靜態(tài)工作點是三極管放大電路的 重要參數(shù)，需通過偏置電路設(shè)置，確保三極管工作在放大區(qū)。常用的偏置方式有固定偏置和分壓式偏置：固定偏置通過基極電阻 RB 直接從電源取電，RB=(VCC-VBE)/IBQ，電路簡單但穩(wěn)定性差，適合負載固定、溫度變化小的場景；分壓式偏置（RB1、RB2 分壓）使 VB 穩(wěn)定（VB≈VCC×RB2/(RB1+RB2)），再通過發(fā)射極電阻 RE 抑制 IC 漂移，穩(wěn)定性遠優(yōu)于固定偏置，是多數(shù)放大電路的首要選擇。例如在音頻放大電路中，VCC=12V，若需 IBQ=20μA、VE=2V，可設(shè) RB2=2kΩ（VB≈2.7V）、RB1=10kΩ、RE=100Ω，確保靜態(tài)工作點穩(wěn)...

振蕩電路是一種無需外部輸入信號就能產(chǎn)生交流信號的電路，NPN 型小功率晶體三極管在振蕩電路中作為放大器件，為電路提供能量，以補償振蕩過程中的能量損耗，維持振蕩的持續(xù)進行。振蕩電路的工作需要滿足相位平衡條件和幅值平衡條件，相位平衡條件是指電路的總相移為 360°（或 0°），即反饋信號的相位與輸入信號的相位相同，形成正反饋；幅值平衡條件是指放大電路的放大倍數(shù)與反饋系數(shù)的乘積大于等于 1。常見的由 NPN 型小功率三極管組成的振蕩電路有 RC 橋式振蕩電路、LC 正弦波振蕩電路等。RC 橋式振蕩電路適用于低頻信號產(chǎn)生，輸出信號頻率由 RC 選頻網(wǎng)絡(luò)決定，常用于產(chǎn)生音頻范圍內(nèi)的正弦波信號，如函數(shù)信號...

在正常工作狀態(tài)下，NPN 型小功率晶體三極管的三個電極電流之間存在嚴格的分配關(guān)系，遵循基爾霍夫電流定律。具體來說，發(fā)射極電流（IE）等于基極電流（IB）與集電極電流（IC）之和，即 IE = IB + IC。在電流放大區(qū)域，集電極電流與基極電流的比值基本保持恒定，這個比值被稱為電流放大系數(shù)（β），表達式為 β = IC / IB，β 值是衡量三極管電流放大能力的重要參數(shù)，小功率 NPN 型三極管的 β 值通常在 20-200 之間，部分高 β 值型號可達到 300 以上。由于 β 值遠大于 1，所以集電極電流遠大于基極電流，而發(fā)射極電流則略大于集電極電流。這種電流分配關(guān)系是三極管實現(xiàn)信號放大的...

PWM 調(diào)光電路通過改變?nèi)龢O管導(dǎo)通時間（占空比）調(diào)節(jié) LED 亮度，占空比范圍受三極管開關(guān)速度和 LED 響應(yīng)時間限制。若占空比過低（如 95%），三極管導(dǎo)通時間過長，可能因 PC=IC×VCE 超過 PCM 導(dǎo)致過熱。例如 LED 工作電流 300mA，VCE=0.3V（飽和時），PC=90mW，選擇 PCM=200mW 的三極管（如 8050），占空比可設(shè)為 10%~90%，既避免閃爍，又確保功耗安全，同時 PWM 頻率需≥100Hz，超出人眼視覺暫留范圍。LC 振蕩電路頻率穩(wěn)定性靠 LC 回路 Q 值，Q 值高則穩(wěn)定性好。湖南通信用NPN型晶體三極管詢價NPN 型小功率晶體三極管的輸出...

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態(tài)工作點過低，輸入信號負半周使三極管進入截止區(qū)，輸出信號正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態(tài)工作點過高，輸入信號正半周使三極管進入飽和區(qū)，輸出信號負半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當輸入正弦信號時，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調(diào)至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調(diào)至 3kΩ，降低 ICQ。變壓器耦合可阻抗匹配，適合高頻功率放大，卻體積大、成本高。湖南高速開關(guān)NP...

