剝離液是一種通用濕電子化學品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì)，同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關鍵性電子化工材料，下游應用領域，但整體應用需求較低，因此市場規(guī)模偏小。剝離液應用在太陽能電池中，對于剝離液的潔凈度要求較低，需達到G1等級，下游客戶主要要天合、韓華、通威等；應用到面板中，通常要達到G2、G3等級，且高世代線對于剝離液的要求要高于低世代線，下游客戶有京東方、中星光電；在半導體中的應用可分等級，在8英寸及以下的晶圓制造中，對于剝離液的要求達到G3、G4水平，大硅片、12英寸晶元等產(chǎn)品要達到G5水平。...

本發(fā)明**技術公開了一種印刷品膠面印刷剝離復合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機、電機減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構、膠面剝離結(jié)構，所述主支撐架上方設置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設置有所述伺服變頻電機，所述卷邊輥一側(cè)安裝有膠面收卷輥，所述膠面剝離結(jié)構一側(cè)安裝有電加熱箱，所述電加熱箱下方安裝有熱風噴頭，所述熱風噴頭下方安裝有干燥度感應器,所述干燥度感應器下方安裝有電氣控制箱，所述電氣控制箱上方安裝有液晶操作面板。有益效果在于：采用黏合方式對印刷品膠面印刷進行剝離，同時能夠?qū)τ∷⑵纺z面進行回收，節(jié)約了大量材料，降低了生產(chǎn)成本。Aprintedpeelingcompounddevi...

隨著國內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，光刻膠剝離液等電子化學品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè)，風靡全球的智能手持設備、移動終端等簡直成為了光電行業(yè)的風向標：與之相關的光電領域得到了飛速的發(fā)展，鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示面板、觸摸屏幕、傳感器件等等。而光電行業(yè)的其他領域，雖然也有增長，但是遠不及與智能手持設備相關的光電領域。工業(yè)上所使用的剝離液主要是有機胺和極性有機溶劑的組合物，通過溶脹和溶解方式剝離除去光刻膠。上述有機胺可包括單乙醇胺(MEA)，二甲基乙酰胺(DMAC)，N-甲基甲酰胺(NMF)，N-甲基ニ乙醇胺(MDEA)等。上述極性有機溶劑可包括二乙二醇甲醚(...

采用此方法可以制備出負性光刻膠所能制備的任意結(jié)構，同時相比于傳統(tǒng)的加工，本方案加工效率可以提高上千倍，且圖形的結(jié)構越大相對的加工效率越高。本發(fā)明為微納制造領域，光學領域，電學領域，聲學領域，生物領域，mems制造，nems制造，集成電路等領域提供了一種新的有效的解決方案。附圖說明圖1為本發(fā)明制備用電子束在pmma上曝光出圓形陣列的輪廓；圖2為本發(fā)明用黏貼層撕走pmma輪廓以外的結(jié)構后得到的圓形柱狀陣列；圖3為實施例1步驟三的結(jié)構圖；圖4為實施例1步驟四的結(jié)構圖；圖5為實施例1步驟五的結(jié)構圖；圖6為實施例1步驟六的結(jié)構圖。具體實施方式為了使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本...

本發(fā)明涉及剝離液技術領域：，更具體的說是涉及一種光刻膠剝離液再生方法。背景技術：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應用也越來越***。在半導體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任何基材，才能再進行下道工序。因此，光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而隨著電子行業(yè)的發(fā)展以及高世代面板的面世，光刻膠剝離液的使用越來越多。剝離液廢液中含有光刻膠樹脂、水和某些金屬雜質(zhì)，而剝離液廢液的處理主要是通過焚燒或者低水平回收，其大量的使用但不能夠有效地回收，對環(huán)境、資源等都造成了比較大的影響。有鑒于此，申請人研發(fā)出以下的對使用后的光刻...

隨著國內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，光刻膠剝離液等電子化學品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè)，風靡全球的智能手持設備、移動終端等簡直成為了光電行業(yè)的風向標：與之相關的光電領域得到了飛速的發(fā)展，鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示面板、觸摸屏幕、傳感器件等等。而光電行業(yè)的其他領域，雖然也有增長，但是遠不及與智能手持設備相關的光電領域。工業(yè)上所使用的剝離液主要是有機胺和極性有機溶劑的組合物，通過溶脹和溶解方式剝離除去光刻膠。上述有機胺可包括單乙醇胺(MEA)，二甲基乙酰胺(DMAC)，N-甲基甲酰胺(NMF)，N-甲基ニ乙醇胺(MDEA)等。上述極性有機溶劑可包括二乙二醇甲醚(...

