針對三極管參數(shù)隨溫度漂移的問題，可采用 NPN 管自身組成溫度補償電路，常見的有 diode 補償和三極管補償。diode 補償是將二極管與基極串聯(lián)，二極管正向壓降隨溫度變化與 VBE 一致（每升高 1℃，均下降 2-2.5mV），抵消 VBE 的漂移；三極管補償是用另一支同型號三極管的發(fā)射結(jié)與原三極管發(fā)射結(jié)并聯(lián)，利用兩只管子參數(shù)的一致性，使溫度漂移相互抵消。例如在共射放大電路中，基極串聯(lián) 1N4148 二極管，當(dāng)溫度升高 10℃，VBE 下降 25mV，二極管正向壓降也下降 25mV，確保 IB 基本不變，IC 穩(wěn)定。用 hFE 檔估測 β，β

靜態(tài)工作點是三極管放大電路的 重要參數(shù)，需通過偏置電路設(shè)置，確保三極管工作在放大區(qū)。常用的偏置方式有固定偏置和分壓式偏置：固定偏置通過基極電阻 RB 直接從電源取電，RB=(VCC-VBE)/IBQ，電路簡單但穩(wěn)定性差，適合負(fù)載固定、溫度變化小的場景；分壓式偏置（RB1、RB2 分壓）使 VB 穩(wěn)定（VB≈VCC×RB2/(RB1+RB2)），再通過發(fā)射極電阻 RE 抑制 IC 漂移，穩(wěn)定性遠(yuǎn)優(yōu)于固定偏置，是多數(shù)放大電路的首要選擇。例如在音頻放大電路中，VCC=12V，若需 IBQ=20μA、VE=2V，可設(shè) RB2=2kΩ（VB≈2.7V）、RB1=10kΩ、RE=100Ω，確保靜態(tài)工作點穩(wěn)...

振蕩電路無需外部輸入信號即可產(chǎn)生周期性信號，NPN 型小功率三極管作為放大器件，為電路提供能量補償。振蕩需滿足相位平衡（總相移 360°）和幅值平衡（放大倍數(shù) × 反饋系數(shù)≥1）。例如 RC 橋式振蕩電路，三極管組成共射放大電路（提供 180° 相移），RC 串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)（提供 180° 相移）實現(xiàn)正反饋，產(chǎn)生低頻正弦波（頻率 f=1/(2πRC)），用于音頻信號源；LC 振蕩電路（如哈特萊振蕩電路），三極管放大信號，LC 諧振回路選頻并反饋，產(chǎn)生高頻信號（f≈1/(2π√(LC))），用于無線電發(fā)射機的載波產(chǎn)生。用它可做電池電量檢測器，電壓達(dá)標(biāo)時 LED 點亮，直觀判斷電量。安徽低功耗NPN型...

要使 NPN 型小功率晶體三極管正常工作，必須滿足特定的偏置條件，即發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置是指在基極和發(fā)射極之間施加正向電壓，對于硅材料的三極管，這個正向電壓通常在 0.6-0.7V 左右，此時發(fā)射區(qū)的自由電子在正向電場的作用下，會大量越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置則是在基極和集電極之間施加反向電壓，該電壓值通常比發(fā)射結(jié)正向電壓大得多，反向電場會阻止基區(qū)的空穴向集電區(qū)移動，同時能將基區(qū)中未與空穴復(fù)合的自由電子 “拉” 向集電區(qū)。當(dāng)滿足這兩個偏置條件時，三極管內(nèi)部會形成較大的集電極電流，且集電極電流會隨著基極電流的微小變化而發(fā)生明顯變化，從而實現(xiàn)電流放大功能。教學(xué)實驗...

