電流放大系數(shù)是 NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)之一，根據(jù)測(cè)量條件的不同，主要分為直流電流放大系數(shù)（β）和交流電流放大系數(shù)（βac）。直流電流放大系數(shù) β 是指在靜態(tài)工作點(diǎn)處，集電極直流電流（ICQ）與基極直流電流（IBQ）的比值，即 β=ICQ/IBQ，它反映了三極管在直流狀態(tài)下的電流放大能力；交流電流放大系數(shù) βac 則是指在動(dòng)態(tài)情況下，集電極電流的變化量（ΔIC）與基極電流的變化量（ΔIB）的比值，即 βac=ΔIC/ΔIB，主要用于衡量三極管對(duì)交流信號(hào)的放大能力。對(duì)于小功率 NPN 型三極管，在電流放大區(qū)域內(nèi)，β 和 βac 的數(shù)值非常接近，通?？梢越普J(rèn)為相等。需要注意的是，β 值并...

NPN 型小功率晶體三極管的 重要半導(dǎo)體材料多為硅，少數(shù)特殊場(chǎng)景用鍺。硅材料的優(yōu)勢(shì)在于禁帶寬度約 1.1eV，常溫下反向漏電流遠(yuǎn)小于鍺管，穩(wěn)定性更強(qiáng)，這也是硅管成為主流的關(guān)鍵原因。例如常用的 901 系列、8050 系列均為硅管，在 25℃環(huán)境下，ICBO（集電極 - 基極反向飽和電流）通常小于 10nA；而鍺管 ICBO 可達(dá)數(shù) μA，在對(duì)成本極端敏感且工作電流極小的簡(jiǎn)易電路（如老式礦石收音機(jī)）中應(yīng)用。此外，硅管的溫度耐受范圍更廣（-55℃~150℃），能適配多數(shù)民用電子設(shè)備的工作環(huán)境，鍺管則因溫度穩(wěn)定性差，逐漸被硅管取代。電流放大系數(shù) β 隨頻率升高而降，特征頻率 fT 是 β=1 時(shí)的頻...

集電極最大允許功耗 PCM 是指 NPN 型小功率晶體三極管在工作過程中，集電結(jié)所能承受的最大功耗，它是由三極管的結(jié)溫上限決定的。三極管工作時(shí)，集電結(jié)會(huì)產(chǎn)生功率損耗，這些損耗會(huì)轉(zhuǎn)化為熱量，導(dǎo)致結(jié)溫升高，當(dāng)結(jié)溫超過上限值時(shí)，三極管會(huì)因過熱而損壞。PCM 的計(jì)算公式為 PCM = IC × VCE，即集電極電流與集電極 - 發(fā)射極電壓的乘積。小功率 NPN 型三極管的 PCM 通常較小，一般在幾十毫瓦到幾百毫瓦之間，例如 9012 三極管的 PCM 約為 625mW，8050 三極管的 PCM 約為 1W。在電路設(shè)計(jì)中，必須確保三極管的實(shí)際功耗 PC = IC × VCE 小于 PCM，為了降低三...

NPN 型小功率三極管是電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)的 重要器件，典型實(shí)驗(yàn)包括：一是三極管放大特性實(shí)驗(yàn)，通過改變 IB 測(cè)量 IC，繪制 β 曲線，理解電流放大原理；二是共射放大電路實(shí)驗(yàn)，測(cè)量電壓放大倍數(shù)、輸入輸出電阻，觀察失真現(xiàn)象；三是開關(guān)特性實(shí)驗(yàn)，用脈沖信號(hào)控制三極管導(dǎo)通 / 截止，測(cè)量開關(guān)時(shí)間；四是振蕩電路實(shí)驗(yàn)，組裝 RC 或 LC 振蕩電路，觀察振蕩波形，理解起振條件。這些實(shí)驗(yàn)幫助學(xué)生直觀掌握三極管工作原理，為后續(xù)復(fù)雜電路學(xué)習(xí)奠定基礎(chǔ)，例如在放大特性實(shí)驗(yàn)中，用 9014 管，改變 RB 從 100kΩ 至 200kΩ，測(cè)量 IB 從 43μA 至 21μA，IC 從 4.3mA 至 2.1mA，計(jì)算 ...

