隨著電子技術(shù)發(fā)展，NPN 型小功率三極管向微型化、高集成化、低功耗方向發(fā)展，如 SOT-23 封裝進一步小型化為 SOT-323，功耗從幾百毫瓦降至幾十毫瓦。同時，部分場景下被替代：一是集成電路替代，如放大電路用運算放大器（如 LM358）替代分立三極管，簡化設計；二是 MOS 管替代，MOS 管（如 N 溝道增強型 MOS 管 IRLML2502）在開關(guān)電路中更具優(yōu)勢，導通電阻小、驅(qū)動電流低，適合低功耗場景；三是 GaN（氮化鎵）器件替代，在高頻、高壓場景（如快充電路）中，GaN 器件效率更高、散熱更好。但在簡單電路（如 LED 驅(qū)動、繼電器控制）中，NPN 型小功率三極管因成本低、易用性強...

反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù)，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開路時，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過此電壓，集電結(jié)會發(fā)生反向擊穿，導致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開路時，集電極與發(fā)射極之間的反向電壓，其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO，因為基極開路時，集電結(jié)的反向擊穿會通過基區(qū)影響發(fā)射結(jié)，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電...

PWM 調(diào)光電路通過改變?nèi)龢O管導通時間（占空比）調(diào)節(jié) LED 亮度，占空比范圍受三極管開關(guān)速度和 LED 響應時間限制。若占空比過低（如 95%），三極管導通時間過長，可能因 PC=IC×VCE 超過 PCM 導致過熱。例如 LED 工作電流 300mA，VCE=0.3V（飽和時），PC=90mW，選擇 PCM=200mW 的三極管（如 8050），占空比可設為 10%~90%，既避免閃爍，又確保功耗安全，同時 PWM 頻率需≥100Hz，超出人眼視覺暫留范圍。LC 振蕩電路頻率穩(wěn)定性靠 LC 回路 Q 值，Q 值高則穩(wěn)定性好。工業(yè)領(lǐng)域批量采購NPN型晶體三極管信噪比80dB常見故障有：一是...

靜態(tài)工作點是三極管放大電路的 重要參數(shù)，需通過偏置電路設置，確保三極管工作在放大區(qū)。常用的偏置方式有固定偏置和分壓式偏置：固定偏置通過基極電阻 RB 直接從電源取電，RB=(VCC-VBE)/IBQ，電路簡單但穩(wěn)定性差，適合負載固定、溫度變化小的場景；分壓式偏置（RB1、RB2 分壓）使 VB 穩(wěn)定（VB≈VCC×RB2/(RB1+RB2)），再通過發(fā)射極電阻 RE 抑制 IC 漂移，穩(wěn)定性遠優(yōu)于固定偏置，是多數(shù)放大電路的首要選擇。例如在音頻放大電路中，VCC=12V，若需 IBQ=20μA、VE=2V，可設 RB2=2kΩ（VB≈2.7V）、RB1=10kΩ、RE=100Ω，確保靜態(tài)工作點穩(wěn)...

共射放大電路是 NPN 型小功率管的經(jīng)典應用，發(fā)射極接地，輸入信號加在 BE 間，輸出信號從 CE 間取出。電路中，RB（基極偏置電阻）控制 IB，確定靜態(tài)工作點；RC（集電極負載電阻）將 IC 變化轉(zhuǎn)化為 VCE 變化，實現(xiàn)電壓放大。該電路的優(yōu)勢是電壓放大倍數(shù)高（Av=-βRC/ri，ri 為輸入電阻）、電流放大倍數(shù)大，缺點是輸入電阻小、輸出電阻大，輸出信號與輸入信號反相。例如在音頻前置放大電路中，用 9014 管組成共射電路，將麥克風輸出的 mV 級信號放大至 V 級，為后級功率放大提供信號源。電流放大系數(shù) β 隨頻率升高而降，特征頻率 fT 是 β=1 時的頻率。西南地區(qū)高速開關(guān)NPN型...

