針對三極管參數(shù)隨溫度漂移的問題，可采用 NPN 管自身組成溫度補(bǔ)償電路，常見的有 diode 補(bǔ)償和三極管補(bǔ)償。diode 補(bǔ)償是將二極管與基極串聯(lián)，二極管正向壓降隨溫度變化與 VBE 一致（每升高 1℃，均下降 2-2.5mV），抵消 VBE 的漂移；三極管補(bǔ)償是用另一支同型號(hào)三極管的發(fā)射結(jié)與原三極管發(fā)射結(jié)并聯(lián)，利用兩只管子參數(shù)的一致性，使溫度漂移相互抵消。例如在共射放大電路中，基極串聯(lián) 1N4148 二極管，當(dāng)溫度升高 10℃，VBE 下降 25mV，二極管正向壓降也下降 25mV，確保 IB 基本不變，IC 穩(wěn)定。PWM 調(diào)光電路中，三極管占空比通常設(shè) 10%-90%，避免閃爍和過熱。航...

繼電器線圈是感性負(fù)載，斷電時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負(fù)極，負(fù)極接線圈正極，當(dāng)線圈斷電時(shí)，反向電動(dòng)勢通過二極管形成回路，保護(hù)三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導(dǎo)致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動(dòng)，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時(shí)，IC=100mA），既滿足驅(qū)動(dòng)需求，又避免過載。三極管燒毀多因 IC 超 ICM、PC ...

集電極最大允許電流 ICM 是指 NPN 型小功率晶體三極管在正常工作時(shí)，集電極所能通過的最大電流值。當(dāng)集電極電流 IC 超過 ICM 時(shí)，三極管的電流放大系數(shù) β 會(huì)明顯下降，雖然此時(shí)三極管可能不會(huì)立即損壞，但會(huì)導(dǎo)致電路的放大性能變差，無法滿足設(shè)計(jì)要求。ICM 的數(shù)值與三極管的封裝形式、散熱條件密切相關(guān)，相同型號(hào)的三極管，采用散熱性能更好的封裝時(shí)，ICM 會(huì)有所增大；同時(shí)，若電路中為三極管配備了散熱片，也能在一定程度上提高 ICM 的實(shí)際可用值。小功率 NPN 型三極管的 ICM 通常在幾十毫安到幾百毫安之間，例如常用的 9013 三極管，其 ICM 約為 500mA，而 9014 三極管的...

選型需結(jié)合電路需求綜合判斷：一是確定參數(shù)匹配，ICM≥電路*大 IC 的 1.2 倍，PCM≥電路*大 PC 的 1.2 倍，V (BR) CEO≥電路*大電壓的 1.2 倍，β 根據(jù)放大需求選擇（放大電路選 β=50-100，開關(guān)電路選 β=20-50）；二是考慮封裝形式，直插電路選 TO-92，貼片電路選 SOT-23；三是關(guān)注溫度適應(yīng)性，高溫環(huán)境（如工業(yè)控制）選耐高溫型號(hào)（結(jié)溫≥175℃），低溫環(huán)境（如戶外設(shè)備）選耐低溫型號(hào)（工作溫度≤-40℃）；四是優(yōu)先選常用型號(hào)，性價(jià)比高且易采購，特殊需求（如高頻）選型號(hào)（如 S9018）。ICEO 是基極開路時(shí) CE 反向電流，溫度敏感性強(qiáng)，會(huì)增大...

NPN 型小功率晶體三極管在開關(guān)電路中主要工作在截止區(qū)和飽和區(qū)，通過控制基極電流來實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)基極沒有輸入信號(hào)或輸入信號(hào)較小時(shí)，基極電流 IB=0（或很?。?，此時(shí)三極管工作在截止區(qū)，集電極電流 IC≈0，集電極與發(fā)射極之間的電壓近似等于電源電壓，三極管相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)，電路處于截止?fàn)顟B(tài)；當(dāng)基極輸入足夠大的信號(hào)時(shí)，基極電流 IB 增大，使得集電極電流 IC 達(dá)到飽和值 ICS，此時(shí)三極管工作在飽和區(qū)，集電極與發(fā)射極之間的飽和壓降 VCE (sat) 很?。ㄍǔ?0.1-0.3V），三極管相當(dāng)于一個(gè)閉合的開關(guān)，電路處于導(dǎo)通狀態(tài)。三極管開關(guān)電路具有開關(guān)速度快、無機(jī)械磨損、壽命長等優(yōu)...