正確識(shí)別引腳是三極管應(yīng)用的前提，常用方法有：一是看封裝標(biāo)識(shí)，TO-92 封裝管（如 9013），引腳朝下、標(biāo)識(shí)面向自己，從左至右依次為 E、B、C；SOT-23 封裝管（如 MMBT3904），引腳朝下、缺口朝左，從左至右依次為 E、B、C（部分型號(hào)順序不同，需查手冊(cè)）。二是用萬用表檢測(cè)，將萬用表調(diào)至 “二極管檔”，紅表筆接 B，黑表筆接 E，顯示壓降 0.6-0.7V（正向?qū)ǎ?；黑表筆接 C，紅表筆接 B，顯示壓降 0.6-0.7V（正向?qū)ǎ黄渌_組合顯示 “OL”（反向截止），據(jù)此區(qū)分 B、E、C。RC 振蕩電路起振需 AF≥1，A 為放大倍數(shù)，F(xiàn) 為反饋系數(shù)。科研領(lǐng)域高精度NPN...

要使 NPN 型小功率晶體三極管正常工作，必須滿足特定的偏置條件，即發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置是指在基極和發(fā)射極之間施加正向電壓，對(duì)于硅材料的三極管，這個(gè)正向電壓通常在 0.6-0.7V 左右，此時(shí)發(fā)射區(qū)的自由電子在正向電場(chǎng)的作用下，會(huì)大量越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置則是在基極和集電極之間施加反向電壓，該電壓值通常比發(fā)射結(jié)正向電壓大得多，反向電場(chǎng)會(huì)阻止基區(qū)的空穴向集電區(qū)移動(dòng)，同時(shí)能將基區(qū)中未與空穴復(fù)合的自由電子 “拉” 向集電區(qū)。當(dāng)滿足這兩個(gè)偏置條件時(shí)，三極管內(nèi)部會(huì)形成較大的集電極電流，且集電極電流會(huì)隨著基極電流的微小變化而發(fā)生明顯變化，從而實(shí)現(xiàn)電流放大功能。靜態(tài)工作...

NPN 型小功率三極管存在三個(gè)極間電容：發(fā)射結(jié)電容 Cbe、集電結(jié)電容 Cbc 和集電極 - 發(fā)射極電容 Cce，這些電容會(huì)影響三極管的高頻性能。Cbe 主要由發(fā)射結(jié)的勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容組成，通常在幾十到幾百 pF；Cbc 數(shù)值較小（幾到幾十 pF），但因跨接在輸入與輸出端，會(huì)形成密勒效應(yīng)，大幅降低電路的上限截止頻率；Cce 一般在幾 pF，對(duì)高頻影響相對(duì)較小。例如在 10MHz 以上的高頻電路中，若三極管 Cbc=10pF，密勒效應(yīng)會(huì)使等效輸入電容增至數(shù)百 pF，導(dǎo)致信號(hào)嚴(yán)重衰減，因此高頻應(yīng)用需選擇 Cbc 小的型號(hào)，如 S9018（Cbc≈2pF）。簡(jiǎn)易通斷測(cè)試儀中，它放大電流使蜂鳴器發(fā)聲...

針對(duì)三極管參數(shù)隨溫度漂移的問題，可采用 NPN 管自身組成溫度補(bǔ)償電路，常見的有 diode 補(bǔ)償和三極管補(bǔ)償。diode 補(bǔ)償是將二極管與基極串聯(lián)，二極管正向壓降隨溫度變化與 VBE 一致（每升高 1℃，均下降 2-2.5mV），抵消 VBE 的漂移；三極管補(bǔ)償是用另一支同型號(hào)三極管的發(fā)射結(jié)與原三極管發(fā)射結(jié)并聯(lián)，利用兩只管子參數(shù)的一致性，使溫度漂移相互抵消。例如在共射放大電路中，基極串聯(lián) 1N4148 二極管，當(dāng)溫度升高 10℃，VBE 下降 25mV，二極管正向壓降也下降 25mV，確保 IB 基本不變，IC 穩(wěn)定。檢測(cè)三極管好壞，先測(cè) PN 結(jié)正向?qū)ㄐ裕９韫軌航?0.6-0.7V。...