在電磁干擾（EMI）嚴(yán)重的環(huán)境（如工業(yè)車間、射頻設(shè)備附近），NPN 型小功率三極管電路需采取抗干擾措施：一是在電源端并聯(lián)去耦電容（0.1μF 陶瓷電容 + 10μF 電解電容），抑制電源噪聲；二是在基極串聯(lián)小電阻（100Ω~1kΩ），限制高頻干擾電流；三是采用屏蔽罩，隔離外部射頻干擾；四是優(yōu)化 PCB 布局，使輸入線與輸出線分開，避免交叉干擾。例如在汽車電子中的三極管驅(qū)動電路，電源端并聯(lián) 0.1μF 陶瓷電容和 47μF 電解電容，基極串聯(lián) 220Ω 電阻，PCB 上輸入回路與輸出回路垂直布局，有效降低發(fā)動機點火系統(tǒng)產(chǎn)生的 EMI 干擾。用它可做電池電量檢測器，電壓達(dá)標(biāo)時 LED 點亮，直觀判...

溫度對 NPN 型小功率三極管參數(shù)影響比較明顯：一是 VBE 隨溫度升高而減小，每升高 1℃，VBE 下降 2-2.5mV，可能導(dǎo)致 IB 增大、IC 漂移；二是 β 隨溫度升高而增大，每升高 10℃，β 增大 10%-20%，加劇 IC 不穩(wěn)定；三是集電極反向飽和電流 ICBO（發(fā)射極開路時 CB 反向電流）隨溫度升高呈指數(shù)增長，每升高 10℃，ICBO 翻倍，而 ICEO（基極開路時 CE 反向電流）≈(1+β) ICBO，變化更劇烈。例如在高溫環(huán)境（如汽車電子）中，需通過溫度補償電路（如并聯(lián)二極管）抵消溫度對參數(shù)的影響。它有三個極間電容：Cbe、Cbc、Cce，影響高頻性能。陜西便攜式設(shè)...

NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)對溫度變化非常敏感，溫度的變化會影響其性能。首先，溫度升高時，基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 會減小，通常溫度每升高 1℃，VBE 約減小 2-2.5mV，這會導(dǎo)致基極電流 IB 增大，進(jìn)而使集電極電流 IC 增大，可能導(dǎo)致電路靜態(tài)工作點漂移；其次，溫度升高會使電流放大系數(shù) β 增大，一般溫度每升高 10℃，β 值約增大 10%-20%，β 值的增大同樣會使 IC 增大，加劇工作點的不穩(wěn)定；另外，溫度升高還會使集電極反向飽和電流 ICBO 增大，ICBO 是指發(fā)射極開路時，集電極與基極之間的反向電流，由于 ICBO 具有正溫度系數(shù)，溫度每升高 10℃，ICBO 約...

反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù)，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開路時，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過此電壓，集電結(jié)會發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開路時，集電極與發(fā)射極之間的反向電壓，其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO，因為基極開路時，集電結(jié)的反向擊穿會通過基區(qū)影響發(fā)射結(jié)，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電...

貼片封裝（如 SOT-23、SOT-323）與直插封裝（TO-92）的 重要參數(shù)（ICM、PCM、β）相近，但散熱性能和安裝密度不同：直插封裝引腳長，散熱路徑長，PCM 通常略低（如 TO-92 封裝的 9013，PCM=625mW）；貼片封裝緊貼 PCB，可通過 PCB 銅箔散熱，PCM 可提升 10%~20%（如 SOT-23 封裝的 MMBT9013，PCM=700mW），且安裝密度高，適合小型化設(shè)備（如手機、智能手環(huán)）。直插封裝則適合手工焊接和高溫環(huán)境（引腳散熱好），如工業(yè)控制設(shè)備中的繼電器驅(qū)動電路，便于維修更換。FM 收音機中頻放大用 fT≥100MHz 的管，如 2SC1815，避...

NPN 型小功率晶體三極管的 重要半導(dǎo)體材料多為硅，少數(shù)特殊場景用鍺。硅材料的優(yōu)勢在于禁帶寬度約 1.1eV，常溫下反向漏電流遠(yuǎn)小于鍺管，穩(wěn)定性更強，這也是硅管成為主流的關(guān)鍵原因。例如常用的 901 系列、8050 系列均為硅管，在 25℃環(huán)境下，ICBO（集電極 - 基極反向飽和電流）通常小于 10nA；而鍺管 ICBO 可達(dá)數(shù) μA，在對成本極端敏感且工作電流極小的簡易電路（如老式礦石收音機）中應(yīng)用。此外，硅管的溫度耐受范圍更廣（-55℃~150℃），能適配多數(shù)民用電子設(shè)備的工作環(huán)境，鍺管則因溫度穩(wěn)定性差，逐漸被硅管取代。硅管禁帶寬度約 1.1eV，常溫下 ICBO 通常小于 10nA，漏...