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2020-2024年中國剝離液行業(yè)市場供需現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢預測報告》顯示，剝離液屬于濕電子化學品的重要品類，近幾年受新能源、汽車電子等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，我國濕電子化學品市場規(guī)模持續(xù)擴增，2019年我國濕電子化學品市場規(guī)模達到100億元左右，需求量約為138萬噸。隨著剝離液在半導體產(chǎn)業(yè)中的應用增長，剝離液產(chǎn)量以及市場規(guī)模隨之擴大，2019年我國半導體用剝離液需求量約為，只占據(jù)濕電子化學品總需求量的。從競爭方面來看，當前全球剝離液的生產(chǎn)由濕電子化學品企業(yè)主導，主要集中在歐美、日韓以及中國，代表性企業(yè)有德國巴斯夫、德國漢高、美國霍尼韋爾、美國ATMI公司、美國空氣化工產(chǎn)品公...

所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種。技術方案中，所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種。技術方案中，所述的緩蝕劑為三唑類物質(zhì)。的技術方案中，所述的緩蝕劑為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。技術方案中，所述的潤濕劑含有羥基。技術方案中，所述的潤濕劑為聚乙二醇、甘油中的任意一種。經(jīng)由上述的技術方案可知，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明中加入環(huán)胺與鏈胺，能夠滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力，能夠快速、有效地溶解光刻膠，而配方中加入潤濕劑，能夠有效地減少接觸角，增強親水性，使得剝離液親水性...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風：良好的通風措施，保持良好通風人員保護設備：橡膠手套、防護目鏡，避免接觸皮膚、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽壓；9.物理和化學性能物理測試：液體顏色：微黃氣味:類氨熔點:-24~-23℃沸點：165~204℃閃點:110℃蒸汽壓mmHg@20℃蒸...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風：良好的通風措施，保持良好通風人員保護設備：橡膠手套、防護目鏡，避免接觸皮膚、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽壓；9.物理和化學性能物理測試：液體顏色：微黃氣味:類氨熔點:-24~-23℃沸點：165~204℃閃點:110℃蒸汽壓mmHg@20℃蒸...

閥門開關60設置在每一子管道301上。在一些實施例中，閥門開關60設置在每一子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實施例中，閥門開關60設置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關60的設置位置可以設置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做贅述。在一些實施例中，請參閱圖4，圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第四種結(jié)構示意圖。第二管道50包括多個第三子管道503，每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301，且每一所述第三子管道503與所述下一級腔室連通102。其中，閥門開關60設置在每一第三子管道503上。本申請實施例提供的剝離液機臺，包括：依次順序排列的多級腔室、每一級...

例如即使為50/50μm以下的線/間距、推薦10/10～40/40μm的線/間距也能除去抗蝕劑。實施例以下，舉出實施例對本發(fā)明進行詳細說明，但本發(fā)明不受這些實施例任何限定。實施例1抗蝕劑的剝離液的制備：將以下的表1中記載的成分在水中混合、溶解而制備抗蝕劑的剝離液?！颈?】(mol/l)氫氧化鉀氫氧化鈉異丙基溶纖劑硅酸鉀本發(fā)明組成：(1)基板制作方法為了提**膜抗蝕劑一基材間的密合，將覆銅層疊板(古河電工(株式會社)制：ccl：電解銅箔gts35μm箔)通過粗化處理(jcu制：ebakemuneobrownnbsii、蝕刻量μm)使表面粗度成為ra約μm。其后，使用干膜抗蝕劑(日立化成制：rd-...

按照玻璃基板傳送方向從當前腔室101開始逐級由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進行剝離制程。剝離液從當前腔室101進入相應的存儲箱20，在剝離液的水平面超過預設高度后流入過濾器30，再經(jīng)過過濾器30的過濾將過濾后的剝離液傳送至下一級腔室102內(nèi)。其中，薄膜碎屑70一般為金屬碎屑或ito碎屑。其中，如圖2所示，圖2為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第二種結(jié)構示意圖。閥門開關60設置在管道40及第二管道50上。在過濾器30被阻塞時，關閉位于過濾器30兩側(cè)的管道40及第二管道50上的閥門開關60，可以保證當前級腔室101對應的存儲箱20內(nèi)剝離液不會流出，同時下一級腔室102內(nèi)的剝離液也不會流出。...