集電極最大允許功耗 PCM 是指 NPN 型小功率晶體三極管在工作過程中，集電結(jié)所能承受的最大功耗，它是由三極管的結(jié)溫上限決定的。三極管工作時，集電結(jié)會產(chǎn)生功率損耗，這些損耗會轉(zhuǎn)化為熱量，導(dǎo)致結(jié)溫升高，當結(jié)溫超過上限值時，三極管會因過熱而損壞。PCM 的計算公式為 PCM = IC × VCE，即集電極電流與集電極 - 發(fā)射極電壓的乘積。小功率 NPN 型三極管的 PCM 通常較小，一般在幾十毫瓦到幾百毫瓦之間，例如 9012 三極管的 PCM 約為 625mW，8050 三極管的 PCM 約為 1W。在電路設(shè)計中，必須確保三極管的實際功耗 PC = IC × VCE 小于 PCM，為了降低三...

集電極最大允許功耗 PCM 是指 NPN 型小功率晶體三極管在工作過程中，集電結(jié)所能承受的最大功耗，它是由三極管的結(jié)溫上限決定的。三極管工作時，集電結(jié)會產(chǎn)生功率損耗，這些損耗會轉(zhuǎn)化為熱量，導(dǎo)致結(jié)溫升高，當結(jié)溫超過上限值時，三極管會因過熱而損壞。PCM 的計算公式為 PCM = IC × VCE，即集電極電流與集電極 - 發(fā)射極電壓的乘積。小功率 NPN 型三極管的 PCM 通常較小，一般在幾十毫瓦到幾百毫瓦之間，例如 9012 三極管的 PCM 約為 625mW，8050 三極管的 PCM 約為 1W。在電路設(shè)計中，必須確保三極管的實際功耗 PC = IC × VCE 小于 PCM，為了降低三...

繼電器線圈是感性負載，斷電時會產(chǎn)生反向電動勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負極，負極接線圈正極，當線圈斷電時，反向電動勢通過二極管形成回路，保護三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導(dǎo)致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時，IC=100mA），既滿足驅(qū)動需求，又避免過載。三極管開關(guān)速度由 ton 和 toff ...

NPN 型小功率三極管的 重要價值在于電流放大，其原理基于載流子的定向運動與分配。當滿足導(dǎo)通偏置時，發(fā)射區(qū)大量自由電子注入基區(qū)，因基區(qū)薄且摻雜少，大部分自由電子（約 95% 以上）未與空穴復(fù)合，被集電結(jié)反向電場拉入集電區(qū)，形成集電極電流（IC）；少量自由電子（約 5% 以下）與基區(qū)空穴復(fù)合，需基極提供電流補充空穴，形成基極電流（IB）。此時 IC 與 IB 成固定比例，即電流放大系數(shù) β=IC/IB（小功率管 β 通常 20-200），微小的 IB 變化會引發(fā) IC 大幅變化，例如 IB 從 10μA 增至 20μA，β=100 時，IC 會從 1mA 增至 2mA，實現(xiàn)電流放大。FM 收音機...

NPN 型小功率晶體三極管的輸入特性曲線是描述基極電流（IB）與基極 - 發(fā)射極電壓（VBE）之間關(guān)系的曲線，通常在固定集電極 - 發(fā)射極電壓（VCE）的條件下測繪。對于硅材料的 NPN 型小功率三極管，當 VCE 大于 1V 時，輸入特性曲線基本重合，曲線形狀與二極管的正向伏安特性相似。在 VBE 較小時，IB 幾乎為零，這個區(qū)域被稱為死區(qū)，硅管的死區(qū)電壓約為 0.5V；當 VBE 超過死區(qū)電壓后，IB 隨著 VBE 的增加而快速增大，且近似呈指數(shù)關(guān)系增長，此時 VBE 基本穩(wěn)定在 0.6-0.7V 的范圍內(nèi)，這一特性在電路設(shè)計中具有重要意義，例如在共射放大電路中，常利用這一特性設(shè)置合適的靜...

集電極最大允許功耗 PCM 是指 NPN 型小功率晶體三極管在工作過程中，集電結(jié)所能承受的最大功耗，它是由三極管的結(jié)溫上限決定的。三極管工作時，集電結(jié)會產(chǎn)生功率損耗，這些損耗會轉(zhuǎn)化為熱量，導(dǎo)致結(jié)溫升高，當結(jié)溫超過上限值時，三極管會因過熱而損壞。PCM 的計算公式為 PCM = IC × VCE，即集電極電流與集電極 - 發(fā)射極電壓的乘積。小功率 NPN 型三極管的 PCM 通常較小，一般在幾十毫瓦到幾百毫瓦之間，例如 9012 三極管的 PCM 約為 625mW，8050 三極管的 PCM 約為 1W。在電路設(shè)計中，必須確保三極管的實際功耗 PC = IC × VCE 小于 PCM，為了降低三...