共基放大電路以基極接地，輸入信號(hào)加在 EB 間，輸出信號(hào)從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)，優(yōu)勢(shì)是頻率響應(yīng)好（上限截止頻率高），因基極接地減少了極間電容的影響，適合高頻信號(hào)放大；缺點(diǎn)是電流放大倍數(shù) < 1（Ai≈α

NPN 型小功率晶體三極管是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，其 重要結(jié)構(gòu)由三層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，分別為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)采用高摻雜的 N 型半導(dǎo)體，目的是提高載流子（自由電子）的濃度，便于后續(xù)載流子的發(fā)射；基區(qū)為 P 型半導(dǎo)體，其摻雜濃度低，而且物理厚度極薄，通常有幾微米到幾十微米，這種設(shè)計(jì)能讓發(fā)射區(qū)注入的載流子快速穿過基區(qū)，減少在基區(qū)的復(fù)合損耗；集電區(qū)同樣是 N 型半導(dǎo)體，面積比發(fā)射區(qū)大得多，主要作用是高效收集從基區(qū)過來的載流子。三個(gè)區(qū)域分別引出三個(gè)電極，對(duì)應(yīng)發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C），電極的引出方式和位置會(huì)根據(jù)三極管的封裝形式有所差異，常見的封裝有 TO-92、SOT-23...

NPN 型小功率晶體三極管以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)， 關(guān)鍵是 “三層兩結(jié)” 結(jié)構(gòu)：自上而下（或自左至右）依次為 N 型發(fā)射區(qū)、P 型基區(qū)、N 型集電區(qū)，相鄰區(qū)域形成發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。發(fā)射區(qū)采用高摻雜工藝，提升自由電子濃度，便于載流子發(fā)射；基區(qū)摻雜濃度低且厚度極薄（幾微米），減少載流子在基區(qū)的復(fù)合損耗；集電區(qū)面積遠(yuǎn)大于發(fā)射區(qū)，增強(qiáng)載流子收集能力。三個(gè)區(qū)域分別引出電極：發(fā)射極（E）、基極（B）、集電極（C），常見 TO-92（塑封直插）、SOT-23（貼片）等封裝，封裝不僅保護(hù)內(nèi)部結(jié)構(gòu)，還通過引腳實(shí)現(xiàn)電路連接，適配不同安裝場(chǎng)景。手機(jī)等小型設(shè)備用貼片三極管，高安裝密度適配設(shè)備小型化。西南地區(qū)高速開關(guān)NPN型...

貼片封裝（如 SOT-23、SOT-323）與直插封裝（TO-92）的 重要參數(shù)（ICM、PCM、β）相近，但散熱性能和安裝密度不同：直插封裝引腳長(zhǎng)，散熱路徑長(zhǎng)，PCM 通常略低（如 TO-92 封裝的 9013，PCM=625mW）；貼片封裝緊貼 PCB，可通過 PCB 銅箔散熱，PCM 可提升 10%~20%（如 SOT-23 封裝的 MMBT9013，PCM=700mW），且安裝密度高，適合小型化設(shè)備（如手機(jī)、智能手環(huán)）。直插封裝則適合手工焊接和高溫環(huán)境（引腳散熱好），如工業(yè)控制設(shè)備中的繼電器驅(qū)動(dòng)電路，便于維修更換。共射電路有截止失真，因靜態(tài)工作點(diǎn)低，可減小 RB 或提高 VCC 避免。...