NPN 型小功率三極管是電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)的 重要器件，典型實(shí)驗(yàn)包括：一是三極管放大特性實(shí)驗(yàn)，通過改變 IB 測量 IC，繪制 β 曲線，理解電流放大原理；二是共射放大電路實(shí)驗(yàn)，測量電壓放大倍數(shù)、輸入輸出電阻，觀察失真現(xiàn)象；三是開關(guān)特性實(shí)驗(yàn)，用脈沖信號(hào)控制三極管導(dǎo)通 / 截止，測量開關(guān)時(shí)間；四是振蕩電路實(shí)驗(yàn)，組裝 RC 或 LC 振蕩電路，觀察振蕩波形，理解起振條件。這些實(shí)驗(yàn)幫助學(xué)生直觀掌握三極管工作原理，為后續(xù)復(fù)雜電路學(xué)習(xí)奠定基礎(chǔ)，例如在放大特性實(shí)驗(yàn)中，用 9014 管，改變 RB 從 100kΩ 至 200kΩ，測量 IB 從 43μA 至 21μA，IC 從 4.3mA 至 2.1mA，計(jì)算 ...

共基放大電路以基極作為公共電極，輸入信號(hào)加在發(fā)射極和基極之間，輸出信號(hào)從集電極和基極之間取出，NPN 型小功率三極管在該電路中工作在放大區(qū)。共基放大電路的突出特點(diǎn)是頻率響應(yīng)好，上限截止頻率高，這是因?yàn)榛鶚O交流接地，基極電容的影響較小，減少了載流子在基區(qū)的渡越時(shí)間對高頻信號(hào)的影響，因此常用于高頻放大電路中，如射頻信號(hào)放大、高頻振蕩電路等。與共射放大電路相比，共基放大電路的電壓放大倍數(shù)較高，但電流放大倍數(shù)小于 1，即沒有電流放大能力，能實(shí)現(xiàn)電壓放大，且輸出信號(hào)與輸入信號(hào)同相位。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，共基放大電路常與共射放大電路組合使用，構(gòu)成共射 - 共基組合放大電路，既能獲得較高的電壓放大倍數(shù)，又能擁有良...

用萬用表檢測三極管好壞：第一步測 PN 結(jié)正向?qū)ㄐ裕t表筆接 B，黑表筆接 E、C，均應(yīng)顯示 0.6-0.7V（硅管），若顯示 “OL” 或壓降異常，說明發(fā)射結(jié) / 集電結(jié)損壞；第二步測反向截止性，黑表筆接 B，紅表筆接 E、C，均應(yīng)顯示 “OL”，若有導(dǎo)通壓降，說明 PN 結(jié)反向漏電；第三步估測 β，將萬用表調(diào)至 “hFE 檔”，根據(jù)三極管類型（NPN）插入對應(yīng)插槽，顯示 β 值，若 β

貼片封裝（如 SOT-23、SOT-323）與直插封裝（TO-92）的 重要參數(shù)（ICM、PCM、β）相近，但散熱性能和安裝密度不同：直插封裝引腳長，散熱路徑長，PCM 通常略低（如 TO-92 封裝的 9013，PCM=625mW）；貼片封裝緊貼 PCB，可通過 PCB 銅箔散熱，PCM 可提升 10%~20%（如 SOT-23 封裝的 MMBT9013，PCM=700mW），且安裝密度高，適合小型化設(shè)備（如手機(jī)、智能手環(huán)）。直插封裝則適合手工焊接和高溫環(huán)境（引腳散熱好），如工業(yè)控制設(shè)備中的繼電器驅(qū)動(dòng)電路，便于維修更換。多級(jí)放大電路級(jí)間耦合有阻容、直接、變壓器三種方式?？蒲蓄I(lǐng)域低噪聲放大NP...