NPN 型小功率三極管在開關(guān)電路中通過 IB 控制工作狀態(tài)：當 IB=0（或 IB

靜態(tài)工作點是三極管放大電路的 重要參數(shù)，需通過偏置電路設(shè)置，確保三極管工作在放大區(qū)。常用的偏置方式有固定偏置和分壓式偏置：固定偏置通過基極電阻 RB 直接從電源取電，RB=(VCC-VBE)/IBQ，電路簡單但穩(wěn)定性差，適合負載固定、溫度變化小的場景；分壓式偏置（RB1、RB2 分壓）使 VB 穩(wěn)定（VB≈VCC×RB2/(RB1+RB2)），再通過發(fā)射極電阻 RE 抑制 IC 漂移，穩(wěn)定性遠優(yōu)于固定偏置，是多數(shù)放大電路的首要選擇。例如在音頻放大電路中，VCC=12V，若需 IBQ=20μA、VE=2V，可設(shè) RB2=2kΩ（VB≈2.7V）、RB1=10kΩ、RE=100Ω，確保靜態(tài)工作點穩(wěn)...

ICEO 是基極開路時集電極 - 發(fā)射極反向電流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大，ICEO 的溫度敏感性極強，會導(dǎo)致電路靜態(tài)電流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是選擇 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 遠小于鍺管；二是在基極與地之間接泄放電阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，減小 ICEO 對 IC 的影響；三是采用分壓式偏置電路，通過 RE 的負反饋穩(wěn)定 IC。例如在高精度電流源電路中，基極接 100kΩ 泄放電阻，當 ICEO=10μA（β=100）時，IB=0.1μA，對 IC 的影響可忽略不計，確保電流源輸出穩(wěn)定。三極管參數(shù)需...

集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）是 NPN 型小功率晶體三極管保障電路安全的耐壓參數(shù)，直接決定三極管在電路中的電壓耐受上限。其定義為基極開路狀態(tài)下，集電極（C）與發(fā)射極（E）之間能夠承受的高反向電壓，一旦電路中 CE 間實際電壓超過該值，集電結(jié)會發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致集電極電流（IC）急劇增大，輕則引發(fā)三極管參數(shù)漂移，重則直接燒毀器件。在小功率 NPN 管范疇內(nèi)，V (BR) CEO 的數(shù)值范圍通常為 15V-60V，不同型號差異明顯，例如低頻放大常用的 9015 管，V (BR) CEO 可達 45V，適用于中低壓電路；而高頻的 S9018 管，因結(jié)構(gòu)設(shè)計側(cè)重高頻性能，V ...

共基放大電路以基極接地，輸入信號加在 EB 間，輸出信號從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)，優(yōu)勢是頻率響應(yīng)好（上限截止頻率高），因基極接地減少了極間電容的影響，適合高頻信號放大；缺點是電流放大倍數(shù) < 1（Ai≈α

電流放大系數(shù) β 并非在所有頻率下都恒定，而是隨信號頻率升高而下降，這一特性用特征頻率 fT 描述，fT 是指 β 下降至 1 時的頻率，是衡量三極管高頻放大能力的關(guān)鍵參數(shù)。小功率 NPN 管的 fT 差異較大，低頻管（如 9014）fT 約 150MHz，高頻管（如 S9018）fT 可達 1GHz 以上。在實際應(yīng)用中，需確保工作頻率遠低于 fT（通常為 fT 的 1/5~1/10），才能保證穩(wěn)定的放大效果。例如在 FM 收音機中頻放大電路（工作頻率 10.7MHz）中，選擇 fT≥100MHz 的三極管（如 2SC1815，fT=110MHz），可避免因 β 下降導(dǎo)致的放大倍數(shù)不足。汽車電...

NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)對溫度變化非常敏感，溫度的變化會影響其性能。首先，溫度升高時，基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 會減小，通常溫度每升高 1℃，VBE 約減小 2-2.5mV，這會導(dǎo)致基極電流 IB 增大，進而使集電極電流 IC 增大，可能導(dǎo)致電路靜態(tài)工作點漂移；其次，溫度升高會使電流放大系數(shù) β 增大，一般溫度每升高 10℃，β 值約增大 10%-20%，β 值的增大同樣會使 IC 增大，加劇工作點的不穩(wěn)定；另外，溫度升高還會使集電極反向飽和電流 ICBO 增大，ICBO 是指發(fā)射極開路時，集電極與基極之間的反向電流，由于 ICBO 具有正溫度系數(shù)，溫度每升高 10℃，ICBO 約...