常見故障有：一是三極管燒毀，多因 IC 超過 ICM、PC 超過 PCM 或 VCE 超過 V (BR) CEO，排查時(shí)用萬用表測(cè) CE 間電阻，若為 0Ω（短路）或無窮大（開路），說明燒毀，需更換參數(shù)匹配的三極管；二是放大能力下降，表現(xiàn)為輸出信號(hào)幅度減小，測(cè) β 值若明顯低于標(biāo)稱值，需更換三極管；三是開關(guān)失控，導(dǎo)通時(shí) CE 壓降過大（未飽和），需增大 IB（減小 RB），截止時(shí) IC 過大（漏電），需更換質(zhì)量合格的三極管；四是溫度漂移，IC 隨溫度升高而增大，需增加溫度補(bǔ)償電路（如在 RB 旁并聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻）。8050 管 ICM=1A，PCM=1W，降額后 IC≤800mA，PC≤...

選型需結(jié)合電路需求綜合判斷：一是確定參數(shù)匹配，ICM≥電路*大 IC 的 1.2 倍，PCM≥電路*大 PC 的 1.2 倍，V (BR) CEO≥電路*大電壓的 1.2 倍，β 根據(jù)放大需求選擇（放大電路選 β=50-100，開關(guān)電路選 β=20-50）；二是考慮封裝形式，直插電路選 TO-92，貼片電路選 SOT-23；三是關(guān)注溫度適應(yīng)性，高溫環(huán)境（如工業(yè)控制）選耐高溫型號(hào)（結(jié)溫≥175℃），低溫環(huán)境（如戶外設(shè)備）選耐低溫型號(hào)（工作溫度≤-40℃）；四是優(yōu)先選常用型號(hào)，性價(jià)比高且易采購(gòu)，特殊需求（如高頻）選型號(hào)（如 S9018）。檢測(cè)三極管好壞，先測(cè) PN 結(jié)正向?qū)ㄐ裕９韫軌航?0....

電流放大系數(shù) β 并非在所有頻率下都恒定，而是隨信號(hào)頻率升高而下降，這一特性用特征頻率 fT 描述，fT 是指 β 下降至 1 時(shí)的頻率，是衡量三極管高頻放大能力的關(guān)鍵參數(shù)。小功率 NPN 管的 fT 差異較大，低頻管（如 9014）fT 約 150MHz，高頻管（如 S9018）fT 可達(dá) 1GHz 以上。在實(shí)際應(yīng)用中，需確保工作頻率遠(yuǎn)低于 fT（通常為 fT 的 1/5~1/10），才能保證穩(wěn)定的放大效果。例如在 FM 收音機(jī)中頻放大電路（工作頻率 10.7MHz）中，選擇 fT≥100MHz 的三極管（如 2SC1815，fT=110MHz），可避免因 β 下降導(dǎo)致的放大倍數(shù)不足。電源端...

繼電器線圈是感性負(fù)載，斷電時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負(fù)極，負(fù)極接線圈正極，當(dāng)線圈斷電時(shí)，反向電動(dòng)勢(shì)通過二極管形成回路，保護(hù)三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導(dǎo)致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動(dòng)，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時(shí)，IC=100mA），既滿足驅(qū)動(dòng)需求，又避免過載。射極輸出器輸出電阻低，需與低阻抗負(fù)載匹配...

ICEO 是基極開路時(shí)集電極 - 發(fā)射極反向電流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大，ICEO 的溫度敏感性極強(qiáng)，會(huì)導(dǎo)致電路靜態(tài)電流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是選擇 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 遠(yuǎn)小于鍺管；二是在基極與地之間接泄放電阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，減小 ICEO 對(duì) IC 的影響；三是采用分壓式偏置電路，通過 RE 的負(fù)反饋穩(wěn)定 IC。例如在高精度電流源電路中，基極接 100kΩ 泄放電阻，當(dāng) ICEO=10μA（β=100）時(shí)，IB=0.1μA，對(duì) IC 的影響可忽略不計(jì)，確保電流源輸出穩(wěn)定。分壓式偏置穩(wěn)...