共集放大電路又稱射極輸出器，在該電路中，集電極作為公共電極，輸入信號(hào)加在基極和集電極之間，輸出信號(hào)從發(fā)射極和集電極之間取出。NPN 型小功率三極管在共集放大電路中同樣工作在放大區(qū)，其 重要特點(diǎn)是電壓放大倍數(shù)小于 1 且近似等于 1，輸出電壓與輸入電壓同相位，即輸出電壓跟隨輸入電壓變化，因此也被稱為電壓跟隨器。雖然共集放大電路的電壓放大能力較弱，但它具有輸入電阻高、輸出電阻低的優(yōu)點(diǎn)，輸入電阻高可以減小信號(hào)源的負(fù)載效應(yīng)，輸出電阻低則可以提高電路的帶負(fù)載能力，能夠驅(qū)動(dòng)阻抗較低的負(fù)載?；谶@些特點(diǎn)，共集放大電路常用于多級(jí)放大電路的輸入級(jí)、輸出級(jí)或中間隔離級(jí)，例如在測量儀器的輸入電路中，采用共集放大電路...

共集放大電路又稱射極輸出器，在該電路中，集電極作為公共電極，輸入信號(hào)加在基極和集電極之間，輸出信號(hào)從發(fā)射極和集電極之間取出。NPN 型小功率三極管在共集放大電路中同樣工作在放大區(qū)，其 重要特點(diǎn)是電壓放大倍數(shù)小于 1 且近似等于 1，輸出電壓與輸入電壓同相位，即輸出電壓跟隨輸入電壓變化，因此也被稱為電壓跟隨器。雖然共集放大電路的電壓放大能力較弱，但它具有輸入電阻高、輸出電阻低的優(yōu)點(diǎn)，輸入電阻高可以減小信號(hào)源的負(fù)載效應(yīng)，輸出電阻低則可以提高電路的帶負(fù)載能力，能夠驅(qū)動(dòng)阻抗較低的負(fù)載?；谶@些特點(diǎn)，共集放大電路常用于多級(jí)放大電路的輸入級(jí)、輸出級(jí)或中間隔離級(jí)，例如在測量儀器的輸入電路中，采用共集放大電路...

集電極最大允許電流 ICM 是指 NPN 型小功率晶體三極管在正常工作時(shí)，集電極所能通過的最大電流值。當(dāng)集電極電流 IC 超過 ICM 時(shí)，三極管的電流放大系數(shù) β 會(huì)明顯下降，雖然此時(shí)三極管可能不會(huì)立即損壞，但會(huì)導(dǎo)致電路的放大性能變差，無法滿足設(shè)計(jì)要求。ICM 的數(shù)值與三極管的封裝形式、散熱條件密切相關(guān)，相同型號(hào)的三極管，采用散熱性能更好的封裝時(shí)，ICM 會(huì)有所增大；同時(shí)，若電路中為三極管配備了散熱片，也能在一定程度上提高 ICM 的實(shí)際可用值。小功率 NPN 型三極管的 ICM 通常在幾十毫安到幾百毫安之間，例如常用的 9013 三極管，其 ICM 約為 500mA，而 9014 三極管的...

溫度對 NPN 型小功率三極管參數(shù)影響比較明顯：一是 VBE 隨溫度升高而減小，每升高 1℃，VBE 下降 2-2.5mV，可能導(dǎo)致 IB 增大、IC 漂移；二是 β 隨溫度升高而增大，每升高 10℃，β 增大 10%-20%，加劇 IC 不穩(wěn)定；三是集電極反向飽和電流 ICBO（發(fā)射極開路時(shí) CB 反向電流）隨溫度升高呈指數(shù)增長，每升高 10℃，ICBO 翻倍，而 ICEO（基極開路時(shí) CE 反向電流）≈(1+β) ICBO，變化更劇烈。例如在高溫環(huán)境（如汽車電子）中，需通過溫度補(bǔ)償電路（如并聯(lián)二極管）抵消溫度對參數(shù)的影響。放大能力下降表現(xiàn)為輸出幅度減，多因 β 值明顯低于標(biāo)稱值。華東地區(qū)批...