在電磁干擾（EMI）嚴重的環(huán)境（如工業(yè)車間、射頻設(shè)備附近），NPN 型小功率三極管電路需采取抗干擾措施：一是在電源端并聯(lián)去耦電容（0.1μF 陶瓷電容 + 10μF 電解電容），抑制電源噪聲；二是在基極串聯(lián)小電阻（100Ω~1kΩ），限制高頻干擾電流；三是采用屏蔽罩，隔離外部射頻干擾；四是優(yōu)化 PCB 布局，使輸入線與輸出線分開，避免交叉干擾。例如在汽車電子中的三極管驅(qū)動電路，電源端并聯(lián) 0.1μF 陶瓷電容和 47μF 電解電容，基極串聯(lián) 220Ω 電阻，PCB 上輸入回路與輸出回路垂直布局，有效降低發(fā)動機點火系統(tǒng)產(chǎn)生的 EMI 干擾。8050 管 ICM=1A，PCM=1W，降額后 IC≤...

反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù)，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開路時，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過此電壓，集電結(jié)會發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開路時，集電極與發(fā)射極之間的反向電壓，其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO，因為基極開路時，集電結(jié)的反向擊穿會通過基區(qū)影響發(fā)射結(jié)，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電...

要讓 NPN 型小功率三極管實現(xiàn)放大或開關(guān)功能，需滿足特定偏置：發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置指基極電壓（VB）高于發(fā)射極電壓（VE），硅管正向壓降約 0.6-0.7V，此時發(fā)射區(qū)自由電子在電場作用下越過發(fā)射結(jié)進入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置指集電極電壓（VC）高于基極電壓（VB），反向電場阻止基區(qū)空穴向集電區(qū)移動，同時 “牽引” 基區(qū)未復(fù)合的自由電子進入集電區(qū)。若偏置條件不滿足，如發(fā)射結(jié)反偏，三極管會進入截止狀態(tài)；若集電結(jié)正偏，則可能進入飽和狀態(tài)，無法實現(xiàn)正常放大。LC 振蕩電路頻率穩(wěn)定性靠 LC 回路 Q 值，Q 值高則穩(wěn)定性好。河南小功率NPN型晶體三極管音頻放大電路應(yīng)用批發(fā)共集...

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態(tài)工作點過低，輸入信號負半周使三極管進入截止區(qū)，輸出信號正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態(tài)工作點過高，輸入信號正半周使三極管進入飽和區(qū)，輸出信號負半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當輸入正弦信號時，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調(diào)至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調(diào)至 3kΩ，降低 ICQ。多級放大電路級間耦合有阻容、直接、變壓器三種方式。湖南醫(yī)療級NPN型晶體三...

NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)對溫度變化非常敏感，溫度的變化會影響其性能。首先，溫度升高時，基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 會減小，通常溫度每升高 1℃，VBE 約減小 2-2.5mV，這會導(dǎo)致基極電流 IB 增大，進而使集電極電流 IC 增大，可能導(dǎo)致電路靜態(tài)工作點漂移；其次，溫度升高會使電流放大系數(shù) β 增大，一般溫度每升高 10℃，β 值約增大 10%-20%，β 值的增大同樣會使 IC 增大，加劇工作點的不穩(wěn)定；另外，溫度升高還會使集電極反向飽和電流 ICBO 增大，ICBO 是指發(fā)射極開路時，集電極與基極之間的反向電流，由于 ICBO 具有正溫度系數(shù)，溫度每升高 10℃，ICBO 約...

NPN 型小功率三極管存在三個極間電容：發(fā)射結(jié)電容 Cbe、集電結(jié)電容 Cbc 和集電極 - 發(fā)射極電容 Cce，這些電容會影響三極管的高頻性能。Cbe 主要由發(fā)射結(jié)的勢壘電容和擴散電容組成，通常在幾十到幾百 pF；Cbc 數(shù)值較?。◣椎綆资?pF），但因跨接在輸入與輸出端，會形成密勒效應(yīng)，大幅降低電路的上限截止頻率；Cce 一般在幾 pF，對高頻影響相對較小。例如在 10MHz 以上的高頻電路中，若三極管 Cbc=10pF，密勒效應(yīng)會使等效輸入電容增至數(shù)百 pF，導(dǎo)致信號嚴重衰減，因此高頻應(yīng)用需選擇 Cbc 小的型號，如 S9018（Cbc≈2pF）。9013 三極管 TO-92 封裝時，P...