利用 NPN 型小功率三極管可制作簡易測試電路，如電池電量檢測器：三極管基極通過電阻接電池正極，發(fā)射極接 LED，集電極接地，當電池電壓高于閾值（VB=VBE+VLED≈0.7+2=2.7V）時，IB>0，三極管導通，LED 點亮；當電壓低于 2.7V 時，IB=0，LED 熄滅。例如檢測 1.5V 干電池，基極電阻 RB=(1.5-0.7)/10μA=80kΩ，當電池電壓≥0.7V 時，LED 點亮，直觀判斷電池是否有電。此外，還可制作 continuity 測試儀，通過三極管放大電流，使蜂鳴器發(fā)聲，檢測電路通斷。分壓式偏置穩(wěn)定性好，靠 RB1、RB2 分壓和 RE 抑制 IC 漂移，應用廣...

NPN 型小功率三極管的 重要價值在于電流放大，其原理基于載流子的定向運動與分配。當滿足導通偏置時，發(fā)射區(qū)大量自由電子注入基區(qū)，因基區(qū)薄且摻雜少，大部分自由電子（約 95% 以上）未與空穴復合，被集電結(jié)反向電場拉入集電區(qū)，形成集電極電流（IC）；少量自由電子（約 5% 以下）與基區(qū)空穴復合，需基極提供電流補充空穴，形成基極電流（IB）。此時 IC 與 IB 成固定比例，即電流放大系數(shù) β=IC/IB（小功率管 β 通常 20-200），微小的 IB 變化會引發(fā) IC 大幅變化，例如 IB 從 10μA 增至 20μA，β=100 時，IC 會從 1mA 增至 2mA，實現(xiàn)電流放大。直插封裝適合...

常見故障有：一是三極管燒毀，多因 IC 超過 ICM、PC 超過 PCM 或 VCE 超過 V (BR) CEO，排查時用萬用表測 CE 間電阻，若為 0Ω（短路）或無窮大（開路），說明燒毀，需更換參數(shù)匹配的三極管；二是放大能力下降，表現(xiàn)為輸出信號幅度減小，測 β 值若明顯低于標稱值，需更換三極管；三是開關(guān)失控，導通時 CE 壓降過大（未飽和），需增大 IB（減小 RB），截止時 IC 過大（漏電），需更換質(zhì)量合格的三極管；四是溫度漂移，IC 隨溫度升高而增大，需增加溫度補償電路（如在 RB 旁并聯(lián)負溫度系數(shù)熱敏電阻）。FM 收音機中頻放大用 fT≥100MHz 的管，如 2SC1815，避免...

NPN 型小功率晶體三極管是電子電路中常用的半導體器件，其 重要結(jié)構(gòu)由三層半導體材料構(gòu)成，分別為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)采用高摻雜的 N 型半導體，目的是提高載流子（自由電子）的濃度，便于后續(xù)載流子的發(fā)射；基區(qū)為 P 型半導體，其摻雜濃度低，而且物理厚度極薄，通常有幾微米到幾十微米，這種設計能讓發(fā)射區(qū)注入的載流子快速穿過基區(qū)，減少在基區(qū)的復合損耗；集電區(qū)同樣是 N 型半導體，面積比發(fā)射區(qū)大得多，主要作用是高效收集從基區(qū)過來的載流子。三個區(qū)域分別引出三個電極，對應發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C），電極的引出方式和位置會根據(jù)三極管的封裝形式有所差異，常見的封裝有 TO-92、SOT-23...