NPN 型小功率三極管存在三個(gè)極間電容：發(fā)射結(jié)電容 Cbe、集電結(jié)電容 Cbc 和集電極 - 發(fā)射極電容 Cce，這些電容會(huì)影響三極管的高頻性能。Cbe 主要由發(fā)射結(jié)的勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容組成，通常在幾十到幾百 pF；Cbc 數(shù)值較小（幾到幾十 pF），但因跨接在輸入與輸出端，會(huì)形成密勒效應(yīng)，大幅降低電路的上限截止頻率；Cce 一般在幾 pF，對(duì)高頻影響相對(duì)較小。例如在 10MHz 以上的高頻電路中，若三極管 Cbc=10pF，密勒效應(yīng)會(huì)使等效輸入電容增至數(shù)百 pF，導(dǎo)致信號(hào)嚴(yán)重衰減，因此高頻應(yīng)用需選擇 Cbc 小的型號(hào)，如 S9018（Cbc≈2pF）。再測(cè)反向截止性，反向應(yīng)顯示 “OL”，否...

繼電器線圈是感性負(fù)載，斷電時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負(fù)極，負(fù)極接線圈正極，當(dāng)線圈斷電時(shí)，反向電動(dòng)勢(shì)通過二極管形成回路，保護(hù)三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導(dǎo)致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動(dòng)，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時(shí)，IC=100mA），既滿足驅(qū)動(dòng)需求，又避免過載。放大能力下降表現(xiàn)為輸出幅度減，多因 β ...

共集放大電路又稱射極輸出器，在該電路中，集電極作為公共電極，輸入信號(hào)加在基極和集電極之間，輸出信號(hào)從發(fā)射極和集電極之間取出。NPN 型小功率三極管在共集放大電路中同樣工作在放大區(qū)，其 重要特點(diǎn)是電壓放大倍數(shù)小于 1 且近似等于 1，輸出電壓與輸入電壓同相位，即輸出電壓跟隨輸入電壓變化，因此也被稱為電壓跟隨器。雖然共集放大電路的電壓放大能力較弱，但它具有輸入電阻高、輸出電阻低的優(yōu)點(diǎn)，輸入電阻高可以減小信號(hào)源的負(fù)載效應(yīng)，輸出電阻低則可以提高電路的帶負(fù)載能力，能夠驅(qū)動(dòng)阻抗較低的負(fù)載。基于這些特點(diǎn)，共集放大電路常用于多級(jí)放大電路的輸入級(jí)、輸出級(jí)或中間隔離級(jí)，例如在測(cè)量?jī)x器的輸入電路中，采用共集放大電路...

NPN 型小功率晶體三極管的輸出特性曲線是以基極電流（IB）為參變量，描述集電極電流（IC）與集電極 - 發(fā)射極電壓（VCE）之間關(guān)系的一族曲線。輸出特性曲線通常分為三個(gè)區(qū)域：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是指 IB=0 時(shí)的區(qū)域，此時(shí) IC 很小，近似為零，三極管相當(dāng)于開路，一般當(dāng) VBE 小于死區(qū)電壓時(shí)，三極管工作在截止區(qū)；放大區(qū)的特點(diǎn)是 IC 基本不隨 VCE 的變化而變化，與 IB 成正比，即 IC=βIB，此時(shí)三極管具有穩(wěn)定的電流放大能力，是放大電路中三極管的主要工作區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置；飽和區(qū)是指當(dāng) VCE 較小時(shí)，IC 不再隨 IB 的增大而線性增大，...

