中清航科注重與科研機構(gòu)的合作創(chuàng)新,與國內(nèi)多所高校共建半導(dǎo)體切割技術(shù)聯(lián)合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術(shù)開展研究,如原子層切割、超高頻激光切割等,已申請發(fā)明專利50余項,其中“一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法”獲得國家發(fā)明專利金獎,推動行業(yè)技術(shù)進步。晶圓切割設(shè)備的軟件系統(tǒng)是其智能化的中心,中清航科自主開發(fā)了切割控制軟件,具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導(dǎo)入,可自動生成切割路徑,同時提供離線編程功能,可在不影響設(shè)備運行的情況下完成新程序的編制與模擬,提高設(shè)備利用率。切割粉塵在線監(jiān)測中清航科傳感器精度達0.01μm顆粒物檢測。宿遷12英寸半導(dǎo)體晶圓切割藍膜

晶圓切割的工藝參數(shù)設(shè)置需要豐富的經(jīng)驗積累,中清航科開發(fā)的智能工藝推薦系統(tǒng),基于千萬級切割數(shù)據(jù)訓(xùn)練而成。只需輸入晶圓材料、厚度、切割道寬等基本參數(shù),系統(tǒng)就能自動生成比較好的切割方案,包括激光功率、切割速度、聚焦位置等關(guān)鍵參數(shù),新手操作人員也能快速達到工程師的工藝水平,大幅降低技術(shù)門檻。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對設(shè)備的占地面積有著嚴格要求,中清航科采用緊湊型設(shè)計理念,將晶圓切割設(shè)備的占地面積控制在2平方米以內(nèi),較傳統(tǒng)設(shè)備減少40%。在有限空間內(nèi),通過巧妙的結(jié)構(gòu)布局實現(xiàn)全部功能集成,同時預(yù)留擴展接口,方便后續(xù)根據(jù)產(chǎn)能需求增加模塊,滿足不同規(guī)模生產(chǎn)車間的布局需求。南京碳化硅晶圓切割藍膜中清航科切割冷卻系統(tǒng)專利設(shè)計,溫差梯度控制在0.3℃/mm。

中清航科兆聲波清洗技術(shù)結(jié)合納米氣泡噴淋,去除切割道深槽內(nèi)的微顆粒。流體仿真設(shè)計使清洗液均勻覆蓋15:1深寬比結(jié)構(gòu),殘留物<5ppb,電鏡檢測達標率100%。中清航科推出刀片/激光器租賃服務(wù):通過云平臺監(jiān)控耗材使用狀態(tài),按實際切割長度計費??蛻鬋APEX(資本支出)降低40%,并享受技術(shù)升級,實現(xiàn)輕資產(chǎn)運營。中清航科VirtualCut軟件構(gòu)建切割過程3D物理模型,輸入材料參數(shù)即可預(yù)測崩邊尺寸、應(yīng)力分布。虛擬調(diào)試功能將新工藝驗證周期從3周壓縮至72小時,加速客戶產(chǎn)品上市。中清航科綠色切割方案:冷卻液循環(huán)利用率達95%,激光系統(tǒng)能耗降低30%(對比行業(yè)均值)。碳足跡追蹤平臺量化每片晶圓加工排放,助力客戶達成ESG目標,已獲ISO14064認證。
隨著Chiplet技術(shù)的興起,晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續(xù)的異構(gòu)集成。中清航科開發(fā)的納米級定位切割系統(tǒng),采用氣浮導(dǎo)軌與光柵尺閉環(huán)控制,定位精度達到±0.1μm,配合雙頻激光干涉儀進行實時校準,確保切割道位置與設(shè)計圖紙的偏差不超過0.5μm,為Chiplet的高精度互聯(lián)奠定基礎(chǔ)。中清航科深諳半導(dǎo)體設(shè)備的定制化需求,可為客戶提供從工藝驗證到設(shè)備交付的全流程服務(wù)。其技術(shù)團隊會深入了解客戶的晶圓規(guī)格、材料特性與產(chǎn)能要求,定制專屬切割方案,如針對特殊異形Die的切割路徑優(yōu)化、大尺寸晶圓的分片切割策略等,已成功為多家頭部半導(dǎo)體企業(yè)完成定制化項目交付。針對碳化硅晶圓,中清航科激光改質(zhì)切割技術(shù)突破硬度限制。

中清航科飛秒激光雙光子聚合技術(shù):在PDMS基板上直寫三維微流道(最小寬度15μm),切割精度達±0.25μm,替代傳統(tǒng)光刻工藝,開發(fā)成本降低80%。中清航科推出“切割即服務(wù)”(DaaS):客戶按實際切割面積付費($0.35/英寸),包含設(shè)備/耗材/維護全包。初始投入降低90%,產(chǎn)能彈性伸縮±50%,適配訂單波動。中清航科共聚焦激光測距系統(tǒng)實時監(jiān)測切割深度(分辨率0.1μm),閉環(huán)控制切入量。將150μm晶圓切割深度誤差壓縮至±2μm,背面研磨時間減少40%。晶圓切割培訓(xùn)課程中清航科每月開放,已認證工程師超800名。溫州碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割測試
切割刀痕深度控制中清航科技術(shù)達±0.2μm,減少后續(xù)研磨量。宿遷12英寸半導(dǎo)體晶圓切割藍膜
8英寸晶圓在功率半導(dǎo)體、MEMS等領(lǐng)域仍占據(jù)重要市場份額,中清航科針對這類成熟制程開發(fā)的切割設(shè)備,兼顧效率與性價比。設(shè)備采用雙主軸并行切割設(shè)計,每小時可加工40片8英寸晶圓,且通過優(yōu)化機械結(jié)構(gòu)降低振動噪聲至65分貝以下,為車間創(chuàng)造更友好的工作環(huán)境,深受中小半導(dǎo)體企業(yè)的青睞。晶圓切割工藝的數(shù)字化轉(zhuǎn)型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)模塊,可實時采集切割壓力、溫度、速度等100余項工藝參數(shù),通過邊緣計算節(jié)點進行實時分析,生成工藝優(yōu)化建議??蛻艨赏ㄟ^云端平臺查看生產(chǎn)報表與趨勢分析,實現(xiàn)基于數(shù)據(jù)的精細化管理。宿遷12英寸半導(dǎo)體晶圓切割藍膜