寧波碳化硅陶瓷晶圓切割劃片

中清航科創(chuàng)新性推出“激光預劃+機械精切”復合方案：先以激光在晶圓表面形成引導槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結合激光精度與刀切效率，解決化合物半導體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應力集中等痛點。中清航科全自動切割機配備多軸聯(lián)動補償系統(tǒng)，通過實時監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調整切割參數(shù)。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內，支持3DNAND多層堆疊結構加工。晶圓切割大數(shù)據平臺中清航科開發(fā)，實時分析10萬+工藝參數(shù)。寧波碳化硅陶瓷晶圓切割劃片

晶圓切割/裂片是芯片制造過程中的重要工序，屬于先進封裝(advancedpackaging)的后端工藝(back-end)之一，該工序可以將晶圓分割成單個芯片，用于隨后的芯片鍵合。隨著技術的不斷發(fā)展，對高性能和更小型電子器件的需求增加，晶圓切割/裂片精度及效率控制日益不可或缺。晶圓切割的重要性在于它能夠在不損壞嵌入其中的精細結構和電路的情況下分離單個芯片，成功與否取決于分離出來的芯片的質量和產量，以及整個過程的效率。為了實現(xiàn)這些目標，目前已經開發(fā)了多種切割技術，每種技術都有其獨特的優(yōu)點和缺點。溫州藍寶石晶圓切割廠MEMS器件晶圓切割中清航科特殊保護層技術，結構完整率99%。

UV膜殘膠導致芯片貼裝失效。中清航科研發(fā)酶解清洗液，在50℃下選擇性分解膠層分子鏈，30秒清理99.9%殘膠且不損傷鋁焊盤，替代高污染溶劑清洗。針對3DNAND多層堆疊結構，中清航科采用紅外視覺穿透定位+自適應焦距激光，實現(xiàn)128層晶圓的同步切割。垂直對齊精度±1.2μm，層間偏移誤差<0.3μm。中清航科綠色方案整合電絮凝+反滲透技術，將切割廢水中的硅粉、金屬離子分離回收，凈化水重復利用率達98%，符合半導體廠零液體排放（ZLD）標準。

當晶圓切割面臨復雜圖形切割需求時，中清航科的矢量切割技術展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。該技術可精確識別任意復雜切割路徑，包括圓弧、曲線及異形圖案，通過分段速度調節(jié)確保每一段切割的平滑過渡，切割軌跡誤差控制在2μm以內。目前已成功應用于光電子芯片的精密切割，為AR/VR設備中心器件生產提供有力支持。半導體生產車間的設備協(xié)同運作對通信兼容性要求極高，中清航科的晶圓切割設備多方面支持OPCUA通信協(xié)議，可與主流MES系統(tǒng)實現(xiàn)實時數(shù)據交互。通過標準化數(shù)據接口，將切割進度、設備狀態(tài)、質量數(shù)據等信息實時上傳至管理平臺，助力客戶實現(xiàn)生產過程的數(shù)字化管控與智能決策。針對碳化硅晶圓，中清航科激光改質切割技術突破硬度限制。

隨著半導體市場需求的快速變化，產品迭代周期不斷縮短，這對晶圓切割的快速響應能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團隊，承諾在收到客戶新樣品后72小時內完成切割工藝驗證，并提供工藝報告與樣品測試數(shù)據，幫助客戶加速新產品研發(fā)進程，搶占市場先機。晶圓切割設備的操作安全性至關重要，中清航科嚴格遵循SEMIS2安全標準，在設備設計中融入多重安全保護機制。包括激光安全聯(lián)鎖、急停按鈕、防護門檢測、過載保護等，同時配備安全警示系統(tǒng)，實時顯示設備運行狀態(tài)與潛在風險，確保操作人員的人身安全與設備的安全運行。中清航科晶圓切割代工獲ISO 9001認證，月產能達50萬片。溫州碳化硅線晶圓切割代工廠

中清航科切割機節(jié)能模式降低功耗40%，年省電費超15萬元。寧波碳化硅陶瓷晶圓切割劃片

針對晶圓切割過程中的靜電防護問題，中清航科的設備采用全流程防靜電設計。從晶圓上料的導電吸盤到切割區(qū)域的離子風扇，再到下料區(qū)的防靜電輸送軌道，形成完整的靜電防護體系，將設備表面靜電電壓控制在50V以下，有效避免靜電對敏感芯片造成的潛在損傷。中清航科的晶圓切割設備具備強大的數(shù)據分析能力，內置數(shù)據挖掘模塊可對歷史切割數(shù)據進行深度分析，識別影響切割質量的關鍵因素，如環(huán)境溫度波動、晶圓批次差異等，并自動生成工藝優(yōu)化建議。通過持續(xù)的數(shù)據積累與分析，幫助客戶不斷提升切割工藝水平，實現(xiàn)持續(xù)改進。寧波碳化硅陶瓷晶圓切割劃片