常見故障有：一是三極管燒毀，多因 IC 超過 ICM、PC 超過 PCM 或 VCE 超過 V (BR) CEO，排查時(shí)用萬用表測(cè) CE 間電阻，若為 0Ω（短路）或無窮大（開路），說明燒毀，需更換參數(shù)匹配的三極管；二是放大能力下降，表現(xiàn)為輸出信號(hào)幅度減小，測(cè) β 值若明顯低于標(biāo)稱值，需更換三極管；三是開關(guān)失控，導(dǎo)通時(shí) CE 壓降過大（未飽和），需增大 IB（減小 RB），截止時(shí) IC 過大（漏電），需更換質(zhì)量合格的三極管；四是溫度漂移，IC 隨溫度升高而增大，需增加溫度補(bǔ)償電路（如在 RB 旁并聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻）。靜態(tài)工作點(diǎn)需通過偏置電路設(shè)置，確保三極管工作在放大區(qū)。線上渠道高可靠性NP...

共集放大電路（射極輸出器）以集電極接地，輸入信號(hào)加在 BC 間，輸出信號(hào)從 BE 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)， 重要特點(diǎn)是電壓放大倍數(shù)≈1（Av0，三極管導(dǎo)通，LED 點(diǎn)亮；當(dāng)電壓低于 2.7V 時(shí)，IB=0，LED 熄滅。例如檢測(cè) 1.5V 干電池，基極電阻 RB=(1.5-0.7)/10μA=80kΩ，當(dāng)電池電壓≥0.7V 時(shí)，LED 點(diǎn)亮，直觀判斷電池是否有電。此外，還可制作 continuity 測(cè)試儀，通過三極管放大電流，使蜂鳴器發(fā)聲，檢測(cè)電路通斷。5V 繼電器驅(qū)動(dòng)，基極電阻選 4.3kΩ，確保 IB=1mA，滿足驅(qū)動(dòng)需求。共基放大電路以基極接地，輸入信號(hào)加在 ...

在電磁干擾（EMI）嚴(yán)重的環(huán)境（如工業(yè)車間、射頻設(shè)備附近），NPN 型小功率三極管電路需采取抗干擾措施：一是在電源端并聯(lián)去耦電容（0.1μF 陶瓷電容 + 10μF 電解電容），抑制電源噪聲；二是在基極串聯(lián)小電阻（100Ω~1kΩ），限制高頻干擾電流；三是采用屏蔽罩，隔離外部射頻干擾；四是優(yōu)化 PCB 布局，使輸入線與輸出線分開，避免交叉干擾。例如在汽車電子中的三極管驅(qū)動(dòng)電路，電源端并聯(lián) 0.1μF 陶瓷電容和 47μF 電解電容，基極串聯(lián) 220Ω 電阻，PCB 上輸入回路與輸出回路垂直布局，有效降低發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火系統(tǒng)產(chǎn)生的 EMI 干擾。RC 振蕩電路起振需 AF≥1，A 為放大倍數(shù)，F(xiàn) 為反...

LC 振蕩電路的頻率穩(wěn)定性由 LC 諧振回路的 Q 值決定，Q 值越高，頻率穩(wěn)定性越好。小功率 NPN 管的極間電容（尤其是 Cbc）會(huì)影響 LC 回路的等效電容，導(dǎo)致頻率漂移，解決方法是選擇 Cbc 小的高頻三極管（如 2SC3355），并在三極管與 LC 回路間加入隔離電路（如共基電路），減少極間電容對(duì)回路的影響。此外，采用溫度系數(shù)小的電容（如云母電容）和電感（如密封電感），可進(jìn)一步降低溫度變化對(duì)頻率的影響。例如在 27MHz 的無線話筒振蕩電路中，用 Cbc=1.5pF 的 2SC3355 管，配合云母電容（溫度系數(shù) ±50ppm/℃），頻率漂移可控制在 ±1kHz 以內(nèi)。它有三個(gè)極間電...