振蕩電路是一種無需外部輸入信號就能產(chǎn)生交流信號的電路，NPN 型小功率晶體三極管在振蕩電路中作為放大器件，為電路提供能量，以補償振蕩過程中的能量損耗，維持振蕩的持續(xù)進行。振蕩電路的工作需要滿足相位平衡條件和幅值平衡條件，相位平衡條件是指電路的總相移為 360°（或 0°），即反饋信號的相位與輸入信號的相位相同，形成正反饋；幅值平衡條件是指放大電路的放大倍數(shù)與反饋系數(shù)的乘積大于等于 1。常見的由 NPN 型小功率三極管組成的振蕩電路有 RC 橋式振蕩電路、LC 正弦波振蕩電路等。RC 橋式振蕩電路適用于低頻信號產(chǎn)生，輸出信號頻率由 RC 選頻網(wǎng)絡決定，常用于產(chǎn)生音頻范圍內(nèi)的正弦波信號，如函數(shù)信號...

繼電器線圈是感性負載，斷電時會產(chǎn)生反向電動勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負極，負極接線圈正極，當線圈斷電時，反向電動勢通過二極管形成回路，保護三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時，IC=100mA），既滿足驅(qū)動需求，又避免過載。5V 繼電器驅(qū)動，基極電阻選 4.3kΩ...

電流放大系數(shù)是 NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)之一，根據(jù)測量條件的不同，主要分為直流電流放大系數(shù)（β）和交流電流放大系數(shù)（βac）。直流電流放大系數(shù) β 是指在靜態(tài)工作點處，集電極直流電流（ICQ）與基極直流電流（IBQ）的比值，即 β=ICQ/IBQ，它反映了三極管在直流狀態(tài)下的電流放大能力；交流電流放大系數(shù) βac 則是指在動態(tài)情況下，集電極電流的變化量（ΔIC）與基極電流的變化量（ΔIB）的比值，即 βac=ΔIC/ΔIB，主要用于衡量三極管對交流信號的放大能力。對于小功率 NPN 型三極管，在電流放大區(qū)域內(nèi)，β 和 βac 的數(shù)值非常接近，通?？梢越普J為相等。需要注意的是，β 值并...

三極管的開關(guān)速度由導通時間（ton）和關(guān)斷時間（toff）決定，ton 是從 IB 加入到 IC 達到 90% IC (sat) 的時間，toff 是從 IB 撤銷到 IC 降至 10% IC (sat) 的時間，小功率 NPN 管的 ton 和 toff 通常在幾十到幾百 ns。開關(guān)速度影響電路的工作頻率，例如在 500kHz 的脈沖電路中，需選擇 ton+toff≤1μs 的三極管（如 MMBT3904，ton=25ns，toff=60ns），否則會出現(xiàn) “開關(guān)不完全”，導致 IC 波形拖尾，功耗增大。為加快開關(guān)速度，可在基極回路并聯(lián)加速電容，縮短載流子存儲時間。射極輸出器的輸出電阻低（通...

電流放大系數(shù) β 并非在所有頻率下都恒定，而是隨信號頻率升高而下降，這一特性用特征頻率 fT 描述，fT 是指 β 下降至 1 時的頻率，是衡量三極管高頻放大能力的關(guān)鍵參數(shù)。小功率 NPN 管的 fT 差異較大，低頻管（如 9014）fT 約 150MHz，高頻管（如 S9018）fT 可達 1GHz 以上。在實際應用中，需確保工作頻率遠低于 fT（通常為 fT 的 1/5~1/10），才能保證穩(wěn)定的放大效果。例如在 FM 收音機中頻放大電路（工作頻率 10.7MHz）中，選擇 fT≥100MHz 的三極管（如 2SC1815，fT=110MHz），可避免因 β 下降導致的放大倍數(shù)不足。三極管...

