中清航科開放6條全自動(dòng)切割產(chǎn)線,支持從8英寸化合物半導(dǎo)體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統(tǒng)實(shí)時(shí)追蹤進(jìn)度,平均交貨周期48小時(shí),良率承諾99.2%。先進(jìn)封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應(yīng)用超快飛秒激光(脈寬400fs)配合氦氣保護(hù),在銅-硅界面形成納米級(jí)熔融區(qū),剝離強(qiáng)度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺(tái),收錄3000+材料參數(shù)組合??蛻糨斎刖A類型/厚度/目標(biāo)良率,自動(dòng)生成比較好參數(shù)包,工藝開發(fā)周期縮短90%。切割粉塵回收模塊中清航科集成,重金屬污染減排90%以上。揚(yáng)州碳化硅陶瓷晶圓切割劃片廠

中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機(jī)械精切”復(fù)合方案:先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽,再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率,解決化合物半導(dǎo)體(如GaAs、SiC)的脆性開裂問題,加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點(diǎn)。中清航科全自動(dòng)切割機(jī)配備多軸聯(lián)動(dòng)補(bǔ)償系統(tǒng),通過實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓形變動(dòng)態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤,將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi),支持3DNAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。無錫碳化硅線晶圓切割測(cè)試采用中清航科激光隱形切割技術(shù),晶圓分片效率提升40%以上。

針對(duì)晶圓切割產(chǎn)生的廢料處理難題,中清航科創(chuàng)新設(shè)計(jì)了閉環(huán)回收系統(tǒng)。切割過程中產(chǎn)生的硅渣、切割液等廢料,通過管道收集后進(jìn)行分離處理,硅材料回收率達(dá)到95%以上,切割液可循環(huán)使用,不僅降低了危廢處理成本,還減少了對(duì)環(huán)境的污染,符合半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的綠色發(fā)展理念。在晶圓切割的精度校準(zhǔn)方面,中清航科引入了先進(jìn)的激光干涉測(cè)量技術(shù)。設(shè)備出廠前,會(huì)通過高精度激光干涉儀對(duì)所有運(yùn)動(dòng)軸進(jìn)行全行程校準(zhǔn),生成誤差補(bǔ)償表,確保設(shè)備在全工作范圍內(nèi)的定位精度一致。同時(shí)提供定期校準(zhǔn)服務(wù),配備便攜式校準(zhǔn)工具,客戶可自行完成日常精度核查,保證設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
在晶圓切割的產(chǎn)能規(guī)劃方面,中清航科為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)能評(píng)估服務(wù)。通過產(chǎn)能模擬軟件,根據(jù)客戶的晶圓規(guī)格、日產(chǎn)量需求、設(shè)備利用率等參數(shù),精確計(jì)算所需設(shè)備數(shù)量與配置方案,并提供投資回報(bào)分析,幫助客戶優(yōu)化設(shè)備采購(gòu)決策,避免產(chǎn)能過?;虿蛔愕膯栴}。針對(duì)晶圓切割過程中可能出現(xiàn)的異常情況,中清航科開發(fā)了智能應(yīng)急處理系統(tǒng)。設(shè)備可自動(dòng)識(shí)別切割偏差過大、晶圓破裂等異常狀態(tài),并根據(jù)預(yù)設(shè)方案采取緊急停機(jī)、廢料處理等措施,同時(shí)自動(dòng)保存異常發(fā)生前的工藝數(shù)據(jù),為后續(xù)問題分析提供依據(jù),比較大限度減少損失。中清航科切割工藝白皮書下載量超10萬次,成行業(yè)參考標(biāo)準(zhǔn)。

隨著芯片輕薄化趨勢(shì),中清航科DBG(先切割后研磨)與SDBG(半切割后研磨)設(shè)備采用漸進(jìn)式壓力控制技術(shù),切割階段只切入晶圓1/3厚度,經(jīng)背面研磨后自動(dòng)分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%,已應(yīng)用于5G射頻模塊量產(chǎn)線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級(jí)過濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒,配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑,減少硅屑附著造成的短路風(fēng)險(xiǎn)。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定,延長(zhǎng)刀片壽命200小時(shí)以上呢。中清航科全自動(dòng)切割線配備AI視覺定位,精度達(dá)±1.5μm。宿遷碳化硅陶瓷晶圓切割刀片
5G射頻芯片切割中清航科特殊工藝,金線偏移量<0.8μm。揚(yáng)州碳化硅陶瓷晶圓切割劃片廠
晶圓切割設(shè)備是用于半導(dǎo)體制造中,將晶圓精確切割成單個(gè)芯片的關(guān)鍵設(shè)備。這類設(shè)備通常要求高精度、高穩(wěn)定性和高效率,以確保切割出的芯片質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)。晶圓切割設(shè)備的技術(shù)參數(shù)包括切割能力、空載轉(zhuǎn)速、額定功率等,這些參數(shù)直接影響到設(shè)備的切割效率和切割質(zhì)量。例如,切割能力決定了設(shè)備能處理的晶圓尺寸和厚度,空載轉(zhuǎn)速和額定功率則關(guān)系到設(shè)備的切割速度和穩(wěn)定性。此外,設(shè)備的電源類型、電源電壓等也是重要的考慮因素,它們影響到設(shè)備的兼容性和使用范圍。現(xiàn)在店內(nèi)正好有切割設(shè)備,具備較高的切割能力(Ф135X6),空載轉(zhuǎn)速達(dá)到2280rpm,電源電壓為380V,適用于多種切割需求。揚(yáng)州碳化硅陶瓷晶圓切割劃片廠