ICEO 是基極開路時(shí)集電極 - 發(fā)射極反向電流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大，ICEO 的溫度敏感性極強(qiáng)，會(huì)導(dǎo)致電路靜態(tài)電流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是選擇 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 遠(yuǎn)小于鍺管；二是在基極與地之間接泄放電阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，減小 ICEO 對 IC 的影響；三是采用分壓式偏置電路，通過 RE 的負(fù)反饋穩(wěn)定 IC。例如在高精度電流源電路中，基極接 100kΩ 泄放電阻，當(dāng) ICEO=10μA（β=100）時(shí)，IB=0.1μA，對 IC 的影響可忽略不計(jì)，確保電流源輸出穩(wěn)定。繼電器驅(qū)動(dòng)電...

PN 型小功率晶體三極管的輸入特性曲線直接影響電路靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置。該曲線以集電極 - 發(fā)射極電壓 VCE 為固定參量（通常需滿足 VCE≥1V，消除 VCE 對曲線的影響），描述基極電流 IB 與基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 之間的關(guān)系，其形態(tài)與二極管正向伏安特性高度相似，存在明顯的 “死區(qū)” 與 “導(dǎo)通區(qū)” 劃分。對于硅材料三極管，當(dāng) VBE＜0.5V 時(shí)，發(fā)射結(jié)未充分導(dǎo)通，IB 近似為 0，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，此為死區(qū)；當(dāng) VBE 突破 0.5V 死區(qū)電壓后，IB 隨 VBE 的增大呈指數(shù)級(jí)快速上升，且在正常工作范圍內(nèi)，VBE 會(huì)穩(wěn)定在 0.6-0.7V 的狹窄區(qū)間，這一特性成為電路設(shè)計(jì)...

NPN 型小功率三極管的 重要價(jià)值在于電流放大，其原理基于載流子的定向運(yùn)動(dòng)與分配。當(dāng)滿足導(dǎo)通偏置時(shí)，發(fā)射區(qū)大量自由電子注入基區(qū)，因基區(qū)薄且摻雜少，大部分自由電子（約 95% 以上）未與空穴復(fù)合，被集電結(jié)反向電場拉入集電區(qū)，形成集電極電流（IC）；少量自由電子（約 5% 以下）與基區(qū)空穴復(fù)合，需基極提供電流補(bǔ)充空穴，形成基極電流（IB）。此時(shí) IC 與 IB 成固定比例，即電流放大系數(shù) β=IC/IB（小功率管 β 通常 20-200），微小的 IB 變化會(huì)引發(fā) IC 大幅變化，例如 IB 從 10μA 增至 20μA，β=100 時(shí)，IC 會(huì)從 1mA 增至 2mA，實(shí)現(xiàn)電流放大。硅管禁帶寬度...

NPN 型小功率晶體三極管的輸出特性曲線是以基極電流（IB）為參變量，描述集電極電流（IC）與集電極 - 發(fā)射極電壓（VCE）之間關(guān)系的一族曲線。輸出特性曲線通常分為三個(gè)區(qū)域：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是指 IB=0 時(shí)的區(qū)域，此時(shí) IC 很小，近似為零，三極管相當(dāng)于開路，一般當(dāng) VBE 小于死區(qū)電壓時(shí)，三極管工作在截止區(qū)；放大區(qū)的特點(diǎn)是 IC 基本不隨 VCE 的變化而變化，與 IB 成正比，即 IC=βIB，此時(shí)三極管具有穩(wěn)定的電流放大能力，是放大電路中三極管的主要工作區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置；飽和區(qū)是指當(dāng) VCE 較小時(shí)，IC 不再隨 IB 的增大而線性增大，...