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固體物料潤濕，剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此，本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中，酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種，酰胺是用于溶解光刻膠；n-甲基甲酰胺下面簡稱″nmf″醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種，醇醚是用于潤濕、膨潤、溶解光刻膠的；二乙二醇丁醚下面簡稱″bdg″。環(huán)胺與鏈胺，用于滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力；鏈胺：分子量的大小決定瞬間溶解力，分子量過大瞬間溶解力小，光刻膠未被完全溶解；...

砷化鎵也有容易被腐蝕的特點，比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠，也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后，需要去除光刻膠之后進行下一步。有時直接采用+異丙醇的方式就可以去除。但是對于等離子體處理過的光刻膠，一般就比較難去除干凈。有的人把加熱到60℃，雖然去膠效果快了一些，但是沸點是60℃，揮發(fā)的特別快，而且**蒸汽也有易燃的風險，因此找一款去膠效果好的光刻膠剝離液十分有必要。介紹常見的一款剝離液，該剝離液去膠效果好，但是對砷化鎵有輕微腐蝕，不易長時間浸泡。工藝參數(shù)因產(chǎn)品和光刻膠的種類而不同，但基本上都要加熱。蘇州性價比高的剝離液。銅陵銀蝕刻液剝離液推薦貨源光刻作為IC制造的關鍵...

實施例1～6：按照表1配方將二甲基亞砜、一乙醇胺、四甲基氫氧化銨、硫脲類緩蝕劑、聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑、n-甲基吡咯烷酮和去離子水混合，得到用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。表1：注：含量中不滿100wt％的部分由去離子水補足余量。以cna披露的光刻膠剝離液作為對照例，與實施例1～6所得用于疊層晶圓的光刻膠剝離液進行比較試驗，對面積均為300cm2的疊層晶圓上的光刻膠進行剝離并分別測定剝離周期、金屬鍍層的腐蝕率和過片量(剝離的面壁數(shù)量)。對比情況見表2：表2：剝離周期/s金屬腐蝕率/ppm過片量/片實施例1130～15015376實施例2130～15016583實施例3130～1501727...

所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種。技術方案中，所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種。技術方案中，所述的緩蝕劑為三唑類物質(zhì)。的技術方案中，所述的緩蝕劑為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。技術方案中，所述的潤濕劑含有羥基。技術方案中，所述的潤濕劑為聚乙二醇、甘油中的任意一種。經(jīng)由上述的技術方案可知，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明中加入環(huán)胺與鏈胺，能夠滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力，能夠快速、有效地溶解光刻膠，而配方中加入潤濕劑，能夠有效地減少接觸角，增強親水性，使得剝離液親水性...

例如即使為50/50μm以下的線/間距、推薦10/10～40/40μm的線/間距也能除去抗蝕劑。實施例以下，舉出實施例對本發(fā)明進行詳細說明，但本發(fā)明不受這些實施例任何限定。實施例1抗蝕劑的剝離液的制備：將以下的表1中記載的成分在水中混合、溶解而制備抗蝕劑的剝離液?！颈?】(mol/l)氫氧化鉀氫氧化鈉異丙基溶纖劑硅酸鉀本發(fā)明組成：(1)基板制作方法為了提**膜抗蝕劑一基材間的密合，將覆銅層疊板(古河電工(株式會社)制：ccl：電解銅箔gts35μm箔)通過粗化處理(jcu制：ebakemuneobrownnbsii、蝕刻量μm)使表面粗度成為ra約μm。其后，使用干膜抗蝕劑(日立化成制：rd-...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實施例，用于半導體制造工藝中，可應用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離，氫氮混合比例范圍為4:96～30:70。s5，對襯底表面進行清洗，清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液。本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第三實施例，用于半導體制造工藝中，可應用于包...

隨著國內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，光刻膠剝離液等電子化學品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè)，風靡全球的智能手持設備、移動終端等簡直成為了光電行業(yè)的風向標：與之相關的光電領域得到了飛速的發(fā)展，鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示面板、觸摸屏幕、傳感器件等等。而光電行業(yè)的其他領域，雖然也有增長，但是遠不及與智能手持設備相關的光電領域。工業(yè)上所使用的剝離液主要是有機胺和極性有機溶劑的組合物，通過溶脹和溶解方式剝離除去光刻膠。上述有機胺可包括單乙醇胺(MEA)，二甲基乙酰胺(DMAC)，N-甲基甲酰胺(NMF)，N-甲基ニ乙醇胺(MDEA)等。上述極性有機溶劑可包括二乙二醇甲醚(...