在正常工作狀態(tài)下，NPN 型小功率晶體三極管的三個(gè)電極電流之間存在嚴(yán)格的分配關(guān)系，遵循基爾霍夫電流定律。具體來說，發(fā)射極電流（IE）等于基極電流（IB）與集電極電流（IC）之和，即 IE = IB + IC。在電流放大區(qū)域，集電極電流與基極電流的比值基本保持恒定，這個(gè)比值被稱為電流放大系數(shù)（β），表達(dá)式為 β = IC / IB，β 值是衡量三極管電流放大能力的重要參數(shù)，小功率 NPN 型三極管的 β 值通常在 20-200 之間，部分高 β 值型號(hào)可達(dá)到 300 以上。由于 β 值遠(yuǎn)大于 1，所以集電極電流遠(yuǎn)大于基極電流，而發(fā)射極電流則略大于集電極電流。這種電流分配關(guān)系是三極管實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的...

NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)對(duì)溫度變化非常敏感，溫度的變化會(huì)影響其性能。首先，溫度升高時(shí)，基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 會(huì)減小，通常溫度每升高 1℃，VBE 約減小 2-2.5mV，這會(huì)導(dǎo)致基極電流 IB 增大，進(jìn)而使集電極電流 IC 增大，可能導(dǎo)致電路靜態(tài)工作點(diǎn)漂移；其次，溫度升高會(huì)使電流放大系數(shù) β 增大，一般溫度每升高 10℃，β 值約增大 10%-20%，β 值的增大同樣會(huì)使 IC 增大，加劇工作點(diǎn)的不穩(wěn)定；另外，溫度升高還會(huì)使集電極反向飽和電流 ICBO 增大，ICBO 是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間的反向電流，由于 ICBO 具有正溫度系數(shù)，溫度每升高 10℃，ICBO 約...

NPN 型小功率晶體三極管以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)， 關(guān)鍵是 “三層兩結(jié)” 結(jié)構(gòu)：自上而下（或自左至右）依次為 N 型發(fā)射區(qū)、P 型基區(qū)、N 型集電區(qū)，相鄰區(qū)域形成發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。發(fā)射區(qū)采用高摻雜工藝，提升自由電子濃度，便于載流子發(fā)射；基區(qū)摻雜濃度低且厚度極薄（幾微米），減少載流子在基區(qū)的復(fù)合損耗；集電區(qū)面積遠(yuǎn)大于發(fā)射區(qū)，增強(qiáng)載流子收集能力。三個(gè)區(qū)域分別引出電極：發(fā)射極（E）、基極（B）、集電極（C），常見 TO-92（塑封直插）、SOT-23（貼片）等封裝，封裝不僅保護(hù)內(nèi)部結(jié)構(gòu)，還通過引腳實(shí)現(xiàn)電路連接，適配不同安裝場(chǎng)景。分壓式偏置穩(wěn)定性好，靠 RB1、RB2 分壓和 RE 抑制 IC 漂移，應(yīng)用廣...

共基放大電路以基極接地，輸入信號(hào)加在 EB 間，輸出信號(hào)從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)，優(yōu)勢(shì)是頻率響應(yīng)好（上限截止頻率高），因基極接地減少了極間電容的影響，適合高頻信號(hào)放大；缺點(diǎn)是電流放大倍數(shù) < 1（Ai≈α

脈沖電路需輸出高低電平交替的脈沖信號(hào)，NPN 型小功率三極管通過快速切換截止與飽和狀態(tài)實(shí)現(xiàn)該功能。例如在矩形波發(fā)生器中，三極管與 RC 充放電電路配合：RC 充電時(shí)，VB 上升，IB 增大，三極管飽和，輸出低電平；RC 放電時(shí)，VB 下降，IB 減小，三極管截止，輸出高電平，通過調(diào)整 RC 參數(shù)控制脈沖周期（T≈1.4RC）。此外，在脈沖寬度調(diào)制（PWM）電路中，三極管根據(jù)輸入的 PWM 信號(hào)導(dǎo)通 / 截止，控制負(fù)載（如電機(jī)、LED）的平均電壓 / 電流，實(shí)現(xiàn)調(diào)速、調(diào)光功能，例如 LED 調(diào)光電路中，PWM 占空比從 10% 增至 90%，LED 亮度隨之提升。振蕩實(shí)驗(yàn)組裝 RC/LC 電路，...