集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）是 NPN 型小功率晶體三極管保障電路安全的耐壓參數(shù)，直接決定三極管在電路中的電壓耐受上限。其定義為基極開路狀態(tài)下，集電極（C）與發(fā)射極（E）之間能夠承受的高反向電壓，一旦電路中 CE 間實際電壓超過該值，集電結(jié)會發(fā)生反向擊穿，導致集電極電流（IC）急劇增大，輕則引發(fā)三極管參數(shù)漂移，重則直接燒毀器件。在小功率 NPN 管范疇內(nèi)，V (BR) CEO 的數(shù)值范圍通常為 15V-60V，不同型號差異明顯，例如低頻放大常用的 9015 管，V (BR) CEO 可達 45V，適用于中低壓電路；而高頻的 S9018 管，因結(jié)構(gòu)設計側(cè)重高頻性能，V ...

NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)對溫度變化非常敏感，溫度的變化會影響其性能。首先，溫度升高時，基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 會減小，通常溫度每升高 1℃，VBE 約減小 2-2.5mV，這會導致基極電流 IB 增大，進而使集電極電流 IC 增大，可能導致電路靜態(tài)工作點漂移；其次，溫度升高會使電流放大系數(shù) β 增大，一般溫度每升高 10℃，β 值約增大 10%-20%，β 值的增大同樣會使 IC 增大，加劇工作點的不穩(wěn)定；另外，溫度升高還會使集電極反向飽和電流 ICBO 增大，ICBO 是指發(fā)射極開路時，集電極與基極之間的反向電流，由于 ICBO 具有正溫度系數(shù)，溫度每升高 10℃，ICBO 約...

選型需結(jié)合電路需求綜合判斷：一是確定參數(shù)匹配，ICM≥電路*大 IC 的 1.2 倍，PCM≥電路*大 PC 的 1.2 倍，V (BR) CEO≥電路*大電壓的 1.2 倍，β 根據(jù)放大需求選擇（放大電路選 β=50-100，開關(guān)電路選 β=20-50）；二是考慮封裝形式，直插電路選 TO-92，貼片電路選 SOT-23；三是關(guān)注溫度適應性，高溫環(huán)境（如工業(yè)控制）選耐高溫型號（結(jié)溫≥175℃），低溫環(huán)境（如戶外設備）選耐低溫型號（工作溫度≤-40℃）；四是優(yōu)先選常用型號，性價比高且易采購，特殊需求（如高頻）選型號（如 S9018）。繼電器驅(qū)動電路中，需并續(xù)流二極管防線圈反向電動勢擊穿三極管。...

在電磁干擾（EMI）嚴重的環(huán)境（如工業(yè)車間、射頻設備附近），NPN 型小功率三極管電路需采取抗干擾措施：一是在電源端并聯(lián)去耦電容（0.1μF 陶瓷電容 + 10μF 電解電容），抑制電源噪聲；二是在基極串聯(lián)小電阻（100Ω~1kΩ），限制高頻干擾電流；三是采用屏蔽罩，隔離外部射頻干擾；四是優(yōu)化 PCB 布局，使輸入線與輸出線分開，避免交叉干擾。例如在汽車電子中的三極管驅(qū)動電路，電源端并聯(lián) 0.1μF 陶瓷電容和 47μF 電解電容，基極串聯(lián) 220Ω 電阻，PCB 上輸入回路與輸出回路垂直布局，有效降低發(fā)動機點火系統(tǒng)產(chǎn)生的 EMI 干擾。低頻管如 9014，fT 約 150MHz；高頻管如 S...

PWM 調(diào)光電路通過改變?nèi)龢O管導通時間（占空比）調(diào)節(jié) LED 亮度，占空比范圍受三極管開關(guān)速度和 LED 響應時間限制。若占空比過低（如 95%），三極管導通時間過長，可能因 PC=IC×VCE 超過 PCM 導致過熱。例如 LED 工作電流 300mA，VCE=0.3V（飽和時），PC=90mW，選擇 PCM=200mW 的三極管（如 8050），占空比可設為 10%~90%，既避免閃爍，又確保功耗安全，同時 PWM 頻率需≥100Hz，超出人眼視覺暫留范圍。直接耦合無電容，適合低頻和直流，易集成但有零點漂移。華東地區(qū)高頻NPN型晶體三極管信噪比80dB電流放大系數(shù)是 NPN 型小功率晶體...