共射放大電路是 NPN 型小功率管的經(jīng)典應(yīng)用，發(fā)射極接地，輸入信號(hào)加在 BE 間，輸出信號(hào)從 CE 間取出。電路中，RB（基極偏置電阻）控制 IB，確定靜態(tài)工作點(diǎn)；RC（集電極負(fù)載電阻）將 IC 變化轉(zhuǎn)化為 VCE 變化，實(shí)現(xiàn)電壓放大。該電路的優(yōu)勢是電壓放大倍數(shù)高（Av=-βRC/ri，ri 為輸入電阻）、電流放大倍數(shù)大，缺點(diǎn)是輸入電阻小、輸出電阻大，輸出信號(hào)與輸入信號(hào)反相。例如在音頻前置放大電路中，用 9014 管組成共射電路，將麥克風(fēng)輸出的 mV 級(jí)信號(hào)放大至 V 級(jí)，為后級(jí)功率放大提供信號(hào)源。9013 三極管 TO-92 封裝時(shí)，PCM=625mW，SOT-23 封裝則為 700mW。線...

振蕩電路無需外部輸入信號(hào)即可產(chǎn)生周期性信號(hào)，NPN 型小功率三極管作為放大器件，為電路提供能量補(bǔ)償。振蕩需滿足相位平衡（總相移 360°）和幅值平衡（放大倍數(shù) × 反饋系數(shù)≥1）。例如 RC 橋式振蕩電路，三極管組成共射放大電路（提供 180° 相移），RC 串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)（提供 180° 相移）實(shí)現(xiàn)正反饋，產(chǎn)生低頻正弦波（頻率 f=1/(2πRC)），用于音頻信號(hào)源；LC 振蕩電路（如哈特萊振蕩電路），三極管放大信號(hào)，LC 諧振回路選頻并反饋，產(chǎn)生高頻信號(hào)（f≈1/(2π√(LC))），用于無線電發(fā)射機(jī)的載波產(chǎn)生。RC 振蕩調(diào)試時(shí)，VCE≈VCC/2，才能滿足起振的放大條件。汽車電子抗輻射NPN...

共射放大電路是 NPN 型小功率晶體三極管常用的應(yīng)用電路之一，其特點(diǎn)是發(fā)射極作為公共電極，輸入信號(hào)加在基極和發(fā)射極之間，輸出信號(hào)從集電極和發(fā)射極之間取出。在共射放大電路中，三極管工作在放大區(qū)，通過設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，確保輸入交流信號(hào)在整個(gè)周期內(nèi)都能被有效放大，避免出現(xiàn)截止失真或飽和失真。電路中的偏置電阻（如 RB1、RB2）用于提供基極偏置電流，確定靜態(tài)工作點(diǎn)；集電極電阻 RC 則用于將集電極電流的變化轉(zhuǎn)化為電壓的變化，實(shí)現(xiàn)電壓放大。共射放大電路具有較高的電壓放大倍數(shù)和電流放大倍數(shù)，同時(shí)輸出信號(hào)與輸入信號(hào)相位相反，因此也被稱為反相放大電路。這種電路廣泛應(yīng)用于音頻放大、信號(hào)預(yù)處理等領(lǐng)域，例如在...

集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）是 NPN 型小功率晶體三極管保障電路安全的耐壓參數(shù)，直接決定三極管在電路中的電壓耐受上限。其定義為基極開路狀態(tài)下，集電極（C）與發(fā)射極（E）之間能夠承受的高反向電壓，一旦電路中 CE 間實(shí)際電壓超過該值，集電結(jié)會(huì)發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致集電極電流（IC）急劇增大，輕則引發(fā)三極管參數(shù)漂移，重則直接燒毀器件。在小功率 NPN 管范疇內(nèi)，V (BR) CEO 的數(shù)值范圍通常為 15V-60V，不同型號(hào)差異明顯，例如低頻放大常用的 9015 管，V (BR) CEO 可達(dá) 45V，適用于中低壓電路；而高頻的 S9018 管，因結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)側(cè)重高頻性能，V ...

NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)對溫度變化非常敏感，溫度的變化會(huì)影響其性能。首先，溫度升高時(shí)，基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 會(huì)減小，通常溫度每升高 1℃，VBE 約減小 2-2.5mV，這會(huì)導(dǎo)致基極電流 IB 增大，進(jìn)而使集電極電流 IC 增大，可能導(dǎo)致電路靜態(tài)工作點(diǎn)漂移；其次，溫度升高會(huì)使電流放大系數(shù) β 增大，一般溫度每升高 10℃，β 值約增大 10%-20%，β 值的增大同樣會(huì)使 IC 增大，加劇工作點(diǎn)的不穩(wěn)定；另外，溫度升高還會(huì)使集電極反向飽和電流 ICBO 增大，ICBO 是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間的反向電流，由于 ICBO 具有正溫度系數(shù)，溫度每升高 10℃，ICBO 約...

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過低，輸入信號(hào)負(fù)半周使三極管進(jìn)入截止區(qū)，輸出信號(hào)正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過高，輸入信號(hào)正半周使三極管進(jìn)入飽和區(qū)，輸出信號(hào)負(fù)半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當(dāng)輸入正弦信號(hào)時(shí)，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調(diào)至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調(diào)至 3kΩ，降低 ICQ。ICEO 是基極開路時(shí) CE 反向電流，溫度敏感性強(qiáng)，會(huì)增大電路功耗。線上...

PN 型小功率晶體三極管的輸入特性曲線直接影響電路靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置。該曲線以集電極 - 發(fā)射極電壓 VCE 為固定參量（通常需滿足 VCE≥1V，消除 VCE 對曲線的影響），描述基極電流 IB 與基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 之間的關(guān)系，其形態(tài)與二極管正向伏安特性高度相似，存在明顯的 “死區(qū)” 與 “導(dǎo)通區(qū)” 劃分。對于硅材料三極管，當(dāng) VBE＜0.5V 時(shí)，發(fā)射結(jié)未充分導(dǎo)通，IB 近似為 0，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，此為死區(qū)；當(dāng) VBE 突破 0.5V 死區(qū)電壓后，IB 隨 VBE 的增大呈指數(shù)級(jí)快速上升，且在正常工作范圍內(nèi)，VBE 會(huì)穩(wěn)定在 0.6-0.7V 的狹窄區(qū)間，這一特性成為電路設(shè)計(jì)...

NPN 型小功率三極管的 重要價(jià)值在于電流放大，其原理基于載流子的定向運(yùn)動(dòng)與分配。當(dāng)滿足導(dǎo)通偏置時(shí)，發(fā)射區(qū)大量自由電子注入基區(qū)，因基區(qū)薄且摻雜少，大部分自由電子（約 95% 以上）未與空穴復(fù)合，被集電結(jié)反向電場拉入集電區(qū)，形成集電極電流（IC）；少量自由電子（約 5% 以下）與基區(qū)空穴復(fù)合，需基極提供電流補(bǔ)充空穴，形成基極電流（IB）。此時(shí) IC 與 IB 成固定比例，即電流放大系數(shù) β=IC/IB（小功率管 β 通常 20-200），微小的 IB 變化會(huì)引發(fā) IC 大幅變化，例如 IB 從 10μA 增至 20μA，β=100 時(shí)，IC 會(huì)從 1mA 增至 2mA，實(shí)現(xiàn)電流放大。多級(jí)放大電路...

共基放大電路以基極作為公共電極，輸入信號(hào)加在發(fā)射極和基極之間，輸出信號(hào)從集電極和基極之間取出，NPN 型小功率三極管在該電路中工作在放大區(qū)。共基放大電路的突出特點(diǎn)是頻率響應(yīng)好，上限截止頻率高，這是因?yàn)榛鶚O交流接地，基極電容的影響較小，減少了載流子在基區(qū)的渡越時(shí)間對高頻信號(hào)的影響，因此常用于高頻放大電路中，如射頻信號(hào)放大、高頻振蕩電路等。與共射放大電路相比，共基放大電路的電壓放大倍數(shù)較高，但電流放大倍數(shù)小于 1，即沒有電流放大能力，能實(shí)現(xiàn)電壓放大，且輸出信號(hào)與輸入信號(hào)同相位。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，共基放大電路常與共射放大電路組合使用，構(gòu)成共射 - 共基組合放大電路，既能獲得較高的電壓放大倍數(shù)，又能擁有良...