PWM 調(diào)光電路通過改變?nèi)龢O管導(dǎo)通時間（占空比）調(diào)節(jié) LED 亮度，占空比范圍受三極管開關(guān)速度和 LED 響應(yīng)時間限制。若占空比過低（如 95%），三極管導(dǎo)通時間過長，可能因 PC=IC×VCE 超過 PCM 導(dǎo)致過熱。例如 LED 工作電流 300mA，VCE=0.3V（飽和時），PC=90mW，選擇 PCM=200mW 的三極管（如 8050），占空比可設(shè)為 10%~90%，既避免閃爍，又確保功耗安全，同時 PWM 頻率需≥100Hz，超出人眼視覺暫留范圍。開關(guān)特性實驗用脈沖信號控通斷，測量開關(guān)時間。四川高增益NPN型晶體三極管5G通信設(shè)備應(yīng)用價格咨詢振蕩電路是一種無需外部輸入信號就能產(chǎn)...

ICEO 是基極開路時集電極 - 發(fā)射極反向電流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大，ICEO 的溫度敏感性極強，會導(dǎo)致電路靜態(tài)電流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是選擇 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 遠(yuǎn)小于鍺管；二是在基極與地之間接泄放電阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，減小 ICEO 對 IC 的影響；三是采用分壓式偏置電路，通過 RE 的負(fù)反饋穩(wěn)定 IC。例如在高精度電流源電路中，基極接 100kΩ 泄放電阻，當(dāng) ICEO=10μA（β=100）時，IB=0.1μA，對 IC 的影響可忽略不計，確保電流源輸出穩(wěn)定。開關(guān)特性實驗...

LC 振蕩電路的頻率穩(wěn)定性由 LC 諧振回路的 Q 值決定，Q 值越高，頻率穩(wěn)定性越好。小功率 NPN 管的極間電容（尤其是 Cbc）會影響 LC 回路的等效電容，導(dǎo)致頻率漂移，解決方法是選擇 Cbc 小的高頻三極管（如 2SC3355），并在三極管與 LC 回路間加入隔離電路（如共基電路），減少極間電容對回路的影響。此外，采用溫度系數(shù)小的電容（如云母電容）和電感（如密封電感），可進(jìn)一步降低溫度變化對頻率的影響。例如在 27MHz 的無線話筒振蕩電路中，用 Cbc=1.5pF 的 2SC3355 管，配合云母電容（溫度系數(shù) ±50ppm/℃），頻率漂移可控制在 ±1kHz 以內(nèi)。靜態(tài)工作點需通...

多級放大電路中，NPN 型小功率三極管的級間耦合方式有阻容耦合、直接耦合和變壓器耦合。阻容耦合通過電容傳遞交流信號，隔斷直流，適合低頻信號（如音頻），但電容體積大，不適合集成；直接耦合無耦合電容，適合低頻和直流信號，便于集成，但存在零點漂移，需加溫度補償；變壓器耦合通過變壓器傳遞信號，可實現(xiàn)阻抗匹配，適合高頻功率放大（如射頻電路），但體積大、成本高。例如音頻功率放大電路，前級用阻容耦合（電容 10μF），后級用變壓器耦合，匹配揚聲器阻抗（4Ω），提升輸出功率。多級放大電路級間耦合有阻容、直接、變壓器三種方式。四川貼片式NPN型晶體三極管生物醫(yī)學(xué)檢測設(shè)備報價單NPN 型小功率三極管的 重要價值在...