隨著電子技術(shù)發(fā)展，NPN 型小功率三極管向微型化、高集成化、低功耗方向發(fā)展，如 SOT-23 封裝進一步小型化為 SOT-323，功耗從幾百毫瓦降至幾十毫瓦。同時，部分場景下被替代：一是集成電路替代，如放大電路用運算放大器（如 LM358）替代分立三極管，簡化設計；二是 MOS 管替代，MOS 管（如 N 溝道增強型 MOS 管 IRLML2502）在開關(guān)電路中更具優(yōu)勢，導通電阻小、驅(qū)動電流低，適合低功耗場景；三是 GaN（氮化鎵）器件替代，在高頻、高壓場景（如快充電路）中，GaN 器件效率更高、散熱更好。但在簡單電路（如 LED 驅(qū)動、繼電器控制）中，NPN 型小功率三極管因成本低、易用性強...

繼電器線圈是感性負載，斷電時會產(chǎn)生反向電動勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負極，負極接線圈正極，當線圈斷電時，反向電動勢通過二極管形成回路，保護三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時，IC=100mA），既滿足驅(qū)動需求，又避免過載。用它可做電池電量檢測器，電壓達標時 LE...

在實際電路設計中，選擇合適的 NPN 型小功率晶體三極管需要綜合考慮多方面因素，確保所選三極管能夠滿足電路的性能要求。首先，根據(jù)電路的工作電流確定集電極最大允許電流 ICM，必須保證電路中集電極的最大工作電流小于 ICM；其次，根據(jù)電路的工作電壓確定反向擊穿電壓，特別是集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓 V (BR) CEO，要確保電路中的電源電壓和動態(tài)電壓峰值不超過 V (BR) CEO；然后，根據(jù)電路的功耗要求確定集電極最大允許功耗 PCM，通過計算三極管的實際功耗（PC=IC×VCE），確保 PC 小于 PCM，必要時可考慮加裝散熱片；另外，根據(jù)電路的放大需求選擇合適的電流放大系數(shù) β，對于...

電流放大系數(shù)是 NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)之一，根據(jù)測量條件的不同，主要分為直流電流放大系數(shù)（β）和交流電流放大系數(shù)（βac）。直流電流放大系數(shù) β 是指在靜態(tài)工作點處，集電極直流電流（ICQ）與基極直流電流（IBQ）的比值，即 β=ICQ/IBQ，它反映了三極管在直流狀態(tài)下的電流放大能力；交流電流放大系數(shù) βac 則是指在動態(tài)情況下，集電極電流的變化量（ΔIC）與基極電流的變化量（ΔIB）的比值，即 βac=ΔIC/ΔIB，主要用于衡量三極管對交流信號的放大能力。對于小功率 NPN 型三極管，在電流放大區(qū)域內(nèi)，β 和 βac 的數(shù)值非常接近，通?？梢越普J為相等。需要注意的是，β 值并...

繼電器線圈是感性負載，斷電時會產(chǎn)生反向電動勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負極，負極接線圈正極，當線圈斷電時，反向電動勢通過二極管形成回路，保護三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時，IC=100mA），既滿足驅(qū)動需求，又避免過載?；鶚O并加速電容，可縮短載流子存儲時間，加...

電流放大系數(shù) β 并非在所有頻率下都恒定，而是隨信號頻率升高而下降，這一特性用特征頻率 fT 描述，fT 是指 β 下降至 1 時的頻率，是衡量三極管高頻放大能力的關(guān)鍵參數(shù)。小功率 NPN 管的 fT 差異較大，低頻管（如 9014）fT 約 150MHz，高頻管（如 S9018）fT 可達 1GHz 以上。在實際應用中，需確保工作頻率遠低于 fT（通常為 fT 的 1/5~1/10），才能保證穩(wěn)定的放大效果。例如在 FM 收音機中頻放大電路（工作頻率 10.7MHz）中，選擇 fT≥100MHz 的三極管（如 2SC1815，fT=110MHz），可避免因 β 下降導致的放大倍數(shù)不足。固定偏...