本發(fā)明下述示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的具體實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性具體實施例的技術方案充分傳達給本領域技術人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法主要實施例，用于半導體制造工藝中，可應用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導體襯底上淀積介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入：s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離；s5，對襯底表面進行清洗。本發(fā)明刻膠剝離...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實施例，用于半導體制造工藝中，可應用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離，氫氮混合比例范圍為4:96～30:70。s5，對襯底表面進行清洗，清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液。本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第三實施例，用于半導體制造工藝中，可應用于包...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風：良好的通風措施，保持良好通風人員保護設備：橡膠手套、防護目鏡，避免接觸皮膚、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽壓；9.物理和化學性能物理測試：液體顏色：微黃氣味:類氨熔點:-24~-23℃沸點：165~204℃閃點:110℃蒸汽壓mmHg@20℃蒸...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實施例，用于半導體制造工藝中，可應用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離，氫氮混合比例范圍為4:96～30:70。s5，對襯底表面進行清洗，清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液。本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第三實施例，用于半導體制造工藝中，可應用于包...

本申請涉及半導體工藝技術領域，具體涉及一種剝離液機臺及其工作方法。背景技術：剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減，lift-off先形成光阻并圖案化，再在光阻上成膜，移除光阻的同時，沉積在光阻上的膜層也被剝離，從而完成膜層的圖形化，通過該制程可以實現(xiàn)兩次光刻合并為一次以達到光罩縮減的目的?，F(xiàn)有技術中，由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬，ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層)，在剝離光阻的同時薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中，大量的薄膜碎屑將會導致剝離液機臺中的過濾器(filter)堵塞，從而導致機臺無法使用...

圖3是一現(xiàn)有技術光刻膠剝離去除示意圖二，其離子注入步驟。圖4是一現(xiàn)有技術光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現(xiàn)有技術光刻膠剝離去除示意圖四，其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現(xiàn)有技術光刻膠剝離去除示意圖五，其顯示光刻膠炸裂到臨近光刻膠。圖7是一現(xiàn)有技術光刻膠剝離去除示意圖六，其顯示光刻膠去除殘留。圖8是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖一，其顯示首先剝離去除主要光刻膠層。圖9是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖二，其顯示逐步剝離去除第二光刻膠層的中間過程。圖10是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示完全去除光刻膠后的襯底。圖11是采用現(xiàn)有技術剝離去除光刻膠殘留缺陷示...

本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術：光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、光阻等，其作用是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠廣泛應用于集成電路(ic)、封裝(packaging)、微機電系統(tǒng)(mems)、光電子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板顯示其(led、lcd、oled)和太陽能光伏(solarpv)等領域。在半導體制造領域，離子注入層光刻膠(參考圖2)在經(jīng)過高劑量或大分子量的...

其包含含有鉀鹽的第1液、和含有溶纖劑的第2液。再者，本發(fā)明涉及印刷布線板、半導體基板、平板顯示器或引線框的制造方法，其特征在于，在包括從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑的工序的印刷布線板、半導體基板、平板顯示器或引線框的制造方法中，使用上述抗蝕劑的剝離液進行抗蝕劑的除去。發(fā)明效果本發(fā)明的抗蝕劑的剝離液即使是微細的布線間的抗蝕劑也能細小地粉碎。因此，本發(fā)明的抗蝕劑的剝離液適合于包括從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑的工序的印刷布線板、半導體基板、平板顯示器或引線框的制造方法。具體實施方式本發(fā)明的抗蝕劑的剝離液(以下，稱為“本發(fā)明剝離液”)含有氫氧化鉀和溶纖劑。本發(fā)明剝離液中的鉀鹽沒有特別限定，例如，可以...

本申請實施例還提供一種剝離液機臺的工作方法，請參閱圖5，圖5為本申請實施例提供的剝離液機臺的工作方法的流程示意圖，該方法包括：步驟110、將多級腔室順序排列，按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級向剝離基板提供剝離液；步驟120、將來自于當前級腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲于當前級腔室相應的存儲箱中，所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑；步驟130、使用當前級腔室相應的過濾器過濾來自當前級腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級腔室；步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關；步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個并列排布的子過濾器，...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進一步用剝離液將涂覆在微電路保護區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工藝主要包含光阻涂布、顯影、去光阻、相關清洗作業(yè)四大階段，其中在去光阻階段會產(chǎn)生部分剝離液。印制電路板生產(chǎn)工藝相當復雜。不僅設備和制造工藝的科技含量高，工藝流程長，用水量大，而且所用的化學藥品（包括各種添加劑）種類多、用量大。因此，在用減成法生產(chǎn)印刷線路板的過程中，產(chǎn)污環(huán)節(jié)多，種類繁雜，物料損耗大?？煞譃楦煞庸?設計和布線、模版制作、鉆孔、貼膜、曝光...