NPN 型小功率晶體三極管的 重要半導(dǎo)體材料多為硅，少數(shù)特殊場景用鍺。硅材料的優(yōu)勢在于禁帶寬度約 1.1eV，常溫下反向漏電流遠(yuǎn)小于鍺管，穩(wěn)定性更強，這也是硅管成為主流的關(guān)鍵原因。例如常用的 901 系列、8050 系列均為硅管，在 25℃環(huán)境下，ICBO（集電極 - 基極反向飽和電流）通常小于 10nA；而鍺管 ICBO 可達(dá)數(shù) μA，在對成本極端敏感且工作電流極小的簡易電路（如老式礦石收音機）中應(yīng)用。此外，硅管的溫度耐受范圍更廣（-55℃~150℃），能適配多數(shù)民用電子設(shè)備的工作環(huán)境，鍺管則因溫度穩(wěn)定性差，逐漸被硅管取代。靜態(tài)工作點需通過偏置電路設(shè)置，確保三極管工作在放大區(qū)。湖北貼片式NP...

共集放大電路（射極輸出器）以集電極接地，輸入信號加在 BC 間，輸出信號從 BE 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)， 重要特點是電壓放大倍數(shù)≈1（Av

PN 型小功率晶體三極管的輸入特性曲線直接影響電路靜態(tài)工作點的設(shè)置。該曲線以集電極 - 發(fā)射極電壓 VCE 為固定參量（通常需滿足 VCE≥1V，消除 VCE 對曲線的影響），描述基極電流 IB 與基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 之間的關(guān)系，其形態(tài)與二極管正向伏安特性高度相似，存在明顯的 “死區(qū)” 與 “導(dǎo)通區(qū)” 劃分。對于硅材料三極管，當(dāng) VBE＜0.5V 時，發(fā)射結(jié)未充分導(dǎo)通，IB 近似為 0，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，此為死區(qū)；當(dāng) VBE 突破 0.5V 死區(qū)電壓后，IB 隨 VBE 的增大呈指數(shù)級快速上升，且在正常工作范圍內(nèi)，VBE 會穩(wěn)定在 0.6-0.7V 的狹窄區(qū)間，這一特性成為電路設(shè)計...

在正常工作狀態(tài)下，NPN 型小功率晶體三極管的三個電極電流之間存在嚴(yán)格的分配關(guān)系，遵循基爾霍夫電流定律。具體來說，發(fā)射極電流（IE）等于基極電流（IB）與集電極電流（IC）之和，即 IE = IB + IC。在電流放大區(qū)域，集電極電流與基極電流的比值基本保持恒定，這個比值被稱為電流放大系數(shù)（β），表達(dá)式為 β = IC / IB，β 值是衡量三極管電流放大能力的重要參數(shù)，小功率 NPN 型三極管的 β 值通常在 20-200 之間，部分高 β 值型號可達(dá)到 300 以上。由于 β 值遠(yuǎn)大于 1，所以集電極電流遠(yuǎn)大于基極電流，而發(fā)射極電流則略大于集電極電流。這種電流分配關(guān)系是三極管實現(xiàn)信號放大的...

共基放大電路以基極接地，輸入信號加在 EB 間，輸出信號從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)，優(yōu)勢是頻率響應(yīng)好（上限截止頻率高），因基極接地減少了極間電容的影響，適合高頻信號放大；缺點是電流放大倍數(shù) < 1（Ai≈α

在正常工作狀態(tài)下，NPN 型小功率晶體三極管的三個電極電流之間存在嚴(yán)格的分配關(guān)系，遵循基爾霍夫電流定律。具體來說，發(fā)射極電流（IE）等于基極電流（IB）與集電極電流（IC）之和，即 IE = IB + IC。在電流放大區(qū)域，集電極電流與基極電流的比值基本保持恒定，這個比值被稱為電流放大系數(shù)（β），表達(dá)式為 β = IC / IB，β 值是衡量三極管電流放大能力的重要參數(shù)，小功率 NPN 型三極管的 β 值通常在 20-200 之間，部分高 β 值型號可達(dá)到 300 以上。由于 β 值遠(yuǎn)大于 1，所以集電極電流遠(yuǎn)大于基極電流，而發(fā)射極電流則略大于集電極電流。這種電流分配關(guān)系是三極管實現(xiàn)信號放大的...

