合云端工藝數(shù)據(jù)庫,存儲超過1000種標準工藝參數(shù),工程師可快速調用并微調,大幅縮短新產品導入周期,為科研機構與初創(chuàng)企業(yè)提供靈活高效的加工支持。晶圓切割后的檢測環(huán)節(jié)直接關系到后續(xù)封裝的質量。中清航科將AI視覺檢測技術與切割設備深度融合,通過深度學習算法自動識別切割面的微裂紋、缺口等缺陷,檢測精度達0.5μm,檢測速度提升至每秒300個Die,實現(xiàn)切割與檢測的一體化流程,避免不良品流入下道工序造成的浪費。中清航科晶圓切割代工廠通過ISO14644潔凈認證,量產經驗足。杭州碳化硅半導體晶圓切割寬度

在碳化硅晶圓切割領域,由于材料硬度高達莫氏9級,傳統(tǒng)切割方式面臨效率低下的問題。中清航科創(chuàng)新采用超高壓水射流與激光復合切割技術,利用水射流的冷卻作用抑制激光切割產生的熱影響區(qū),同時借助激光的預熱作用降低材料強度,使碳化硅晶圓的切割效率提升3倍,熱影響區(qū)控制在10μm以內。晶圓切割設備的可靠性是大規(guī)模生產的基礎保障。中清航科對中心部件進行嚴格的可靠性測試,其中激光振蕩器經過10萬小時連續(xù)運行驗證,機械導軌的壽命測試達到200萬次往復運動無故障。設備平均無故障時間(MTBF)突破1000小時,遠超行業(yè)800小時的平均水平,為客戶提供穩(wěn)定可靠的生產保障。蘇州半導體晶圓切割劃片切割道寬度測量儀中清航科研發(fā),在線檢測精度達0.05μm。

為滿足汽車電子追溯要求,中清航科在切割機集成區(qū)塊鏈模塊。每片晶圓生成單獨工藝參數(shù)數(shù)字指紋(含切割速度、溫度、振動數(shù)據(jù)),直通客戶MES系統(tǒng),實現(xiàn)零缺陷溯源。面向下一代功率器件,中清航科開發(fā)等離子體輔助切割(PAC)。利用微波激發(fā)氧等離子體軟化切割區(qū)材料,同步機械分離,切割效率較傳統(tǒng)方案提升5倍,成本降低60%。邊緣失效區(qū)(EdgeExclusionZone)浪費高達3%晶圓面積。中清航科高精度邊緣定位系統(tǒng)通過AI識別有效電路邊界,定制化切除輪廓,使8英寸晶圓可用面積增加2.1%,年省材料成本數(shù)百萬。
針對晶圓切割后的表面清潔度要求,中清航科在設備中集成了在線等離子清洗模塊。切割完成后立即對晶圓表面進行等離子處理,去除殘留的切割碎屑與有機污染物,清潔度達到Class10標準。該模塊可與切割流程無縫銜接,減少晶圓轉移過程中的二次污染風險。中清航科注重晶圓切割設備的人性化設計,操作界面采用直觀的圖形化布局,支持多語言切換與自定義快捷鍵設置。設備配備可調節(jié)高度的操作面板與符合人體工學的扶手設計,減少操作人員長時間工作的疲勞感,同時提供聲光報警與故障提示,使操作更便捷高效。中清航科晶圓切割代工獲ISO 9001認證,月產能達50萬片。

隨著半導體市場需求的快速變化,產品迭代周期不斷縮短,這對晶圓切割的快速響應能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團隊,承諾在收到客戶新樣品后72小時內完成切割工藝驗證,并提供工藝報告與樣品測試數(shù)據(jù),幫助客戶加速新產品研發(fā)進程,搶占市場先機。晶圓切割設備的操作安全性至關重要,中清航科嚴格遵循SEMIS2安全標準,在設備設計中融入多重安全保護機制。包括激光安全聯(lián)鎖、急停按鈕、防護門檢測、過載保護等,同時配備安全警示系統(tǒng),實時顯示設備運行狀態(tài)與潛在風險,確保操作人員的人身安全與設備的安全運行。選擇中清航科切割代工服務,復雜圖形晶圓損耗降低27%。麗水芯片晶圓切割
晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統(tǒng),潔凈度達標Class1。杭州碳化硅半導體晶圓切割寬度
隨著Chiplet技術的興起,晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續(xù)的異構集成。中清航科開發(fā)的納米級定位切割系統(tǒng),采用氣浮導軌與光柵尺閉環(huán)控制,定位精度達到±0.1μm,配合雙頻激光干涉儀進行實時校準,確保切割道位置與設計圖紙的偏差不超過0.5μm,為Chiplet的高精度互聯(lián)奠定基礎。中清航科深諳半導體設備的定制化需求,可為客戶提供從工藝驗證到設備交付的全流程服務。其技術團隊會深入了解客戶的晶圓規(guī)格、材料特性與產能要求,定制專屬切割方案,如針對特殊異形Die的切割路徑優(yōu)化、大尺寸晶圓的分片切割策略等,已成功為多家頭部半導體企業(yè)完成定制化項目交付。杭州碳化硅半導體晶圓切割寬度