選型需結(jié)合電路需求綜合判斷：一是確定參數(shù)匹配，ICM≥電路*大 IC 的 1.2 倍，PCM≥電路*大 PC 的 1.2 倍，V (BR) CEO≥電路*大電壓的 1.2 倍，β 根據(jù)放大需求選擇（放大電路選 β=50-100，開關(guān)電路選 β=20-50）；二是考慮封裝形式，直插電路選 TO-92，貼片電路選 SOT-23；三是關(guān)注溫度適應(yīng)性，高溫環(huán)境（如工業(yè)控制）選耐高溫型號（結(jié)溫≥175℃），低溫環(huán)境（如戶外設(shè)備）選耐低溫型號（工作溫度≤-40℃）；四是優(yōu)先選常用型號，性價比高且易采購，特殊需求（如高頻）選型號（如 S9018）。Cbc 易形成密勒效應(yīng)，大幅降低電路上限截止頻率，高頻應(yīng)用需...

貼片封裝（如 SOT-23、SOT-323）與直插封裝（TO-92）的 重要參數(shù)（ICM、PCM、β）相近，但散熱性能和安裝密度不同：直插封裝引腳長，散熱路徑長，PCM 通常略低（如 TO-92 封裝的 9013，PCM=625mW）；貼片封裝緊貼 PCB，可通過 PCB 銅箔散熱，PCM 可提升 10%~20%（如 SOT-23 封裝的 MMBT9013，PCM=700mW），且安裝密度高，適合小型化設(shè)備（如手機、智能手環(huán)）。直插封裝則適合手工焊接和高溫環(huán)境（引腳散熱好），如工業(yè)控制設(shè)備中的繼電器驅(qū)動電路，便于維修更換。PWM 調(diào)光電路中，三極管占空比通常設(shè) 10%-90%，避免閃爍和過熱。...

繼電器線圈是感性負載，斷電時會產(chǎn)生反向電動勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負極，負極接線圈正極，當線圈斷電時，反向電動勢通過二極管形成回路，保護三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導(dǎo)致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時，IC=100mA），既滿足驅(qū)動需求，又避免過載。LC 振蕩電路頻率穩(wěn)定性靠 LC 回路 ...

RC 橋式振蕩電路起振需滿足 AF≥1（A 為放大倍數(shù)，F(xiàn) 為反饋系數(shù)），F(xiàn)=1/3（RC 串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)），因此 A≥3。調(diào)試時，若電路無振蕩輸出，首先檢查放大電路是否工作在放大區(qū)，用萬用表測 VCE，若 VCE≈VCC（截止）或 VCE≈0.3V（飽和），需調(diào)整偏置電阻使 VCE≈VCC/2；其次增大放大倍數(shù)，如更換 β 更大的三極管或增加放大級數(shù)；檢查 RC 網(wǎng)絡(luò)連接是否正確，確保正反饋相位無誤。例如用 9014 管組成 RC 振蕩電路，若 VCE=11V（VCC=12V），說明三極管截止，需減小 RB1（從 10kΩ 調(diào)至 8kΩ），使 VCE 降至 6V，滿足起振條件。直接耦合無電容，適...

三極管的開關(guān)速度由導(dǎo)通時間（ton）和關(guān)斷時間（toff）決定，ton 是從 IB 加入到 IC 達到 90% IC (sat) 的時間，toff 是從 IB 撤銷到 IC 降至 10% IC (sat) 的時間，小功率 NPN 管的 ton 和 toff 通常在幾十到幾百 ns。開關(guān)速度影響電路的工作頻率，例如在 500kHz 的脈沖電路中，需選擇 ton+toff≤1μs 的三極管（如 MMBT3904，ton=25ns，toff=60ns），否則會出現(xiàn) “開關(guān)不完全”，導(dǎo)致 IC 波形拖尾，功耗增大。為加快開關(guān)速度，可在基極回路并聯(lián)加速電容，縮短載流子存儲時間。射極輸出器的輸出電阻低（通...

LC 振蕩電路的頻率穩(wěn)定性由 LC 諧振回路的 Q 值決定，Q 值越高，頻率穩(wěn)定性越好。小功率 NPN 管的極間電容（尤其是 Cbc）會影響 LC 回路的等效電容，導(dǎo)致頻率漂移，解決方法是選擇 Cbc 小的高頻三極管（如 2SC3355），并在三極管與 LC 回路間加入隔離電路（如共基電路），減少極間電容對回路的影響。此外，采用溫度系數(shù)小的電容（如云母電容）和電感（如密封電感），可進一步降低溫度變化對頻率的影響。例如在 27MHz 的無線話筒振蕩電路中，用 Cbc=1.5pF 的 2SC3355 管，配合云母電容（溫度系數(shù) ±50ppm/℃），頻率漂移可控制在 ±1kHz 以內(nèi)。貼片封裝 SO...