共集放大電路（射極輸出器）以集電極接地，輸入信號加在 BC 間，輸出信號從 BE 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)， 重要特點是電壓放大倍數(shù)≈1（Av0，三極管導(dǎo)通，LED 點亮；當(dāng)電壓低于 2.7V 時，IB=0，LED 熄滅。例如檢測 1.5V 干電池，基極電阻 RB=(1.5-0.7)/10μA=80kΩ，當(dāng)電池電壓≥0.7V 時，LED 點亮，直觀判斷電池是否有電。此外，還可制作 continuity 測試儀，通過三極管放大電流，使蜂鳴器發(fā)聲，檢測電路通斷。5V 繼電器驅(qū)動，基極電阻選 4.3kΩ，確保 IB=1mA，滿足驅(qū)動需求。集電極最大允許電流 ICM 是指 NP...

貼片封裝（如 SOT-23、SOT-323）與直插封裝（TO-92）的 重要參數(shù)（ICM、PCM、β）相近，但散熱性能和安裝密度不同：直插封裝引腳長，散熱路徑長，PCM 通常略低（如 TO-92 封裝的 9013，PCM=625mW）；貼片封裝緊貼 PCB，可通過 PCB 銅箔散熱，PCM 可提升 10%~20%（如 SOT-23 封裝的 MMBT9013，PCM=700mW），且安裝密度高，適合小型化設(shè)備（如手機、智能手環(huán)）。直插封裝則適合手工焊接和高溫環(huán)境（引腳散熱好），如工業(yè)控制設(shè)備中的繼電器驅(qū)動電路，便于維修更換。檢測三極管好壞，先測 PN 結(jié)正向?qū)ㄐ?，正常硅管壓?0.6-0.7V...

NPN 型小功率晶體三極管是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，其 重要結(jié)構(gòu)由三層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，分別為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)采用高摻雜的 N 型半導(dǎo)體，目的是提高載流子（自由電子）的濃度，便于后續(xù)載流子的發(fā)射；基區(qū)為 P 型半導(dǎo)體，其摻雜濃度低，而且物理厚度極薄，通常有幾微米到幾十微米，這種設(shè)計能讓發(fā)射區(qū)注入的載流子快速穿過基區(qū)，減少在基區(qū)的復(fù)合損耗；集電區(qū)同樣是 N 型半導(dǎo)體，面積比發(fā)射區(qū)大得多，主要作用是高效收集從基區(qū)過來的載流子。三個區(qū)域分別引出三個電極，對應(yīng)發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C），電極的引出方式和位置會根據(jù)三極管的封裝形式有所差異，常見的封裝有 TO-92、SOT-23...

反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù)，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開路時，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過此電壓，集電結(jié)會發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開路時，集電極與發(fā)射極之間的反向電壓，其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO，因為基極開路時，集電結(jié)的反向擊穿會通過基區(qū)影響發(fā)射結(jié)，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電...

要讓 NPN 型小功率三極管實現(xiàn)放大或開關(guān)功能，需滿足特定偏置：發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置指基極電壓（VB）高于發(fā)射極電壓（VE），硅管正向壓降約 0.6-0.7V，此時發(fā)射區(qū)自由電子在電場作用下越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置指集電極電壓（VC）高于基極電壓（VB），反向電場阻止基區(qū)空穴向集電區(qū)移動，同時 “牽引” 基區(qū)未復(fù)合的自由電子進(jìn)入集電區(qū)。若偏置條件不滿足，如發(fā)射結(jié)反偏，三極管會進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)；若集電結(jié)正偏，則可能進(jìn)入飽和狀態(tài)，無法實現(xiàn)正常放大。射極輸出器輸出電阻低，需與低阻抗負(fù)載匹配，才能穩(wěn)定輸出。四川低噪聲NPN型晶體三極管照明控制系統(tǒng)應(yīng)用批發(fā)價RC 橋式振蕩...