共基放大電路以基極接地，輸入信號加在 EB 間，輸出信號從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)，優(yōu)勢是頻率響應好（上限截止頻率高），因基極接地減少了極間電容的影響，適合高頻信號放大；缺點是電流放大倍數(shù) < 1（Ai≈α

針對三極管參數(shù)隨溫度漂移的問題，可采用 NPN 管自身組成溫度補償電路，常見的有 diode 補償和三極管補償。diode 補償是將二極管與基極串聯(lián)，二極管正向壓降隨溫度變化與 VBE 一致（每升高 1℃，均下降 2-2.5mV），抵消 VBE 的漂移；三極管補償是用另一支同型號三極管的發(fā)射結(jié)與原三極管發(fā)射結(jié)并聯(lián)，利用兩只管子參數(shù)的一致性，使溫度漂移相互抵消。例如在共射放大電路中，基極串聯(lián) 1N4148 二極管，當溫度升高 10℃，VBE 下降 25mV，二極管正向壓降也下降 25mV，確保 IB 基本不變，IC 穩(wěn)定。再測反向截止性，反向應顯示 “OL”，否則 PN 結(jié)漏電。工業(yè)領(lǐng)域特殊封裝...

貼片封裝（如 SOT-23、SOT-323）與直插封裝（TO-92）的 重要參數(shù)（ICM、PCM、β）相近，但散熱性能和安裝密度不同：直插封裝引腳長，散熱路徑長，PCM 通常略低（如 TO-92 封裝的 9013，PCM=625mW）；貼片封裝緊貼 PCB，可通過 PCB 銅箔散熱，PCM 可提升 10%~20%（如 SOT-23 封裝的 MMBT9013，PCM=700mW），且安裝密度高，適合小型化設備（如手機、智能手環(huán)）。直插封裝則適合手工焊接和高溫環(huán)境（引腳散熱好），如工業(yè)控制設備中的繼電器驅(qū)動電路，便于維修更換。溫度升高 1℃，VBE 下降 2-2.5mV，二極管正向壓降也同幅下降。...

ICEO 是基極開路時集電極 - 發(fā)射極反向電流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大，ICEO 的溫度敏感性極強，會導致電路靜態(tài)電流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是選擇 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 遠小于鍺管；二是在基極與地之間接泄放電阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，減小 ICEO 對 IC 的影響；三是采用分壓式偏置電路，通過 RE 的負反饋穩(wěn)定 IC。例如在高精度電流源電路中，基極接 100kΩ 泄放電阻，當 ICEO=10μA（β=100）時，IB=0.1μA，對 IC 的影響可忽略不計，確保電流源輸出穩(wěn)定。選 ICBO...

共集放大電路又稱射極輸出器，在該電路中，集電極作為公共電極，輸入信號加在基極和集電極之間，輸出信號從發(fā)射極和集電極之間取出。NPN 型小功率三極管在共集放大電路中同樣工作在放大區(qū)，其 重要特點是電壓放大倍數(shù)小于 1 且近似等于 1，輸出電壓與輸入電壓同相位，即輸出電壓跟隨輸入電壓變化，因此也被稱為電壓跟隨器。雖然共集放大電路的電壓放大能力較弱，但它具有輸入電阻高、輸出電阻低的優(yōu)點，輸入電阻高可以減小信號源的負載效應，輸出電阻低則可以提高電路的帶負載能力，能夠驅(qū)動阻抗較低的負載?；谶@些特點，共集放大電路常用于多級放大電路的輸入級、輸出級或中間隔離級，例如在測量儀器的輸入電路中，采用共集放大電路...