NPN 型小功率晶體三極管在開關(guān)電路中主要工作在截止區(qū)和飽和區(qū)，通過控制基極電流來實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)基極沒有輸入信號(hào)或輸入信號(hào)較小時(shí)，基極電流 IB=0（或很小），此時(shí)三極管工作在截止區(qū)，集電極電流 IC≈0，集電極與發(fā)射極之間的電壓近似等于電源電壓，三極管相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)，電路處于截止?fàn)顟B(tài)；當(dāng)基極輸入足夠大的信號(hào)時(shí)，基極電流 IB 增大，使得集電極電流 IC 達(dá)到飽和值 ICS，此時(shí)三極管工作在飽和區(qū)，集電極與發(fā)射極之間的飽和壓降 VCE (sat) 很?。ㄍǔ?0.1-0.3V），三極管相當(dāng)于一個(gè)閉合的開關(guān)，電路處于導(dǎo)通狀態(tài)。三極管開關(guān)電路具有開關(guān)速度快、無機(jī)械磨損、壽命長等優(yōu)...

在電磁干擾（EMI）嚴(yán)重的環(huán)境（如工業(yè)車間、射頻設(shè)備附近），NPN 型小功率三極管電路需采取抗干擾措施：一是在電源端并聯(lián)去耦電容（0.1μF 陶瓷電容 + 10μF 電解電容），抑制電源噪聲；二是在基極串聯(lián)小電阻（100Ω~1kΩ），限制高頻干擾電流；三是采用屏蔽罩，隔離外部射頻干擾；四是優(yōu)化 PCB 布局，使輸入線與輸出線分開，避免交叉干擾。例如在汽車電子中的三極管驅(qū)動(dòng)電路，電源端并聯(lián) 0.1μF 陶瓷電容和 47μF 電解電容，基極串聯(lián) 220Ω 電阻，PCB 上輸入回路與輸出回路垂直布局，有效降低發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火系統(tǒng)產(chǎn)生的 EMI 干擾。繼電器驅(qū)動(dòng)電路中，需并續(xù)流二極管防線圈反向電動(dòng)勢擊穿三極...

ICEO 是基極開路時(shí)集電極 - 發(fā)射極反向電流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大，ICEO 的溫度敏感性極強(qiáng)，會(huì)導(dǎo)致電路靜態(tài)電流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是選擇 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 遠(yuǎn)小于鍺管；二是在基極與地之間接泄放電阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，減小 ICEO 對 IC 的影響；三是采用分壓式偏置電路，通過 RE 的負(fù)反饋穩(wěn)定 IC。例如在高精度電流源電路中，基極接 100kΩ 泄放電阻，當(dāng) ICEO=10μA（β=100）時(shí)，IB=0.1μA，對 IC 的影響可忽略不計(jì)，確保電流源輸出穩(wěn)定。檢測三極管好...

溫度對 NPN 型小功率三極管參數(shù)影響比較明顯：一是 VBE 隨溫度升高而減小，每升高 1℃，VBE 下降 2-2.5mV，可能導(dǎo)致 IB 增大、IC 漂移；二是 β 隨溫度升高而增大，每升高 10℃，β 增大 10%-20%，加劇 IC 不穩(wěn)定；三是集電極反向飽和電流 ICBO（發(fā)射極開路時(shí) CB 反向電流）隨溫度升高呈指數(shù)增長，每升高 10℃，ICBO 翻倍，而 ICEO（基極開路時(shí) CE 反向電流）≈(1+β) ICBO，變化更劇烈。例如在高溫環(huán)境（如汽車電子）中，需通過溫度補(bǔ)償電路（如并聯(lián)二極管）抵消溫度對參數(shù)的影響。貼片封裝 SOT-23 比直插 TO-92 散熱好，PCM 可提升 ...