共射放大電路是 NPN 型小功率晶體三極管常用的應(yīng)用電路之一，其特點是發(fā)射極作為公共電極，輸入信號加在基極和發(fā)射極之間，輸出信號從集電極和發(fā)射極之間取出。在共射放大電路中，三極管工作在放大區(qū)，通過設(shè)置合適的靜態(tài)工作點，確保輸入交流信號在整個周期內(nèi)都能被有效放大，避免出現(xiàn)截止失真或飽和失真。電路中的偏置電阻（如 RB1、RB2）用于提供基極偏置電流，確定靜態(tài)工作點；集電極電阻 RC 則用于將集電極電流的變化轉(zhuǎn)化為電壓的變化，實現(xiàn)電壓放大。共射放大電路具有較高的電壓放大倍數(shù)和電流放大倍數(shù)，同時輸出信號與輸入信號相位相反，因此也被稱為反相放大電路。這種電路廣泛應(yīng)用于音頻放大、信號預(yù)處理等領(lǐng)域，例如在...

要使 NPN 型小功率晶體三極管正常工作，必須滿足特定的偏置條件，即發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置是指在基極和發(fā)射極之間施加正向電壓，對于硅材料的三極管，這個正向電壓通常在 0.6-0.7V 左右，此時發(fā)射區(qū)的自由電子在正向電場的作用下，會大量越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置則是在基極和集電極之間施加反向電壓，該電壓值通常比發(fā)射結(jié)正向電壓大得多，反向電場會阻止基區(qū)的空穴向集電區(qū)移動，同時能將基區(qū)中未與空穴復(fù)合的自由電子 “拉” 向集電區(qū)。當(dāng)滿足這兩個偏置條件時，三極管內(nèi)部會形成較大的集電極電流，且集電極電流會隨著基極電流的微小變化而發(fā)生明顯變化，從而實現(xiàn)電流放大功能。5V 繼...

共射放大電路是 NPN 型小功率管的經(jīng)典應(yīng)用，發(fā)射極接地，輸入信號加在 BE 間，輸出信號從 CE 間取出。電路中，RB（基極偏置電阻）控制 IB，確定靜態(tài)工作點；RC（集電極負(fù)載電阻）將 IC 變化轉(zhuǎn)化為 VCE 變化，實現(xiàn)電壓放大。該電路的優(yōu)勢是電壓放大倍數(shù)高（Av=-βRC/ri，ri 為輸入電阻）、電流放大倍數(shù)大，缺點是輸入電阻小、輸出電阻大，輸出信號與輸入信號反相。例如在音頻前置放大電路中，用 9014 管組成共射電路，將麥克風(fēng)輸出的 mV 級信號放大至 V 級，為后級功率放大提供信號源。27MHz 無線話筒選 Cbc=1.5pF 的 2SC3355，配合云母電容降頻漂。陜西大功率N...

NPN 型小功率晶體三極管在開關(guān)電路中主要工作在截止區(qū)和飽和區(qū)，通過控制基極電流來實現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)基極沒有輸入信號或輸入信號較小時，基極電流 IB=0（或很?。?，此時三極管工作在截止區(qū)，集電極電流 IC≈0，集電極與發(fā)射極之間的電壓近似等于電源電壓，三極管相當(dāng)于一個斷開的開關(guān)，電路處于截止?fàn)顟B(tài)；當(dāng)基極輸入足夠大的信號時，基極電流 IB 增大，使得集電極電流 IC 達(dá)到飽和值 ICS，此時三極管工作在飽和區(qū)，集電極與發(fā)射極之間的飽和壓降 VCE (sat) 很小（通常為 0.1-0.3V），三極管相當(dāng)于一個閉合的開關(guān)，電路處于導(dǎo)通狀態(tài)。三極管開關(guān)電路具有開關(guān)速度快、無機械磨損、壽命長等優(yōu)...

共基放大電路以基極接地，輸入信號加在 EB 間，輸出信號從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)，優(yōu)勢是頻率響應(yīng)好（上限截止頻率高），因基極接地減少了極間電容的影響，適合高頻信號放大；缺點是電流放大倍數(shù) < 1（Ai≈α