上海塑料管殼封裝

來源: 發(fā)布時間:2025-10-01

散熱能力強:COB產(chǎn)品是把燈封裝在PCB板上,通過PCB板上的銅箔快速將燈芯的熱量傳出,而且PCB板的銅箔厚度都有嚴格的工藝要求,加上沉金工藝,幾乎不會造成嚴重的光衰減。所以很少死燈,比較大延長了LED顯示屏的壽命。耐磨、易清潔:表面光滑而堅硬,耐撞耐磨;沒有面罩,有灰塵用水或布即可清潔。全天候優(yōu)良特性:采用三重防護處理,防水、潮、腐、塵、靜電、氧化、紫外效果突出;滿足全天候工作條件,零下30度到零上80度的溫差環(huán)境仍可正常使用。中清航科芯片封裝技術,支持多引腳設計,滿足芯片高集成度需求。上海塑料管殼封裝

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針對TMR傳感器靈敏度,中清航科開發(fā)磁屏蔽封裝。坡莫合金屏蔽罩使外部場干擾<0.1mT,分辨率達50nT。電流傳感器精度達±0.5%,用于新能源汽車BMS系統(tǒng)。中清航科微型熱電發(fā)生器實現(xiàn)15%轉(zhuǎn)換效率。Bi?Te?薄膜與銅柱互聯(lián)結(jié)構使輸出功率密度達3mW/cm2(ΔT=50℃)。物聯(lián)網(wǎng)設備實現(xiàn)供能。中清航科FeRAM封裝解決數(shù)據(jù)保持難題。鋯鈦酸鉛薄膜與耐高溫電極使1012次讀寫后數(shù)據(jù)保持率>99%。125℃環(huán)境下數(shù)據(jù)保存超10年,適用于工業(yè)控制存儲。江蘇陶瓷燒結(jié)封裝中清航科芯片封裝技術,支持系統(tǒng)級封裝,實現(xiàn)芯片與被動元件一體化。

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針對5nm芯片200W+熱功耗挑戰(zhàn),中清航科開發(fā)嵌入式微流道冷卻封裝。在2.5D封裝中介層內(nèi)蝕刻50μm微通道,采用兩相冷卻液實現(xiàn)芯片級液冷。實測顯示熱點溫度降低48℃,同時節(jié)省80%外部散熱空間,為AI服務器提供顛覆性散熱方案?;诘蜏毓矡沾桑↙TCC)技術,中清航科推出毫米波天線集成封裝。將24GHz雷達天線陣列直接封裝于芯片表面,信號傳輸距離縮短至0.2mm,插損低于0.5dB。該方案使77GHz車規(guī)雷達模塊尺寸縮小60%,量產(chǎn)良率突破95%行業(yè)瓶頸。

國內(nèi)芯片封裝行業(yè)的機遇與挑戰(zhàn):近年來,國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,為芯片封裝行業(yè)帶來了巨大機遇。政策支持、市場需求增長等因素推動行業(yè)擴張。但同時,行業(yè)也面臨著主要技術依賴進口、設備短缺等挑戰(zhàn)。中清航科抓住機遇,直面挑戰(zhàn),加大自主研發(fā)投入,突破關鍵技術瓶頸,逐步實現(xiàn)主要技術國產(chǎn)化,在國內(nèi)芯片封裝行業(yè)中占據(jù)重要地位,為國家半導體產(chǎn)業(yè)的自主可控貢獻力量。中清航科的研發(fā)投入與創(chuàng)新成果:研發(fā)投入是企業(yè)保持技術的關鍵。中清航科每年將大量資金投入到芯片封裝技術研發(fā)中,建立了完善的研發(fā)體系。公司的研發(fā)團隊不斷探索新的封裝材料、結(jié)構和工藝,取得了多項創(chuàng)新成果。例如,在Chiplet封裝技術方面,公司研發(fā)出高效的互連技術,提高了芯粒之間的通信速度和可靠性;在環(huán)保封裝材料領域,成功研發(fā)出可降解的封裝材料,推動行業(yè)綠色發(fā)展。這些創(chuàng)新成果不僅提升了公司的競爭力,也為客戶帶來了更先進的產(chǎn)品和服務。中清航科芯片封裝技術,平衡電氣性能與機械保護,延長芯片使用壽命。

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先進芯片封裝技術-晶圓級封裝(WLP):晶圓級封裝是在晶圓上進行封裝工藝,實現(xiàn)了芯片尺寸與封裝尺寸的接近,減小了封裝體積,提高了封裝密度。與傳統(tǒng)先切割晶圓再封裝不同,它是先封裝后切割晶圓。中清航科的晶圓級封裝技術處于行業(yè)前沿,能夠為客戶提供高集成度、小型化的芯片封裝產(chǎn)品,在物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備等對芯片尺寸和功耗要求苛刻的領域具有廣闊應用前景。想要了解更多內(nèi)容可以關注我司官網(wǎng),另外有相關需求歡迎隨時聯(lián)系。射頻芯片封裝難度大,中清航科阻抗匹配技術,減少信號反射提升效率。上海塑料管殼封裝

穿戴設備芯片需輕薄,中清航科柔性封裝,適配人體運動場景需求。上海塑料管殼封裝

面對量子比特超導封裝難題,中清航科開發(fā)藍寶石基板微波諧振腔技術。通過超導鋁薄膜微加工,實現(xiàn)5GHz諧振頻率下Q值>100萬,比特相干時間提升至200μs。該方案已用于12量子比特模塊封裝,退相干率降低40%,為量子計算機提供穩(wěn)定基礎。針對AI邊緣計算需求,中清航科推出近存計算3D封裝。將RRAM存算芯片與邏輯單元垂直集成,互連延遲降至0.1ps/mm。實測顯示ResNet18推理能效達35TOPS/W,較傳統(tǒng)方案提升8倍,滿足端側(cè)設備10mW功耗要求。上海塑料管殼封裝